GF发布7nm级FDX Fusion节点，密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
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FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
阿里巴巴推出Zhenwu V900，计划1Q27量产，性能达M890三倍。两款新Yitian服务器CPU计划3Q27推出。
阿里供应链产能需求，关注后续代工订单转移。
阿里云T-Head发布Zhenwu V900 AI芯片计划于1Q27量产，同步推出Yitian 720/730服务器CPU，构建全栈自研数据中心芯片。此举旨在降低外部依赖，长期利好代工与封测产能。对当前现货市场影响中性。
爆料人Kepler_L2称NVIDIA Rubin与AMD RDNA 5均推迟至2028年发布，部分RDNA 5显卡代号AT2或于2027年推出。此前RTX 50 SUPER传闻因DRAM短缺取消。
产品发布推迟影响未来需求预期，需等待更多确认信息。
美光推出首款512GB DDR5-9200 RDIMM，获AMD和Intel验证。该模块功耗仅16W，比四颗128GB模块低60%，采用先进TSV封装。
目前对现货价格无直接影响，主要面向未来AI和高性能计算需求。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
UMC与SILITH宣布完成首批硅光子IC晶圆量产交付。该合作结合了SILITH的1.6T平台与UMC的12英寸产线，服务于AI数据中心光互连。
产能扩张与量产准备就绪，暂无供需缺口信号。
特斯拉AI5芯片在三星代工厂完成流片，将采用2nm工艺量产，集成12颗SK海力士内存。该芯片由三星和台积电双线代工，马斯克预计将成为史上产量最大的芯片之一。
三星代工与SK海力士，高产能预期将推高相关供应链需求。
Chery FREELANDER 8搭载高通骁龙8295P芯片及SIVP系统，首发中东市场。该车型主打智能座舱与自动泊车功能，针对高温环境优化。
确认高通8295P在智能座舱领域的应用需求。
Kioxia于7月3日开始1Tb TLC BiCS 10 NAND样品出货，计划2027年量产。该产品采用332层堆叠与CBA技术，传输速度达4.8Gb/s。
新世代技术发布预示未来产能扩张，短期现货价格影响有限。
英伟达在ISC 2026发布Vera Rubin与Grace Blackwell平台，配套ALCHEMI等科学计算软件。该平台通过AI代理实现自主科研，首台系统将部署于洛斯阿拉莫斯国家实验室。
高算力需求推动高端GPU及网络芯片市场扩张。
NVIDIA计划8月起向中国客户开放Vera CPU销售，单一大客户已预订超300台服务器。针对H200出货受阻，且全球AI推理需求激增导致Intel和AMD服务器CPU供应紧张。
NVIDIA CPU业务及SK海力士、台积电等供应链，有望抢占受限市场。
三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机，并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈，三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。
属于长期技术路线图确认，对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
华硕计划于2026年推出代号为RC74XA的ROG Xbox Ally 2掌机，搭载AMD Ryzen Z2 Extreme处理器及多种SSD配置。该机型预计将延续ROG Ally X的M.2 2280标准，并可能引入OLED屏幕。
目前仅为未来产品规划，对当前供应链价格无直接影响。
三星电子开始向全球合作伙伴交付全球首款12层HBM4E样品，性能较HBM4提升20%，容量增加30%。该产品采用先进低功耗设计，计划随客户时间表进入量产，竞争对手SK海力士也在加速HBM4E研发。
尽管供应端出现新进展，但AI算力需求强劲，HBM4E的量产节奏对缓解当前缺货状况至关重要。
东芝开始出货1200V SiC MOSFET TW007D120E样品，RDS(on)较现有产品降低58%。该器件专为AI数据中心和可再生能源设计，采用QDPAK封装以提升散热性能。
预计2026年量产，将提升数据中心电源转换效率。
日本胶带厂商Lintec计划投资70亿日元，于2026年量产1万张EUV光罩防尘膜。公司正与日本产业技术综合研究所合作开发碳纳米管基EUV光刻防尘膜，以提升高温下的耐久性。
传统工业巨头跨界进入EUV防尘膜领域，长期或增加供应竞争，但短期对价格影响有限。
AMD已开始量产代号为“Venice”的第6代AMD EPYC CPU，标志着与台积电在2纳米技术合作上的重要里程碑。该产品计划在亚利桑那州晶圆厂展开量产。
未来2纳米产能释放对现有产品价格的影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |