日媒《日刊工业新闻》当地时间昨日（10月21日报道）称，Canon（佳能）计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升50%。该计划为报道所援引的消息，属计划状态，尚未确认实施。佳能正在开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，并开发了一种分辨率达0.8μm（800nm）的大尺寸基板光刻机台，能处理510×515(mm)基板，具备高对准精度和大视场角。佳能半导体设备事业部负责人三浦圣也在接受采访时表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。原文未说明原因。
博通与TOPPAN的合资公司AST在新加坡开设FC-BGA基板厂，用于AI芯片生产。该厂面积为95,000平方米，将生产用于AI计算与网络芯片的大尺寸、高层数基板。原文以'will produce'表述，表明该厂投产仍属计划状态，原文未说明原因。
Topoint Technology 表示正在为其精密 PCB 钻孔业务布局，以应对来自 AI 服务器、高性能计算和高速传输应用的不断增长的需求。在 TPCA Show 2026 上，该公司展示了针对先进材料（包括 ABF 载板、石英布和 PTFE）的工具与加工技术，同时概述了其在台湾和中国的产能扩张计划。该扩张为计划性质，原文未给出扩产规模或时间表。
据TrendForce于2026年10月20日发布的消息，AI封装供应紧张正向上游蔓延，IC基板正受到供应瓶颈冲击。台湾厂商Unimicron警告，在CoWoS与EMIB需求升温的背景下，关键设备的交期已拉长，超过80%的关键设备交期拉长，部分设备交期达到30个月；同时关键材料在2027年面临潜在的20%短缺（短缺为潜在预测，非已实现结果）。
韩国基板厂商Daeduck Electronics正在加速开发陶瓷芯基板（CCS），以应对AI半导体封装尺寸增大带来的翘曲和散热管理挑战。该公司目前正在进行性能和内部可靠性评估，计划在2027年和2028年推进样品及客户评估，并以2029年量产为目标；陶瓷芯被视为下一代大面积封装中玻璃芯的材料替代方案。以上均为计划/目标状态，量产尚未实现。
Genesem与全球第三大晶圆代工厂Company A及其外包封装合作伙伴达成独家协议，从2027年起独家供应配备AI视觉的切筋分片设备GVISION AI+。该设备于第三季度通过量产认证，2027年预计交付约20台，合同价值超过300亿韩元。AI功能使设备价格比现有型号增加10%以上。
AI计算正将封装密度推向极限，加速器基板预计将在未来三至五年内超过100x100mm并扩展至120x120mm以上。随着基板尺寸、层数、I/O和电力需求上升，行业关键瓶颈正从设计能力转向制造产能。原文未说明具体厂商或时间点，上述尺寸扩展为预期而非已实现结果。
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
友达（AUO）董事长兼CEO彭双浪表示，公司将以人工智能、多元化及集团内合作为增长定位；在显示业务迈入30周年之际，公司将在三大既有业务基础上，寻求通过技术与合作伙伴关系打造第四和第五增长支柱，方向包括共同封装光学（co-packaged optics）与玻璃核心基板（glass core substrates）。此为公司的规划方向，原文未说明具体投资规模或时间表，也未说明原因。
LG Innotek计划于2028年左右开始为先进半导体封装供应玻璃基板，并预计其芯片基板业务将在2027年改善。该韩国零部件制造商此举旨在减少对智能手机相机模块的依赖并拓展汽车技术领域。此为计划/预期，并非已实现的结果。
FLOSFIA在6英寸基板上进行氧化镓外延成膜，并视点8英寸。
2026年10月13日报道， Vital Technology Group 的子公司 Vital Core Optoelectronic Technology (Wuhan) Co., Ltd. 在武汉东湖自由贸易区于9月28日正式投产其晶圆制造厂（fab），该厂是其CNY 12亿高端复合半导体材料和芯片产业化基地的制造核心，配备支持4/6英寸InP和6/8英寸GaAs的大面积光电芯片平台。此外，本月公司与Smarter Microelectronics签署战略合作协议，并与子公司联合获得海外客户的下一代单波长400G光互连预研订单。
博通与凸版合资企业AST于2026年9月29日在新加坡开设95,000平方米FC-BGA基板工厂。这是凸版集团在日本以外首家此类工厂，计划2026年底投产高价值产品。
新产能扩张将增加基板供应，预计未来价格承压。
住友化学建立4英寸InP外延片生产线并开始销售，武汉天源通过收购中讯60%股份进入InP衬底领域。InP在AI数据中心光学领域需求旺盛。
新增产能将缓解供应紧张，压制价格涨幅。
PSMC获英特尔EMIB-T独家硅电容供应，月产能扩张至5000片8英寸及8000-10000片12英寸晶圆。随着AI GPU需求增长，硅电容集成化趋势明显，且EMIB-T较CoWoS成本降低50%。
PSMC与UMC订单，EMIB封装技术有望分流CoWoS产能。
英特尔发放加班费加速俄亥俄晶圆厂建设，EMIB-T封装良率逼近90%。尽管基板良率仅约50%拖累整体进度，但EMIB-T成本比CoWoS低50%，预计2027年量产。
良率提升有助于扩大先进封装产能。
LG Innotek定下2031年6.47亿美元封装利润目标。受5G、高端智能手机及AI趋势驱动，公司正拓展高附加值半导体基板业务。
预示半导体基板需求前景强劲。
国产TGV玻璃基板正从技术验证转向小批量量产。随着先进封装市场预计2030年达800亿美元，头部企业加码布局。
供应扩张将缓解短缺，压制价格。
LG Innotek计划在越南海防投资超1万亿韩元建设新半导体基板工厂。该项目聚焦RF-SiP、FC-CSP及FC-BGA基板，旨在满足AI服务器及5G智能手机的强劲需求。
产能扩张虽反映需求旺盛，但需警惕未来潜在供应过剩风险。
TrendForce报告称中国已有超10家企业布局玻璃基板，京东方已建成试产线。多家厂商正加速缩小与韩国竞争对手的技术差距。
供应端竞争加剧或导致价格承压。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |