台塑化5月28日股东会宣布将增加电子级双氧水生产线并进军AI供应链。公司计划利用复合材料和耐热材料专长，应对原材料成本波动及客户需求谨慎。利空：此举预示半导体化学品产能扩张，可能加剧供应压力并压制价格。

IBM宣布未来五年投资超100亿美元，并在纽约州建设量子芯片制造工厂。美国政府向量子计算领域发放20亿美元扶持资金，旨在加速大国竞争下的技术布局。关注量子计算芯片产能扩张带来的长期供需预期。

普渡大学与台湾 GeChi Compound Semiconductor 合作，将碳化硅衬底产能扩大至 8 英寸和 12 英寸。该合作旨在解决下一代高性能计算和 6G 基础设施中关键的散热、功率瓶颈。利空（供应增加预期）。

精测科技于2026年5月27日完成董事会改组，并宣布未来2至3年加速扩充AI芯片测试产能。面对AI芯片需求激增，公司通过留任独立董事及改组管理层来落实扩产计划。利多。扩产计划将强化公司在AI测试领域的竞争力，支撑未来营收增长。

Laster Tech宣布进入机器人联合控制模块供应链并赢得北美汽车订单，计划2026年Q3小批量出货，2027年Q1交付。此举是公司从汽车电子向具身智能机器人领域延伸的战略布局，旨在强化北美本地供应能力。关注。

某公司拟投15亿元扩产高端存储芯片封测产能，参股企业布局1.6T光通信产品。此举旨在满足算力与机器人需求。利空：扩产将增加供应，压制价格。

深科技子公司拟投资14.7亿元扩大高端存储芯片封测产能。此举旨在满足市场需求，但大规模扩产可能导致供应过剩，从而对封测价格形成利空压力。

美光Fab 6开始投产1α nm制程LPDDR4与DDR4，重心转向LPDDR4。TrendForce分析指出，此举仅为内部产能配置调整，非重启消费性DDR4供给。利空，确认DDR4供给短缺格局持续，消费级DDR4无扩产计划。

英特尔在里奥兰佐建设全球首条玻璃基板量产产线，并向外部客户提供硅光子服务。此举旨在强化其代工业务竞争力，布局先进封装与光互连技术。关注先进封装产能扩张对供应链格局的重塑。

美光在弗吉尼亚工厂开始量产1-alpha DRAM。这是美国最先进的内存技术，也是扩大国内半导体制造的关键里程碑。利空：产能扩张将增加未来供应，压制价格。

Panjit加速布局AI与汽车电子领域。该公司历经四十年离散器件业务后寻求新增长周期。关注其战略转型对未来供需格局的潜在影响。

美光宣布启动弗吉尼亚州1α工艺DRAM生产，预计年内量产。该基地DDR4产能将增至当前四倍，以保障汽车、国防等利基市场供给。利空。大规模扩产将增加DDR4供应，可能压制现货价格。

美光在弗吉尼亚工厂启动1α DRAM工艺量产。该工艺为美国最先进内存技术，主要应用于DDR4和LP4产品。利多美光长期产能布局，但短期对现货价格影响中性。

AMD CEO Lisa Su出席苏州TF-AMD二期扩产仪式，强调AI与高性能计算需求推动先进封装产能扩张。产能增加将增加供应，预计对封装价格形成下行压力。

AMD计划向台湾生态系统投资超过100亿美元，扩大HPC芯片产能。此举旨在推动AI基础设施建设，并利用TSMC的2nm工艺。利空：产能扩张预期将增加供应，长期可能压制HPC芯片价格。

AMD CEO Lisa Su宣布将在台湾投资超过100亿美元以加速AI基础设施发展。此次访问期间，她与台积电分享了后端封装、基板及AI服务器供应链的最新进展。利多AMD及台积电AI芯片需求与供应链合作前景。

Doosan Corp投资约1.2亿美元在泰国建设CCL生产基地，计划于2028年下半年量产，以应对AI数据中心带来的需求增长。利空 - 扩产预期增加未来供应，可能压制CCL价格。

村田计划投资169亿日元在滋贺县建设热敏电阻新生产线，预计2028年完工。此举旨在应对市场需求增长。利空：产能扩张将增加供应，可能对热敏电阻价格造成下行压力。

ASML预计数月内出货首颗高阶EUV芯片，英特尔与SK海力士加速采用，TSMC因成本高昂推迟布局。利多高阶光刻设备需求，但TSMC与三星策略分化将影响未来产能。