“DRAM教父”高启全否认台积电DRAM传闻，警告长鑫存储两年内10座晶圆厂扩产恐引发全球存储供应过剩

发生了什么

2026年11月11日报道：有报道称台积电在英伟达敦促下探索3D DRAM生产，被誉“DRAM教父”的南亚科技前总裁高启全否认此可能性，认为台积电不会涉足DRAM制造；据Tom's Hardware援引台积电发言人，台积电已否认该传闻，重申专注于核心代工业务。高启全指出更大的威胁是中国长鑫存储（CXMT）的激进扩产：据TechNews援引高启全，CXMT正于北京、上海及其他地点建设10座晶圆厂，大量新产能预计两年内上线，他警告这可能引发全球存储供应过剩并挤压台湾供应商，即使CXMT因EUV限制仍依赖成熟制程。CXMT还计划年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM，但高启全质疑该架构能否量产，认为即使投入大量研发经费也未必能突破技术壁垒。据TechNews援引高启全，DRAM制程微缩仍停留在6F²，尚无制造商实现4F²；DRAM的一晶体管一电容结构使进一步微缩尤为困难，电容微缩与漏电是主要障碍，这些限制也使3D DRAM开发更复杂；他强调三星与美光等业界巨头尚未克服这些难题，进一步质疑CXMT的时间表。此外，高启全指出中国NAND闪存格局不同：由他早期主导发展的长江存储（YMTC）已成为全球技术领先者，甚至向三星和美光授权专利；与受EUV设备获取限制的中国逻辑代工行业不同，其闪存行业具竞争优势并获得雄厚融资支持。高启全还引用台积电旗下世界先进（VIS）进入存储制造失败后重回代工的先例，说明跨足两大业务的挑战。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：TrendForce · 2026/11/10 · 查看原始来源