不玩EUV了 佳能推出高性能KrF光刻机：套刻精度可达4nm

发生了什么

佳能宣布将于2026年12月上市面向存储和逻辑芯片的KrF扫描式半导体光刻机FPA-6400ES6a，产能达400片晶圆/小时，套刻精度4nm，为业界高水平。该机在对准系统中加入可选配的新光源Hi-ALS，可根据材料和工艺选择合适的对准测量波长；翘曲量扩大到700μm，强化对三维器件堆叠及晶圆键合工艺中晶圆翘曲的应对能力；同时改进电力控制技术、简化冷却机构，降低每片晶圆曝光耗电量。原文说明KrF为248mm波长（原文如此）的氟化氪一代光刻机，不能与193nm波长的DUV及13.5nm波长的EUV光刻机相比，因此该机不用于先进工艺生产、至少不是主设备；其更像对标ASML的NXT:870B光刻机，400片晶圆/小时产能及4nm套刻精度与后者相同，但NXT:870B未公布翘曲控制能力。原文称该机适合3D芯片堆叠、晶圆键合等工艺场景，未来市场需求仍高。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：快科技 · 2026/11/10 · 查看原始来源