据报道，三星电子与SK海力士在2027–2028年短缺背景下争夺ASML EUV设备，各自订单金额最高达20万亿韩元

发生了什么

据报道，三星电子与SK海力士正加紧争取ASML的EUV光刻设备，背景是供应趋紧和先进DRAM需求增长；据Solution News援引业内消息人士报道，两家公司正竞争ASML的EUV系统，各自据报道承诺投入10万亿至20万亿韩元。据报道设备交货周期已翻倍，两家公司考虑比原计划提前下单，且预计还有追加订单，可能推高资本支出。据披露，SK海力士已披露一笔约11.95万亿韩元的EUV设备采购，相当于其2024年末总资产的9.97%，该订单含安装及改造费用，计划于2027年12月31日前交付，支持其向1c DRAM（第六代10nm级DRAM）的转换。据Financial News报道，三星同样在扩张先进DRAM产能，正在其平泽P4设施新增面向HBM4的1c DRAM生产线，并推进P5园区，首座厂房目标2028年开始运营；据Solution News报道，三星已为P5订购光刻设备，预计在第一阶段洁净室于2027年上半年完工后设备搬入。据The Bell报道，两家公司还准备在下一代DRAM生产中采用更先进的High-NA EUV，据报道目标2027年开始1d DRAM量产，随后于2028年进入10nm以下0a DRAM的有限生产；High-NA EUV预计在0a阶段引入，初期仅用于部分层，据报道三星考虑仅在一至两个层使用以平衡成本与良率。ASML在10月财报中警告，计划供应在2027年和2028年均将低于需求，部分客户已表示有意下单2029年甚至2030年的设备；ASML正探索将2028年产能扩张到此前考虑的同比增长30%以上。其第三季度财报显示，存储客户占净系统销售额的46%，逻辑客户占54%。据Solution News报道，后端设备同样供应紧张，订单积压已拉长至两至三年，Hanmi Semiconductor与Amkor据报道订单簿接近满载，两者均在扩张用于HBM制造的AI数据中心相关设备（包括TC键合机）产能。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：TrendForce · 2026/11/9 · 查看原始来源