NuAxi半导体贸易情报
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三星关闭最后2D NAND产线转产1c DRAM
三星将于3月关闭其最后一条2D NAND产线(华城12号线,月产能8-10万片12英寸晶圆),并将其改造为DRAM后处理车间以专注1c DRAM生产。此举旨在优化资源配置,并为下一代HBM4内存铺路,符合三星向先进工艺过渡的战略。关注:长期可能收紧低端2D NAND供应,同时提升1c DRAM产能,对相关细分市场供需结构产生影响。
2D NAND1c DRAMHBM4
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来源:快科技 · 2026/2/26 · 查看原始来源
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