NuAxi半导体贸易情报
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三星关停最后2D NAND产线，转产1c DRAM
三星将于3月永久关停华城12号产线（月产能8-10万片），并将其改造为1c DRAM后段制程产线。此举旨在将传统平面NAND产能转向先进制程，以提升用于HBM4及服务器的1c DRAM产量。关注：传统NAND供应减少被中国工厂增产抵消，1c DRAM产能提升或缓解HBM生产瓶颈。
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来源：The Elec · 2026/2/25 · 查看原始来源
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