NuAxi半导体贸易情报
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三星华城12号线3月停产2D NAND转产1C DRAM
三星电子华城12号线最早将于3月停产2D NAND，产线将转向生产下一代HBM4核心的1C DRAM。此举旨在优化产能，聚焦高附加值存储产品。利多：2D NAND供应直接削减，可能引发现货市场供应趋紧。
2D NAND1C DRAM
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来源：TrendForce Official (Market Data) · 2026/2/26 · 查看原始来源
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