NuAxi半导体贸易情报
(新闻稿) 英飞凌启动全球首个300毫米功率碳化硅(SiC)晶圆生产
发生了什么
英飞凌宣布已在奥地利菲拉赫的晶圆厂成功将300毫米碳化硅晶圆加工成可用的功率器件，为首家在完整规模半导体晶圆厂环境中实现这一里程碑的公司。该成果通过利用现有硅(Si)制造设备实现，公司称其反映了对高性能SiC功率半导体产品组合及长期供应保障的重视。据原文，300毫米晶圆的芯片生产在技术上比200毫米晶圆更先进、效率显著更高，因更大晶圆直径可提供每片2.3倍的芯片数量。
影响与信号
中影响影响力评分：60/100
受影响器件与厂商
300-millimeter silicon carbide (SiC) waferspower SiC semiconductors
Infineon Technologies AG
SiC300mm waferVillachpower deviceswafer scaling
来源与时间
来源：TechPowerUp · 2026/11/9 · 查看原始来源
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