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英飞凌称已在300毫米SiC晶圆上加工出功能性功率器件

发生了什么

英飞凌科技股份公司于2026年11月9日表示,其已在位于奥地利菲拉赫的晶圆厂将300毫米碳化硅(SiC)晶圆加工成功能性功率器件,并称此举在全尺寸半导体晶圆厂环境中属行业首次。公司计划在11月10日开幕的慕尼黑electronica贸易展上公开展示第一片已加工的300毫米SiC晶圆。

影响与信号

中影响影响力评分:30/100

受影响器件与厂商

300mm silicon carbide (SiC) waferspower devices
Infineon Technologies AG
SiC300mm waferpower devicesVillach fabAustriaelectronica

来源与时间

来源:DigiTimes Asia · 2026/11/10 · 查看原始来源

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