NuAxi半导体贸易情报
英飞凌在奥地利建首座300毫米GaN功率半导体量产工厂
发生了什么
英飞凌正在欧洲建立首个用于氮化镓功率半导体的大规模制造设施，使用300mm晶圆。作为该项目的一部分，该公司计划到2034年在奥地利菲拉赫的现有洁净室设施上投资约11亿欧元。利用现有和升级的基础设施，预计将实现制造产能的高效且具有成本效益的扩张。生产计划于2027年底开始。
影响与信号
中影响影响力评分：60/100
受影响器件与厂商
gallium nitride (GaN) power semiconductors300mm wafers
Infineon Technologies AG
GaN300mmFabInfineonAustriaVillach
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2026/10/27 · 查看原始来源
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