NuAxi半导体贸易情报
美光弃用4F² DRAM路线而CXMT推进商业化,三星与SK海力士路线各异
发生了什么
美光科技与中国的长鑫存储(CXMT)对下一代DRAM微缩采取截然不同的路线，暴露出业界对4F²(4F平方)存储单元架构商业可行性的分歧：CXMT正推进4F²走向商业化生产以提升位密度；美光则认为电容微缩约束削弱其成本优势，主张优先发展6F²(6F平方)技术并更长期转向3D DRAM;三星电子与SK海力士在探索其他开发路径。原文未说明原因以外的影响(如价格或供需变化)，该消息属技术路线报道，不构成已实现的价格或产能事件。
影响与信号
中影响影响力评分：50/100
受影响器件与厂商
来源与时间
来源：DigiTimes Asia · 2026/11/2 · 查看原始来源
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