KeyBanc预计HBM价格2027年第一季度环比上涨80%至100%，DRAM今年第四季度环比涨15%至20%、NAND约涨20%，存储长协有望锁定至2035年

KeyBanc Capital Markets分析师John Vinh在完成亚洲调研后发布报告，预计高带宽内存（HBM）价格将在2027年第一季度环比上涨80%至100%；DRAM价格今年第四季度将环比上涨15%至20%，NAND涨幅约为20%。其认为存储供应商正将产能向数据中心大幅倾斜，预计明年面向PC和智能手机的存储供应量将减少20%至30%。供应锁定方面，惠普和戴尔已将供应协议延长至2031年，谷歌正在洽谈覆盖至2035年的长期协议；三星电子明年约80%的存储芯片（含HBM）产量已通过长期供应协议锁定买家，SK海力士已与主要客户完成长协签署，美光科技的战略客户协议数量从二季度的16份增至三季度的26份，闪迪已与包括多家大型科技公司在内的八家客户签订长协。报告还提及三星电机即将与台达电子签署价值7000亿韩元（约5.07亿美元）的MLCC长协、LG电子与美国AI数据中心基础设施公司Air签署价值5万亿韩元（约362亿美元）的冷水机组合同等长协向AI基础设施全链路蔓延的动向。

来源：华尔街见闻 · 2026/10/16 · 查看原始来源