Arm就高通诉讼案陪审团裁决发表评论：Ami Badani称2美元名义性赔偿裁决为一种认可
Arm就其与高通诉讼案的陪审团裁决发表评论。Arm的Ami Badani将2美元名义性赔偿金的裁决称为一种认可（validation）。与此同时，芯片设计专家指出，RISC-V等开放架构是面向AI工作负载灵活性的长期替代方案。原文未说明作出该裁决的具体法律原因。
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Arm就其与高通诉讼案的陪审团裁决发表评论。Arm的Ami Badani将2美元名义性赔偿金的裁决称为一种认可（validation）。与此同时，芯片设计专家指出，RISC-V等开放架构是面向AI工作负载灵活性的长期替代方案。原文未说明作出该裁决的具体法律原因。
全球投资级企业债利差周四飙升至129个基点，创2025年5月以来最宽水平。原文说明的原因为：美国科技巨头为支撑AI基建大幅举债，叠加油价上涨和法国政局动荡，共同推动全球企业债利差急剧走阔。追踪美国蓝筹企业债违约保护成本的CDX投资级指数周五升至64个基点，触及3月以来高点；亚洲高评级美元债利差扩至2025年7月以来最高，波动加剧迫使韩国进出口银行推迟一笔日元债券发行。Meta本周披露最新资本支出规划，在季度文件中表示正考虑从今秋起的数年内筹集"数千亿美元"资金，其支出承诺已从7月的约7000亿美元攀升至约8250亿美元；SpaceX正寻求筹资400亿美元，用于向英伟达采购芯片，其中较低评级债券的定价利率约为8.3%，截至周五收盘，SpaceX 2046年到期、票息6.6%的债券利差扩大13个基点至279个基点。据彭博汇编数据，今年以来企业为AI相关支出累计融资逾4500亿美元，Janus Henderson的John Lloyd预计明年为AI建设发行的债务总规模或将接近1万亿美元。尽管利差走阔，美国投资级企业债利差87个基点仍低于过去十年约109个基点的均值。Meta与SpaceX本周均公布好于分析师平均预期的业绩。
Delta在Energy Taiwan 2026（10月14日至16日，台北南港展览馆1馆4楼，摊位M0319a）展出面向AI工厂、高性能计算（HPC）数据中心和智能制造的微电网解决方案。其基于固态变压器（SST）的预制化直流电源系统采用容器化架构，集成SST、DC/DC转换器和控制设备，减少功率转换级数，SST能效最高达98.5%；据Delta称，该方案可将AI数据中心的电网到芯片能效提升4–5%。系统可配置高倍率电池以应对AI负载快速变化，提供毫秒级电力支撑，其模块化预制设计最多可缩短50%的部署时间，架构支持未来随算力需求增长的容量扩展。Delta还展出可用于分布式发电的固体氧化物燃料电池（SOFC）技术，热回收后系统总效率最高可达85%；Delta计划在2026年底前开始SOFC方案的试产。展会还包括由Delta ESG咨询办公室开发、基于ISO 50001能源管理方法的EnergiQ数字能源管理平台，以及来自台湾工业技术研究院、台湾经济研究院和Delta智慧能源与微电网团队的专家演讲。
XP Power推出UCH750系列750W对流冷却AC-DC电源，面向需要低噪音、高效率与可靠性能的医疗及工业设备。该系列采用底盘安装、无风扇设计，降低声学噪音并消除易磨损机械部件，适用于医疗影像、患者监护、诊断仪器、治疗设备及家用医疗器件等噪音敏感应用，亦覆盖医院设备、工厂自动化、半导体制造、测试测量系统与电信基础设施。转换效率最高达96%，单机尺寸203.2 × 127.0 × 40.0 mm。系列支持BF（人体浮动）应用部分分类，提供2 × MOPP输入输出隔离，在264 VAC、60 Hz条件下最大患者漏电流为100 µA；报告符合IEC 60601-1，并已获UL和TÜV安全认证，另有IEC 62368-1安全认证，满足EN 55032 Class B传导与辐射发射限值；提供Class I与Class II版本。五个型号在90–264 VAC通用输入下提供12 V、24 V、36 V、48 V、54 V标称DC输出，100 VAC输入且环境温度最高+50°C时可输出全功率750 W；具备远程开关控制、5 VDC/2 A待机输出及过载、短路、过压、过温保护。产品通过Avnet Abacus、DigiKey、element14、Farnell、Mouser、RS、TME、授权区域分销商及XP Power直销供应，附带三年保修。此为产品发布信息，不构成产能或价格变化的确认事实。
STMicroelectronics（总部位于瑞士日内瓦）扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器系列，推出新的MasterGaN7器件，其中包含具有6A最大电流额定值的650V增强型氮化镓（GaN）晶体管。原文未说明原因。新系列旨在帮助设计人员提升电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用中的效率和功率密度。
Microchip Technology（Nasdaq: MCHP）于2026年10月23日宣布推出POL-05-20S-T，这是一款耐辐照的Point-of-Load（POL）转换器，面向太空处理应用的电源需求。该器件采用氮化镓（GaN）功率器件，可提供高达20A的输出电流；封装为1.51” x 1.51” x 0.45”的25g表面贴装封装。输入电压范围4.75V至13.2V，输出可在0.7V至5V范围内调节，适用于FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型数字负载的核心电压轨。该器件电气参数已在总电离剂量（TID）高达50 krad的辐照前后进行规定，单粒子效应（SEE）表征至43 MeV·cm²/mg的线性能量传输（LET），全负载工作温度为−55°C至+100°C。该产品现已可按生产数量供货，可直接从Microchip购买或通过其销售代表及全球授权分销商购买。原文未说明原因（属于产品发布，无需因果说明）。
在SEMICON West 2026期间，Soitec首席产品官René Jonker接受采访，介绍这家1992年从CEA-Leti分拆、以Smart Cut工艺为核心的衬底公司。公司现运营五个主要技术平台：RF-SOI（用于几乎每部5G手机和Wi-Fi模块中的RF开关和低噪声放大器）、FD-SOI（用于汽车雷达、IoT微控制器和边缘设备，可在不缩小工艺节点的情况下降低功耗30%至50%）、Power-SOI（用于高压汽车和工业电路）、POI（面向5G和6G声学RF滤波器），以及十年前开发、当前承载公司的Photonics-SOI平台。Jonker称Photonics-SOI被视为'新的黄金'，AI集群互联需求使流量转向光纤，该平台以'非常可观的增速'驱动Soitec业务，并支撑正在进入AI数据中心的共封装光学。文中提及，在巴黎泛欧交易所上市的Soitec，2026年1月投入100美元的投资者到10月初持有超过600美元。Jonker表示直接竞争主要来自GlobalWafers（其'曾经或现在能接触Soitec的IP'），技术层面竞争包括FD-SOI客户可选TSMC FinFET，以及硅与铟磷化物在光波导上的权衡。SmartSiC（降低EV逆变器SiC功率器件成本）与面向6G功率放大器和航空航天的RF-GaN仍在开发中，FD-SOI正向更小几何尺寸推进。
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) 宣布推出面向先进能源与电网基础设施的超高压 (UHV) SiC 功率模块家族。新型 G4H08MT23GB4 2300 V 全桥模块家族采用行业标准 SiCPAK 封装形态，具有同类领先的 RDS(ON) (8 mΩ)，基于 Navitas 第四代 GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) 架构开发，用于提升固态变压器、电网级电池储能系统、太阳能逆变器和 EV 兆瓦级充电基础设施的效率与功率密度；此次发布扩展了 Navitas 的 2300 V 和 3300 V 超高压 SiC 产品组合。模块采用氮化铝 (AlN) 活性金属钎焊 (AMB) 基板，支持超过 5 kV 的隔离能力，环氧树脂灌封技术热导率较硅胶提升 10 倍，高压弹性压接引脚每引脚载流能力为标准压接连接的两倍，并提供可选预涂热界面材料 (TIM)。新模块家族将按 Navitas 的 AEC-Plus 可靠性基准进行认证，该基准测试超出 AEC-Q101 和 JEDEC 标准要求，包括动态反向偏置 (DRB) 和动态栅极开关 (DGS) 测试，静态高温高压测试 (HTRB、HTGB、HTGB-R) 时长增加超过三倍，并实现扩展的功率循环和温度循环测试以及针对功率模块、分立器件和已知良品裸片 (KGD) 的 HV-H3TRB (HV-THB) 认证。公告将该模块家族置于 Navitas AI 基础设施产品组合的中心，作为将电网电力直接转换为 AI 数据中心机架内高压直流轨的固态变压器中的中压构建模块。
Darveen发布搭载Intel Core Ultra 5 125H/U系列处理器（Meteor Lake）的DPC-1210工业平板电脑，面向边缘AI应用。该产品总平台AI性能最高达34 TOPS，支持通过M.2 AI加速模块（如DEEPX DX-M1M）扩展AI性能；配备21.5英寸投影式电容触摸屏（全高清1920×1080、450尼特亮度、防眩光表面）、无风扇铜热管散热系统，I/O包括2x COM、4x USB 3.0、2x LAN、1x HDMI、1x DisplayPort，并支持安装两块2.5英寸SATA 3.0 HDD/SSD硬盘及RAID 1镜像。Darveen成立于2007年，产品覆盖车载电脑、工业平板电脑、工业显示器、嵌入式盒式电脑和加固平板等领域。
MicroVision, Inc.（NASDAQ: MVIS）宣布MOVIA™ Pro正式开始商业生产并向客户出货传感器，以满足客户需求。MOVIA Pro是该公司下一代短距离激光雷达（lidar）传感器，为MOVIA S的量产版本，集成车载感知功能与多回波（multi-echo）感应，基于集成处理架构，可通过MicroVision的开放软件框架在传感器上直接运行感知软件。公司位于奥兰多的生产设施正在制造MOVIA Pro以满足日益增长的需求；CEO Glen DeVos表示客户正从原型评估转向启动商业项目。该传感器面向智能基础设施、无人机系统、工业自动化（AMR、AGV、叉车辅助驾驶）、安防与国防及部分汽车应用等领域。公告未提及价格或产量数字，原文未说明原因相关的产能限制或中断事项。
一篇2023年10月23日发布的分析文章（注：原文刊载日期为2026年10月23日）指出，出口管制使ASML最先进的EUV光刻机无法进入中国，中国芯片业转而依赖DUV光刻并通过多重曝光生产先进芯片，但代价是更大裸片、更多缺陷、更低良率、更长制造时间和更高成本。Fractilia联合创始人兼CTO Chris Mack称，业内惯常认为193nm浸没式工具三次曝光成本约等于EUV一次曝光，一旦达到四层掩模，EUV就更划算。2023年华为Mate 60 Pro拆解发现其Kirin 9000S由SMIC以无EUV的第二代7nm级工艺制造；对华为Kirin 9030的分析显示SMIC将其基于DUV的工艺进一步逼近5nm级密度，但仍落后于TSMC和三星的领先工艺。摩根士丹利6月报告估计，中国DRAM厂商CXMT每片晶圆产出的比特数仅为西方竞争对手约三分之一，其中旧工艺节点仅占差距约三分之一，光刻设备获取被视作中国存储发展的“硬天花板”。美光1-alpha代芯片在无EUV下开发，被视为DUV可拉伸的例证；其更新的1-gamma DRAM工艺采用EUV，美光称较前代1-beta每片晶圆比特密度提升超过30%。摩根士丹利假设CXMT无EUV将停留在1-alpha工艺，但靠新建产能将其全球DRAM比特供应份额从2026年的14%提升至2028年的16%，并预计中国AI芯片自给率从2025年的42%升至2030年的70%。Mack认为无EUV的3nm或2nm节点在经济上不可行。
半导体晶体管材料与技术授权公司Atomera Inc（美国加州Los Gatos）与英国威尔士加的夫的外延晶圆及衬底制造商IQE plc签署联合开发协议（JDA），旨在将高性能、具成本效益的RF氮化镓（GaN-on-Si）推向量产市场。该协议为联合开发安排，属于计划性质，尚处开发阶段，量产尚待实现。
本文为技术综述（背景类），讨论FinFET结构与垂直GaN在高功率电子（工业、电动车、AI数据中心）功率应用中的角色，未涉及价格或供需变化。要点：FinFET自逻辑转向功率路径，GlobalFoundries等代工厂提供FinFET工艺；Empower Semiconductor（现属Analog Devices）基于超快FinFET功率晶体管开发FinFast平台；Claros（现属Navitas）宣布将在三星美国14nm FinFET工艺上制造其集成稳压器（IVR）。据Empower，其Crescendo IVR瞬态响应较传统方案快约20倍；通过并联最多50个IVR（每个约60A）可向负载供应超过3,000A，电压跌落降低2倍，公司称可使典型AI工作负载的xPU功耗额外降低15%。2026年5月，Analog Devices宣布以15亿美元现金收购Empower Semiconductor的最终协议，交易于2026年7月完成。垂直GaN方面：2024年Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产以开发650V与1,200V垂直导通GaN FET；onsemi推出专有GaN-on-GaN垂直架构（vGaN），称能耗降低近50%，该技术在位于纽约Syracuse的晶圆厂（2024年底从NexGen Power Systems收购）生产；2025年10月，MIT衍生公司Vertical Semiconductor筹集由Playground Global领投的1,100万美元种子轮，基于8英寸晶圆展示100V至1.2kV垂直GaN工艺，并希望年底前推出 fully integrated 产品。原文未说明价格影响或市场供需原因。
周五A股走出深V反弹：上证指数报3690.48点，涨0.89%；深证成指涨2.79%，创业板指涨4.16%，科创综指涨3.68%；全市场超4500只个股上涨，沪深北三市成交19728亿元，较前一日放量4310亿元。早盘银行股上涨、午后转跌；创业板ETF上午一度跌超3%，上午已成交96亿元，下午开盘半小时再成交43亿元，最终收涨4.24%。文章将当日V型归因于三层力量叠加：资金托底、监管表态和AI硬件午间公告。资金方面，股票型ETF自9月28日以来连续净流入，截至10月20日累计净流入达2006.83亿元；10月23日创业板ETF易方达成交197亿元，为上市以来历史第三高，仅次于2024年10月8日和9日。监管方面，10月19日证监会主席吴清在金融街论坛年会部署稳市机制、长周期考核、扩大中长期资金来源，并同意首批18只主动ETF注册。AI硬件方面，10月23日午间中际旭创、新易盛、天孚通信等光模块产业链核心企业齐发公告，均确认在手订单充足、经营正常；其中天孚通信披露2026年上半年营收28.28亿元、净利润12.04亿元，并重申2026年8月限制性股票激励计划设定的考核目标——2027至2029年净利润较2025年分别增长150%、400%和700%。背景数据：三季度科创50单季下跌30.7%，创业板指下跌27.8%，均创单季跌幅纪录；长鑫科技前三季度预计归母净利润1310亿至1325亿元，上年同期为亏损52.8亿元，江波龙、德明利等存储模组企业利润弹性同样巨大；光模块产业链订单能见度延伸到2027年。回购方面，10月1日至15日A股新增回购计划约280家，拟回购金额上限合计约1360亿元；截至10月15日，2026年已有约1850家公司推出回购计划，上限合计约3500亿元，已实施约1340亿元；宁德时代不超过400亿元、美的130亿元、格力100亿元的回购仍在实施。文章同时提示，公告的短期功能是阻断负反馈、中期功能是重设讨论框架，而非确认底部估值，市场能否继续上涨还需看更多利好支撑。
10月23日A股上演深V反转：早盘指数集体下跌，沪指一度跌破3600点，创最近一年新低，最恐慌时下跌股票接近5300只，创业板指盘中一度下跌3%；午后创业板指十几分钟翻红，收盘大涨4.16%，全市场超过4500只股票上涨，全天成交1.97万亿元，比前一天放量约4300亿元。原文说明早间下跌原因为三股压力叠加：一是中东局势紧张，国际油价重新站上每桶110美元，引发对通胀和美联储加息的担忧；二是海外科技股行情分歧加大，前期涨势较猛的AI、算力方向松动，A股半导体、光模块随之补跌；三是市场此前已下跌一个多月，情绪脆弱。转机出现在午间：12点08分开始，光迅科技、新易盛、中际旭创、天孚通信、源杰科技、联讯仪器六家光模块、光通信龙头在半小时内密集发布公告，内容一致为生产经营正常、在手订单充足；其中新易盛拟以8亿至10亿元回购自家股票，回购价不高于每股500元（回购为计划，尚未实施）。资金面上，截至10月22日，宽基ETF已连续6个交易日净流入超百亿，累计净流入约1679亿元，其中10月15日流入446亿元，10月20日、21日小幅加仓，10月22日加至516亿元。作者判断当日反弹由托底资金、消息催化与超跌反弹三股力量共同推动，性质更接近'政策底＋情绪修复'，与2024年9月24日政策组合拳直接点燃的行情不同；并建议后市关注三件事：成交能否维持在1.9万亿元以上、光模块能否带动AI、机器人、半导体扩散行情，以及油价、地缘与美联储等外部变量是否松动。
国家信息化"十五五"规划提出研制高性能人工智能芯片和高可用基础软件栈。该内容为规划层面的方向性表述，原文仅给出这一规划要点，未提供具体项目、时间表、资金安排、责任主体或实施细节，也未说明提出该规划的背景原因。
10月23日，现货黄金一度跌破4000美元/盎司关口。此前金价今年曾突破5000美元/盎司并创历史新高，随后涨势放缓、价格回落。汇丰指出，股市下跌引发的追加保证金压力可能迫使投资者抛售黄金筹集现金，导致金价与股票同步下跌；美债收益率上行、美元走强也对金价构成压制。汇丰资产管理策略师认为，高油价、利率上行及债券收益率飙升正对黄金构成压力，但地缘政治格局碎片化、央行储备多元化等因素仍在支撑黄金需求。汇丰预计，实际收益率高企与美元走强可能令金价短期维持区间震荡，但投资组合多元化需求、央行持续购金及ETF资金流入仍将为金价提供支撑，并预计金价在年底前将进一步上行。汇丰贵金属首席分析师James Steel曾在5月指出，金价在今年1月底触及约5400美元/盎司的高点后回落，部分原因是市场多头头寸过于拥挤、获利了结加剧价格波动。
10月23日消息，酷态科已在京东上架酷态科30号笔记本适配器，该产品带有主动风冷，可为游戏本提供360W输出，定价为499元，将于10月30日晚8点发售。适配器尺寸为84.5 x 85.5 x 36.6 mm，采用5525标准DC接口，附赠20余款转接头以及约0.5m和1.5m长度的编织DC线。官方强调该适配器使用GaN芯片，首发MPS图腾柱无桥PFC架构，通过去除传统PFC电路的二极管整流桥降低导通损耗，整机满载效率达到约96%，整机功率密度提升约109%，内部风扇最高转速可达13300 RPM。
英飞凌(Infineon)与英伟达(NVIDIA)正扩大双方在面向800V直流AI数据中心的氮化镓(GaN)功率解决方案上的合作，为1 MW以上机架铺平道路；据消息，NVIDIA的目标是从2027年开始采用该方案。该消息为合作扩大的报道，不涉及具体价格变动或产能数据。
KT Cloud于10月22日表示，其在京畿道安山市动工建设一座公司自有的50兆瓦(MW)AI数据中心(Ansan AI Data Center)。该建筑总建筑面积约36,878平方米，含地下两层、地上九层，总引入电力容量为50MW，计划于2029年竣工。该项目是KT Cloud到2031年 securing 1吉瓦(GW)AI数据中心容量长期战略的一部分，将为高发热AI服务器新增容量，延续其2025年启用的Gasan AI数据中心之后的建设。设施将配备面向高密度AI服务器的电力与冷却基础设施，所有机房均按液冷设计，建筑结构采用高负载设计以容纳包括Nvidia下一代Vera Rubin GPU在内的先进设备。KT Cloud还将引入自然冷却(free-cooling)系统，在春秋冬室外温度较低时利用自然气流降低冷却塔风机与冷水机电耗。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |