光子集成公司Photon Bridge筹资€10m，以应对AI基础设施中激光器生产的新瓶颈
总部位于荷兰埃因霍温的光子集成公司Photon Bridge已筹集1000万欧元，用于解决AI基础设施中新出现的瓶颈问题，即生产连接日益庞大的AI处理器集群所需的数百万个激光器。原文未说明具体投资方或资金用途的进一步细节。
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总部位于荷兰埃因霍温的光子集成公司Photon Bridge已筹集1000万欧元，用于解决AI基础设施中新出现的瓶颈问题，即生产连接日益庞大的AI处理器集群所需的数百万个激光器。原文未说明具体投资方或资金用途的进一步细节。
苹果于2026年10月21日宣布扩大其美国制造计划：Qnity Electronics（总部位于特拉华州，2026年3月加入该计划）将在美国为iPhone 18 Pro主摄像头的可变光圈生产先进薄膜；苹果还与宾夕法尼亚州的Perryman Company签署协议，为可折叠iPhone Duo供应钛材，承诺三年内金额最高达1亿美元。据苹果称，其最新iPhone中近100个零部件来自美国公司，iPhone Duo和iPhone 18 Pro的美国产零部件供应商分布在超过十二个州。其中：Broadcom在科罗拉多州Fort Collins工厂正在扩建和现代化，投资15亿美元（2026年7月宣布），多年协议覆盖超过150亿颗美国制造芯片；Corning位于肯塔基州Harrodsburg的工厂到2026年底将生产全球销售的iPhone和Apple Watch的全部盖板玻璃；Coherent从得克萨斯州Sherman工厂供应Face ID用VCSEL激光器；TSMC亚利桑那州晶圆厂预计2026年为苹果生产超过1亿颗芯片，北园区建设正在进行中；Amkor于2025年9月在亚利桑那州Peoria为其首个大批量封装测试厂动工，今年开始建设厂房外壳，苹果将是其首批客户之一，前两期预计雇用超过3,500人。苹果还在休斯敦开设了先进制造中心，并将在这座同样组装AI服务器的工厂于今年开始制造Mac mini。该计划是苹果对美国的6,000亿美元、四年期制造与创新承诺的一部分。
总部位于瑞典Kista的Sivers Semiconductors AB（该公司供应用于AI数据中心、SATCOM、国防和电信应用的RF波束成形IC和激光器）表示，其战略LiDAR客户已为汽车和工业传感客户启动生产订单。原文未说明启动订单的具体原因或订单数量。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
Nvidia在10月13日于旧金山举行的SEMICON West 2026上发布下一代共封装光学（CPO）技术——光学引擎置于转接板上（optics-on-interposer，OOI）。该技术将光学引擎从有机封装基板移到承载计算芯片的转接板上，通过消除电气信号路径中的有机基板来提高带宽密度并降低功耗，Nvidia称已开发出原型。Nvidia首席研究员Nikola Nedovic进行了该研究的报告。Nvidia还发布了DWDM技术，演示了8个波长、每波长32Gb/s、单光纤256Gb/s的传输。两项技术均仍处于研究阶段，Nedovic表示正在为未来产品提出并评估技术，同时解决阻碍商业化的挑战。Nvidia已量产部署CPO产品Quantum-X Photonics和Spectrum-X Photonics：Quantum-X用于连接Blackwell Ultra-based GB300 NVL72机架的InfiniBand网络，Spectrum-X部署于Vera Rubin平台的以太网交换机。Nvidia还建立了CPO制造生态：TSMC提供COUPE硅光子封装技术并与SPIL共同代工，Coherent、Lumentum、Sumitomo Electric制造外置光源模块，Corning、Senko、Browave、TFC供应光纤及相关组件，Foxconn和Fabrinet负责散热与最终测试。
Lumentum、Astera Labs和Corning在OCP峰会演示1060nm VCSEL光互联技术，专为AI机架级架构设计。该技术结合了Astera Labs的智能交换机和Corning的多模光纤。
新光互连技术验证将推动未来AI服务器对高速光模块的需求。
2026年10月13日报道， Vital Technology Group 的子公司 Vital Core Optoelectronic Technology (Wuhan) Co., Ltd. 在武汉东湖自由贸易区于9月28日正式投产其晶圆制造厂（fab），该厂是其CNY 12亿高端复合半导体材料和芯片产业化基地的制造核心，配备支持4/6英寸InP和6/8英寸GaAs的大面积光电芯片平台。此外，本月公司与Smarter Microelectronics签署战略合作协议，并与子公司联合获得海外客户的下一代单波长400G光互连预研订单。
Lumentum表示，用于AI数据中心光学的磷化铟（InP）激光器短缺正在延长而非缓解，其产能已被预订至2029年初，且其最大客户开始分担新建产能的资金风险。原文指出，这反映了AI网络在少数激光芯片制造商处的瓶颈，这些厂商的新增产能需要数年时间才能上线。扩产属于计划性质，原文未给出具体产能数字或日期（除'2029年初'外）。
Hyper-NA EUV 可能在2036年准备好，这是基于ASML和蔡司工程师在2026年10月报告的大约十年发展前景。目前尚未宣布固定的出货时间表，ASML已开始研发但未承诺生产该机器。
JEDEC发布首个硅光可靠性标准JESD264，规范调制器与波导测试。该标准填补光学测试空白，解决多芯片模块的热应力与对准问题。
（技术标准化推动行业应用，短期供需无显著变化）。
Altman支持的初创公司Volantis计划利用光子中介层将AI加速器内存带宽提升至240 TB/s，容量达10 TB。该技术通过光波导替代电气互连，突破传统GPU受限于芯片边缘的容量瓶颈。
技术概念，短期无供需影响。
Raysolve、Starksemi及LEKIN在CIOE 2026展示雷射微显示光互连方案，Starksemi出货样品且带宽达2.5GHz。随着AI算力需求激增，该技术正从概念验证转向商用部署。
该技术商业化进程对GaN-on-Si及光模块产业链的潜在需求拉动。
马维尔与格罗方德宣布扩大合作，在佛蒙特州工厂扩产硅锗（SiGe）以支持1.6Tbps光模块。随着AI算力需求激增，铜缆传输距离受限，硅锗技术成为高速光通信的关键，英伟达等厂商已开始采用CPO技术。
该扩产计划旨在缓解AI数据中心对高速光模块的供应紧张，预计将提振SiGe及光通信板块需求。
台湾光通信供应链需求从可插拔收发器扩展至CW激光器、FAU及CPO，传输速率迈向3.2T。该趋势标志着AI基础设施周期进入关键阶段。
未来高端光模块及激光器供应趋紧。
双通道数字电位器U2支持256步分辨率及多种编程模式。通过开关S1和S2的组合，电路可实现通道独立、并联或锁定功能。
该设计仅提供电路灵活性，不涉及供需或价格变动。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Sivers与SemiNex签署340万美元InP光源项目，聚焦AI数据中心互连用高功率外腔激光器及DFB阵列。
验证AI光互连需求，推动InP激光器及CPO产业链扩产预期。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |