英特尔宣称其为业内唯一可规模供应12英寸InP硅光子晶圆的高产量代工厂,共封装光学临近部署
英特尔在2026年开放计算项目(OCP)全球峰会上宣称,其代工业务是行业内唯一能够规模化向业界提供12英寸磷化铟(InP)硅光子(SiPh)晶圆的高产量代工厂,并称自己是AI数据中心光学器件光源的供应商。该说法为英特尔一方的宣称,文中未附独立验证;同期共封装光学(CPO)临近部署。
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英特尔在2026年开放计算项目(OCP)全球峰会上宣称,其代工业务是行业内唯一能够规模化向业界提供12英寸磷化铟(InP)硅光子(SiPh)晶圆的高产量代工厂,并称自己是AI数据中心光学器件光源的供应商。该说法为英特尔一方的宣称,文中未附独立验证;同期共封装光学(CPO)临近部署。
英特尔宣称自己是唯一具备大规模供应300mm InP硅光子能力的代工厂，此为英特尔单方面的宣称，文中未提供独立验证。原文称英特尔正在扩展其硅光子能力，背景是AI和高性能计算领域对高带宽光互连的需求增长。文中提及NVIDIA、博通和TSMC正在推动CPO商业化，并提问这可能是否会给英特尔（Team Blue）带来竞争优势，属于推测性表述而非已证实的结果。
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
Keysight Technologies Inc(美国加州Santa Rosa,通过其英国Winnersh办公室)与格拉斯哥大学、英国Teddington的国家物理实验室(NPL)以及总部位于台湾的MPI Corp合作,开发了一种针对下一代亚太赫兹(sub-THz)半导体器件的宽带表征新方法。这些机构共同演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)在单次扫描中从近直流到250GHz的连续在片表征,简化了先进半导体研发中的宽带测量。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
SEMI Americas总裁Joe Stockunas于10月15日在SEMICON West 2026上表示，希望将晶圆厂建设的投资税收抵免扩展到供应商基础设施，并正在努力实现这一目标。他指出，自CHIPS法案以来，已宣布的投资超过8000亿美元，凤凰城已有3300亿美元的投资。
台湾亚芯(TASC)受惠于感测芯片的季节性需求以及美国和欧洲主要品牌的新款可穿戴设备发布。AI服务器扩张也提升了其被动元件与保护元件的订单。该公司的磷化铟(InP)光通信芯片已进入客户验证阶段。TASC对2027年保持谨慎乐观。原标题另指出其血糖传感器接近量产。
云南锗业在回答投资者提问时表示，其控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司的磷化铟晶片（衬底）已批量生产多年，并保持稳定供货；当前磷化铟晶片市场需求旺盛，公司在手订单充足，订单规格涵盖2—6英寸，客户涵盖国内外下游知名厂商。
Vital科技武汉投建120亿InP/GaAs产线，涵盖4/6英寸InP及6/8英寸GaAs平台。该项目聚焦光电子芯片制造，旨在提升特定化合物半导体产能。
产能扩张预期将增加供应，对InP及GaAs价格构成下行压力。
2026年10月13日报道， Vital Technology Group 的子公司 Vital Core Optoelectronic Technology (Wuhan) Co., Ltd. 在武汉东湖自由贸易区于9月28日正式投产其晶圆制造厂（fab），该厂是其CNY 12亿高端复合半导体材料和芯片产业化基地的制造核心，配备支持4/6英寸InP和6/8英寸GaAs的大面积光电芯片平台。此外，本月公司与Smarter Microelectronics签署战略合作协议，并与子公司联合获得海外客户的下一代单波长400G光互连预研订单。
Keysight Technologies、格拉斯哥大学、英国国家物理实验室（NPL）与MPI Corporation共同开发了一种针对下一代亚太赫兹（sub-THz）半导体器件的宽带表征新方法。四家机构联合演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管（InP HEMT）从近DC到250 GHz的单次扫频连续在片表征，简化了先进半导体研究与设计中的宽带测量。该方案整合了Keysight的PNA-X矢量网络分析仪、单次扫频250 GHz频率扩展器和精密源/测量单元（SMU）、格拉斯哥大学的InP HEMT器件与在片校准标准件、MPI Corporation的宽带在片探针技术与校准软件，以及NPL的高频计量与校准方法，实现了单次探针触点下从近DC到250 GHz的连续测量，免去了多次更换设置的需求，并通过内置源滤波与宽带源功率校准保障探针尖处毫米波信号的纯度。这是测量技术层面的合作演示，属于研究与设计背景信息，与价格、产能或政策无关。
Lumentum表示，用于AI数据中心光学的磷化铟（InP）激光器短缺正在延长而非缓解，其产能已被预订至2029年初，且其最大客户开始分担新建产能的资金风险。原文指出，这反映了AI网络在少数激光芯片制造商处的瓶颈，这些厂商的新增产能需要数年时间才能上线。扩产属于计划性质，原文未给出具体产能数字或日期（除'2029年初'外）。
光智科技在互动平台表示，其磷化铟衬底业务下游客户为国内外光通信芯片及器件厂商，截至目前已实现批量交付；国内客户覆盖头部光芯片企业，海外已向光通信龙头批量出货，其中6英寸磷化铟衬底已获得某全球头部客户订单。
行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效，工程师需重新设计信号路径。
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
ClassOne Technology获多家光子制造商追加订单，采购Solstice S8湿法处理系统。该系统配备GoldPro电镀腔体，用于4英寸及6英寸InP晶圆的高通量金电镀，服务于AI数据中心及高速通信。
订单增加预示InP晶圆产能扩张，利好光通信产业链。
光智科技2026年半年报营收增16.97%至11.93亿元，扣非净利润同比大增181.65%。公司通过并购先锐科技及拓展器件业务，从单一材料供应商向“影像、传感、链接”综合光电平台转型。
器件占比提升打开毛利率提升空间，磷化铟第二曲线启动。
住友化学开始量产4英寸InP外延片，用于AI数据中心光电器件。随着AI算力需求激增，该材料旨在缓解全球AI基础设施的功耗与数据瓶颈。
新增产能投放可能缓解供应紧张，对InP外延片价格构成下行压力。
住友化学建立4英寸InP外延片生产线并开始销售，武汉天源通过收购中讯60%股份进入InP衬底领域。InP在AI数据中心光学领域需求旺盛。
新增产能将缓解供应紧张，压制价格涨幅。
TCL CSOT加码InP激光芯片应对供应紧张。Lumentum CEO Michael Hurlston指出，InP供需失衡比DRAM和NAND更严重，成为AI数据中心光互连的瓶颈。
InP供应紧张加剧，价格上行压力显著。