FinFET与垂直GaN功率应用综述:ADI以15亿美元收购Empower于2026年7月完成,onsemi推出GaN-on-GaN垂直架构vGaN
本文为技术综述(背景类),讨论FinFET结构与垂直GaN在高功率电子(工业、电动车、AI数据中心)功率应用中的角色,未涉及价格或供需变化。要点:FinFET自逻辑转向功率路径,GlobalFoundries等代工厂提供FinFET工艺;Empower Semiconductor(现属Analog Devices)基于超快FinFET功率晶体管开发FinFast平台;Claros(现属Navitas)宣布将在三星美国14nm FinFET工艺上制造其集成稳压器(IVR)。据Empower,其Crescendo IVR瞬态响应较传统方案快约20倍;通过并联最多50个IVR(每个约60A)可向负载供应超过3,000A,电压跌落降低2倍,公司称可使典型AI工作负载的xPU功耗额外降低15%。2026年5月,Analog Devices宣布以15亿美元现金收购Empower Semiconductor的最终协议,交易于2026年7月完成。垂直GaN方面:2024年Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产以开发650V与1,200V垂直导通GaN FET;onsemi推出专有GaN-on-GaN垂直架构(vGaN),称能耗降低近50%,该技术在位于纽约Syracuse的晶圆厂(2024年底从NexGen Power Systems收购)生产;2025年10月,MIT衍生公司Vertical Semiconductor筹集由Playground Global领投的1,100万美元种子轮,基于8英寸晶圆展示100V至1.2kV垂直GaN工艺,并希望年底前推出 fully integrated 产品。原文未说明价格影响或市场供需原因。
- 相关厂商
- Analog Devices、Empower Semiconductor、Navitas、Samsung Foundry、GlobalFoundries、onsemi、Power Integrations、Odyssey Semiconductor Technologies、Vertical Semiconductor、NexGen Power Systems
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