韩日提出垂直DRAM架构，互连提升4倍
韩日研究人员提出V-Die与MOSAIC架构，将DRAM垂直放置以解决HBM散热问题。V-Die通过液冷将互连提升4倍并降低37%延迟，MOSAIC则利用感应耦合提升30%容量与3倍热导率。
中性
该技术目前仍处于原型阶段，对现货价格无直接影响。
- 相关厂商
- SK hynix、Samsung Electronics、Micron、UNIST、University of Tokyo
- 影响评分
- 10 / 100，低影响
韩日研究人员提出V-Die与MOSAIC架构，将DRAM垂直放置以解决HBM散热问题。V-Die通过液冷将互连提升4倍并降低37%延迟，MOSAIC则利用感应耦合提升30%容量与3倍热导率。
该技术目前仍处于原型阶段，对现货价格无直接影响。
三星和SK海力士开发HPB及iHBM架构以解决HBM散热问题，预计HBM4e验证、HBM5量产。
技术路线图调整，短期供需无实质影响。
三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机，并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈，三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。
属于长期技术路线图确认，对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
SK海力士为HBM5开发iHBM方案，将热阻降低30%。此举旨在解决高带宽存储芯片的散热瓶颈，提升封装性能。
HBM供需格局，维持高景气度。
SK海力士推出iHBM散热方案，将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件，解决高功率密度下的散热瓶颈，并利用MR-MUF技术实现量产。
HBM需求及价格，提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
SK海力士推出集成散热元件的iHBM方案，将HBM5热阻降低30%。该技术通过在HBM与GPU间直接集成ICE，利用WLP和MR-MUF工艺解决高堆叠散热难题。
此举有望提升HBM5在AI数据中心的应用稳定性，强化SK海力士在高性能计算芯片领域的竞争优势。
已经到底了