据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
阿贡国家实验室与伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的研究人员发表了一篇题为《Agentic AI for Heterogeneous System Design Across Chip, Scale-Up, and Scale-Out Domains》的技术论文。摘要节选指出，现代AI/HPC系统的设计空间已在计算架构（包括GPU、数据流处理器和RISC-V加速器）以及内存技术（包括HBM、GDDR等）方面快速扩展。该文探讨跨芯片、scale-up与scale-out领域的异构系统设计，属于研究发布，不涉及具体价格、产能或供需变化。
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%，2028年进一步提升87.5%，扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施，此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下，长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域，新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场，以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求，且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求，给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容，能否按计划完成尚不确定；分析人士指出若按计划完成扩产，长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
TrendForce集邦咨询表示，2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价将季增10%-15%；NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出，第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日，长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告：预计收入2650亿元至2700亿元，同比增加2329.16亿元至2379.16亿元；归母净利润1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元（同比增长873.64%）、净利润776.05亿元，由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元（环比增长约15.25%至20.3%）、净利润约533.95亿至548.95亿元（环比增长约1%至3.9%），相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓；江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面，长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片，并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线；北京晶圆厂运营主体长鑫集电（北京）存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿，增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市，募资净额663.1亿元投向技改升级项目（非新建产能）；2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元，占期末资产总额38.79%，计提折旧145.10亿元，同比增加27.85%。文章分析称，若DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
韩国企划财政部部长李炯日近日在曼谷出席IMF与世界银行年会期间接受采访时表示，全球半导体市场强劲增长势头至少延续至2027年，理由是半导体供需缺口仍然巨大且供给端仍在持续扩张。韩国《每日经济》专栏则援引首尔大学教授黄哲成的判断称，2028年之前是安全区，2029年起新建产能将集中释放，存储市场将转为红海，到2030年超级周期可能结束、产业进入下行阶段；专栏列出的风险包括AI投资速度调整、美国长期国债收益率逼近6%，以及中国长鑫存储与韩国的技术差距已缩小至1至2年。特斯拉CEO马斯克在X平台回应称中国将在2028年大量生产RAM。文中提到存储产能从投资到量产通常有2至3年滞后期，两种时间表可以同时成立。目前三星2026年产能扩张约50%，SK海力士基础设施投资增至原计划4倍；SK海力士2026年第二季度营业利润同比增长557.2%，管理层重申需求到2030年都将超过供给；TrendForce集邦咨询预测2027年HBM价格将较2026年上涨121%，全球存储市场规模有望突破1.28万亿美元。以上均为预测或报道观点，非已实现结果。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
据 TrendForce 于2026年10月19日发布的报道（'reportedly'，属未经证实的传闻），英伟达据报道希望三星、SK海力士和美光为NVHBM向台积电采购基底晶粒（base dies）；标题称其想要台积电的3nm基底晶粒。与此同时，据报道三星正测试其自家2nm工艺作为备选方案。文中以问句提及三星是否放弃自有代工业务并回答'Not quite'，即并非放弃。原文未说明原因。该消息为传闻性质的意向报道，并非已确认实施的采购变更。
韩国半导体设备制造商Hanmi Semiconductor在SEDEX 2026展会上展示了其高带宽内存（HBM）和AI芯片封装设备，包括用于HBM4生产的TC Bonder 4，以及计划于2027年推出的Wide TC Bonder（原文仅表述为计划，未说明已实现）。公司还推出了五款2.5D封装系统，旨在适应日益增大的AI芯片封装。
据快科技10月19日报道，美光正在推进面向物理AI的专用存储芯片——边缘推理内存（Edge Inference Memory，EIM）的研发。美光高管表示，自动驾驶、人形机器人、增强现实与虚拟现实等物理AI市场正在迅速崛起，公司正与核心客户沟通共同推进适配产品研发。EIM的架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），与存内计算（PIM）属于不同概念，EIM的具体计算架构目前尚未公开；EIM介于AI处理器与内存之间，主要用于降低数据处理延迟并提高系统带宽。美光尚未披露具体目标性能指标，正在推进将EIM集成至LPDDR6方案的技术研发，业内预计其量产时间将在2028年下半年（为业内预计，非美光官方确认）。现阶段人形机器人主要采用LPDDR等低功耗内存而非HBM；美光表示目前机器人AI模型参数量多在十亿至二十亿左右，对内存带宽需求有限，随着更强的视觉语言模型引入，仅凭LPDDR将难以为继，必然会向HBM架构演进。原文未说明价格或供给影响。
据《首尔经济日报》10月18日援引业内消息人士的报道，三星电子在内部评估后已同意使用台积电3nm工艺为NVHBM（英伟达下一代定制HBM）生产基底裸片（base die）。报道称，这将是两家公司首次在HBM制造阶段展开合作。报道指出，英伟达的定制内存设计正在将HBM制造的部分控制权从内存厂商转移至其最大客户，并将其中一部分工作导向台积电。该内容为媒体报道，援引业内消息人士，合作实际落地情况有待确认。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
据报道，内存价格上涨与供应趋紧正促使部分中国智能手机厂商转向回收（翻新）内存芯片。据TechNews，部分品牌据称通过深圳华强北电子市场的贸易商采购从废弃手机（可能包括二手iPhone）中回收的内存芯片。消息称内存采购成本大增，部分芯片每颗据报上涨最高人民币500元；另有传言称深圳地方政府向手机品牌提供每部约人民币300元的补贴，厂商需自行消化约人民币200元；由于无法完全转嫁成本，部分品牌据报正削减产量和销量以控制损失。TechNews指出，上述涨价、补贴及使用翻新芯片的情况尚未获中国官方或相关企业证实；且此类芯片主要局限于超低成本无品牌手机，不太可能进入旗舰机供应链。背景方面：TrendForce称AI服务器需求持续挤压DRAM供应，短缺与涨价预计持续至2027年；TrendForce预测2026年全球智能手机产量将同比下降14%至约10.7亿部（该预测因提前采购及部分恢复生产而上调）。财经4月调查显示，山东一回收商3月收购约1000部废弃手机、拆解逾600部以备芯片转售，部分无法开机的设备据报可卖逾人民币100元；部分回收商偏好OPPO、vivo、华为的Android手机，而消息人士称华强北贸易商主要收购二手iPhone。STAR Market Daily 9月调查显示翻新芯片可用于汽车配件、物联网设备及海外翻新手机等低端应用，但分析师提醒其存在良率损失与兼容性风险，且若大厂调整生产，回收溢价可能迅速消失。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
10月6日，由于担忧ASML可能进入混合键合设备市场以及HBM相关设备需求延后，美国银行下调了荷兰封装设备厂商Besi的投资评级，当日Besi股价下跌5.39%；次日瑞银进一步下调评级，Besi股价再跌8.49%，短短两个交易日累计下挫约13.4%。ASML早在2025年就已交付面向先进封装的TWINSCAN XT:260光刻系统，今年又传出研发混合键合设备的消息，并与Prodrive Technologies、VDL ETG等长期供应商进行合作接洽；2026年5月15日公布的国际专利WO2026098870A1《Bonding Apparatus》申请人为ASML Netherlands BV，但ASML尚未公开确认其混合键合设备的商业交付时间、客户认证进度或量产性能。10月1日，应用材料与Besi升级合作，Besi将成为应用材料位于硅谷的EPIC研发中心创新合作伙伴，该中心规划投资规模最高约50亿美元，投资将随客户项目推进逐步展开；五天后应用材料又宣布与英特尔深化合作，研发范围覆盖下一代晶体管、片上互连以及Foveros 3D先进封装。2026年3月，路透社援引知情人士报道称Besi因混合键合技术受到潜在收购方关注，Lam Research和应用材料均在相关名单中，但截至目前公开报道并未证实相关收购交易最终达成。此外，2026年5月Imec与EV Group宣布在晶圆到晶圆混合键合研究中实现200nm铜互连间距，300mm晶圆上所有测试芯片键合后铜焊盘叠对偏差低于40nm。大规模混合键合设备订单真正释放的时间仍受下游技术路线与量产进度制约。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |