GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布的《2026-2032全球与中国无源光纤网络分接头市场现状及未来发展趋势》报告称，2025年全球无源光纤网络分接头市场销售额达到0.8亿美元（80.4百万美元），2026年全球市场规模为84.95百万美元，预计2032年将达到1.23亿美元（123百万美元），2026-2032年预测期复合年增长率（CAGR）为6.3%，以上均为该机构的统计及预测数据，非已实现结果。报告覆盖产能、产量、销量、销售额、价格等指标，主要产品类别为单光纤分接头和双光纤分接头，主要应用领域为单模光纤、多模光纤及其他，报告调研企业名单包括Network Critical、Keysight、Garland Technology、Cubro、Approved Networks、M2 Optics、Gigamon、APCON、Profitap、Niagara Networks。原文未说明原因。
TrendForce最新报告《2027红外感测与光通讯市场趋势》显示，数据中心网络扩张带来的数据传输需求快速增长，提升了业界对基于VCSEL的近封装光学(NPO)技术的兴趣。该技术因低功耗、易于维护和成熟的供应链而受到青睐。Lumentum、古河电工、Coherent、博通、ams OSRAM和海思等六家领先光元件厂商正在该领域投入大量研发资源。
据DIGITIMES独家专访，蔡司半导体制造光学（SMO）总裁Christoph Hensche表示High-NA EUV已准备好进入量产，订单已排至2027年。报道指出，AI芯片需求激增延长了蔡司（EUV光刻光学关键供应商）的订单能见度，2026年和2027年的需求已经明确，蔡司及其他部分制造商未来数年的产能已被全部订满。
友达（AUO）董事长兼CEO彭双浪表示，公司将以人工智能、多元化及集团内合作为增长定位；在显示业务迈入30周年之际，公司将在三大既有业务基础上，寻求通过技术与合作伙伴关系打造第四和第五增长支柱，方向包括共同封装光学（co-packaged optics）与玻璃核心基板（glass core substrates）。此为公司的规划方向，原文未说明具体投资规模或时间表，也未说明原因。
华泰证券发布A股策略观点称，宽基ETF放量为低位指数提供托底，但历史上此类放量更可能是左侧信号，建议防守为主，并在三季报中寻找盈利环比加速的板块。该策略指出上周A股先跌后稳、整体缩量，AI硬件领跌；AI链回调是全球现象，AI业绩弹性与融资可持续性受质疑；避险情绪仍强，食饮、银行逆势收涨；三季报披露尚早，但市场对单季盈利环比加速的个股定价偏积极，可作为短期交易线索。配置上，建议保持低波红利等防御底仓；AI链关注PCB环节及光器件、半导体设备中的个股，AI链外关注通用及专用设备、风电与电网设备、航运、玻纤化纤、医疗服务等板块。本条为券商策略观点，非价格变动或供给事件。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
SEMI Americas总裁Joe Stockunas于10月15日在SEMICON West 2026上表示，希望将晶圆厂建设的投资税收抵免扩展到供应商基础设施，并正在努力实现这一目标。他指出，自CHIPS法案以来，已宣布的投资超过8000亿美元，凤凰城已有3300亿美元的投资。
贝哲斯咨询发布的宽离子束技术市场研究报告（2026版）显示，2025年中国宽离子束技术市场规模达15.53亿元（人民币），全球宽离子束技术市场规模达53.3亿元。报告预测到2032年全球宽离子束技术市场容量将达78.52亿元，此为报告预测而非已实现结果。报告按种类将宽离子束技术细分为薄膜沉积、红外传感器、光学多层、多层膜沉积，按最终用途应用于光电子学、记忆体、电子产品、存储设备、半导体、感测器、光学、微机电系统等领域。报告列出的中国宽离子束技术市场主要企业包括Meyer Burger Technology AG、Plasma-Therm、Raith GmbH、Hitachi High-Technologies Corporation、Veeco Instruments、Oxford Instruments，并分析主要企业排行、市场占有率及经营概况。出版商为湖南贝哲斯信息咨询有限公司。原文未说明原因，本条为行业报告类背景信息，未涉及具体价格变动、产能调整或政策事件。
中国初创公司Langdao Silex展示开发出首款国产极紫外光刻(EUV)激光光源,逐步为中国的完整供应链自主铺路。该系统名为FlintNano LPP-OXXO,据报道EUV输出功率超过15 W,所用零部件约90%为国产或自主开发。该系统采用激光等离子体(LPP)技术,即用高功率激光产生等离子体并产生先进芯片制造所需的EUV辐射,与ASML使用的工艺类似。据Langdao Silex公布的规格,FlintNano系统采用1,000 W驱动激光器,重复频率介于1至20 kHz之间;转换效率超过2%,公司声称设备可连续运行超过100小时。据称原型机适合用于晶圆曝光测试,但仍需进一步调试。背景方面,在美国政府施压荷兰政府停止销售这些先进工具后,EUV光刻设备被禁止在中国销售;ASML从未向中国交付过任何一台EUV扫描仪,荷兰政府在美国压力下于2019年实施出口封锁,尚无任何一套系统部署,但ASML继续向中国客户出货DUV系统。更重要的是,开发光源只是构建完整EUV扫描仪的一部分,此类系统还需要极其精密的反射光学器件、复杂的晶圆定位机构以及众多子系统的复杂集成。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
新加坡半导体光学公司MetaOptics宣布成立其全资马来西亚子公司MetaOptics Technologies Sdn. Bhd.，旨在推进下一代光学技术，并加强与马来西亚在半导体制造、集成光子学和纳米光子学领域供应链伙伴的跨境合作。该公司表示，这将支持其向全球客户交付超构透镜（metalens）解决方案的全球战略。在新设施中，量产与制造、批量组装与测试将邻近布局，从而缩短开发周期、提高生产良率，并加快从原型设计到商业化规模量产的进程。执行主席Thng Chong Kim表示，马来西亚拥有成熟的半导体基础、深厚的工艺工程人才储备，以及贴近客户与供应商的优势；该子公司的设立将使其能够在马来西亚建立制造、组装和测试能力，以服务该地区不断增长的金属透镜产业。原文未说明该计划的具体时间表。
NVIDIA在SEMICON West 2026上由Nikola Nedovic介绍了Optics on Interposer（OOI）技术，该技术将光引擎从封装基板转移到中介层（interposer）上，据称可提高带宽密度并降低功耗。NVIDIA表示目前已存在一个原型。此为技术演示与原型阶段的信息，原文未说明量产时间表或其他落地条件。
快科技10月16日消息，《时代》杂志当天正式公布2026年度最佳发明榜单，苹果史上首款折叠屏手机iPhone Duo成功入选。据《时代》梳理，入选依托四项工程突破：基于自研芯片的全新显示引擎可同时驱动内屏与外屏；为折叠形态重新设计的iOS交互，控件移至更靠近拇指的右侧；内屏采用定制聚合物纳米纹理表层以减少眩光并淡化折痕；机身框架与铰链护壳采用5级钛金属。《时代》特别提到，铰链由100多个微型精密组件与碳纤维支撑板构成，可在展开时为屏幕中央提供平整支撑，早期体验者几乎察觉不到明显折痕。iPhone Duo采用内折设计，展开为7.6英寸超视网膜XDR内屏，显示面积较iPhone 18 Pro Max增大50%，闭合为5.4英寸外屏，面积约相当于iPhone 18 Pro的90%，均支持ProMotion自适应刷新率、全天候显示与最高3000尼特户外峰值亮度；身份验证为侧边按钮内整合的触控ID，内屏下方隐藏FaceTime摄像头。文中还提到，特努斯早在2011年便与其他五名苹果工程师提交过折叠电子设备专利申请，苹果此后选择观望先行厂商方案直到材料与铰链方案成熟。原文未说明该入选事件对供应链或价格的影响。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。