TEL 于10月30日发布2027财年（2026年4月1日～2027年3月31日）半年度（2026年4月1日～2026年9月30日）业绩：营业总收入1.67万亿日元，同比增长41.3%；营业利润5067.76亿日元，同比增长67.2%；归母净利润3769.29亿日元，同比增长56.0%；经营现金流4699.34亿日元，同比增长87.3%；基本每股收益166.13日元，稀释每股收益165.59日元，同比均增长57.5%。TEL预计其2027财年营收可达3.7万亿日元，同比增长51.4%；归母净利润8650亿日元，同比增长50.6%；基本每股收益381.69日元（此为预期而非实际结果）。关于业绩增长的主要驱动力，TEL在2027财年第一财季（2026年4月至6月）报告中曾表示，增长主要受益于AI服务器带动的半导体设备需求激增，其中AI相关设备收入占比约三成。
10月22日周四，美股AI交易大幅回调，芯片设计、制造、设备和存储股全线承压：周三反弹约2%的费城半导体指数（SOX）和半导体行业ETF SOXX周四早盘曾集体跌超6%；个股中英伟达一度跌超4%，AMD跌约8%，Lam Research跌超10%，科磊跌超9%，应用材料曾跌约7.5%；存储芯片股中SK海力士美股一度跌超6%、闪迪跌近7%、美光跌4.6%、西部数据跌超7%、希捷跌近9%；光通信及AI基础设施股方面，Credo一度跌近10%、Coherent跌超10%、Lumentum跌10%、康宁跌超8%、CoreWeave一度跌近9%、戴尔跌近8%。原文说明的下跌原因包括：市场转向审视AI巨额资本开支能否兑现回报——Meta第三季度营收同比增长26%至646亿美元、每股收益3.83美元均超预期，但公司将2026年资本开支指引上调至1350亿至1450亿美元（此前指引下限从1300亿美元提高），并披露包含租赁、算力交易和能源协议等的未来支出承诺升至8250亿美元，其五年期CDS价格盘中一度上升约8.9个基点至119.3个基点附近、创历史新高，Meta盘中一度跌超7%；Lam Research公布季度业绩后早盘一度跌超10%，管理层表示如果没有近期的供应限制，业绩指引本可以更高，供应约束引发市场对半导体设备企业增长兑现节奏的担忧；此外沙特遭致命袭击推动布伦特原油涨破110美元/桶（媒体指升破111美元/桶），通胀与避险压力加剧，资金转向美国国债。原文指出供应限制并不等于AI芯片需求已经转弱。
10月6日，由于担忧ASML可能进入混合键合设备市场以及HBM相关设备需求延后，美国银行下调了荷兰封装设备厂商Besi的投资评级，当日Besi股价下跌5.39%；次日瑞银进一步下调评级，Besi股价再跌8.49%，短短两个交易日累计下挫约13.4%。ASML早在2025年就已交付面向先进封装的TWINSCAN XT:260光刻系统，今年又传出研发混合键合设备的消息，并与Prodrive Technologies、VDL ETG等长期供应商进行合作接洽；2026年5月15日公布的国际专利WO2026098870A1《Bonding Apparatus》申请人为ASML Netherlands BV，但ASML尚未公开确认其混合键合设备的商业交付时间、客户认证进度或量产性能。10月1日，应用材料与Besi升级合作，Besi将成为应用材料位于硅谷的EPIC研发中心创新合作伙伴，该中心规划投资规模最高约50亿美元，投资将随客户项目推进逐步展开；五天后应用材料又宣布与英特尔深化合作，研发范围覆盖下一代晶体管、片上互连以及Foveros 3D先进封装。2026年3月，路透社援引知情人士报道称Besi因混合键合技术受到潜在收购方关注，Lam Research和应用材料均在相关名单中，但截至目前公开报道并未证实相关收购交易最终达成。此外，2026年5月Imec与EV Group宣布在晶圆到晶圆混合键合研究中实现200nm铜互连间距，300mm晶圆上所有测试芯片键合后铜焊盘叠对偏差低于40nm。大规模混合键合设备订单真正释放的时间仍受下游技术路线与量产进度制约。
本周市场质疑人工智能投资回报前景，费城半导体指数本周累跌11.4%，过去八个交易日累计下跌逾13%，创2008年金融危机以来最长连跌纪录，这也是该指数今年内第五次出现至少10%的回调；据Stocktwits，半导体股票市值过去八连跌已蒸发约2万亿美元，若以各股较自身52周高点的跌幅计算，整个半导体板块损失市值约达4万亿美元，但费城半导体指数年内至今仍累涨约60%。个股方面：英伟达单周下挫超6%，应用材料和科天半导体回撤幅度更深，美光本周大幅下跌14.6%，存储芯片指数本周累跌17.6%。周五追踪费城半导体指数的ETF（SOXQ）大幅下挫近4%，Stocktwits平台上散户对SOXQ的情绪在过去一天内由中性降至看跌。CoreWeave周五再跌11.9%，本周累计暴跌超25%，其债券已跌至通常预示财务困境的水平，市场担忧其依赖高收益债市场为AI基础设施扩张融资的模式；同期10年期美债收益率已升至5.09%，科技巨头资本支出正逼近每年1万亿美元。原文将本轮下跌归因于AI基础设施成本高企而盈利回报前景模糊引发的质疑。美光方面，Roundhill Investments首席执行官Dave Maza称存储芯片股投资者情绪已转负，但同时强调存储芯片实际需求依然强劲，供货已售罄至2027年、客户需求延伸至2028年；ARK本周在下跌期间增持了CoreWeave及Cerebras，策略师则警示过度看空存在踏空风险。
据IT之家10月15日援引路透社今日报道，SK海力士正计划以在美国新建NAND工厂的方式，向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。两名知情人士称，SK海力士希望通过提升中国工厂产能为美国新工厂提供资金，并逐步扩大美国生产布局。SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域（厂区名Mod B，2023年建成，因当时存储市场低迷设备安装未完成）安装更多设备用于生产NAND闪存；该区域目前已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具，Solidigm已申请出口许可证采购额外设备。SK海力士表示Mod B的设备安装正与美国政府密切协商并在获得授权的情况下进行，同时强调目前并未寻求扩大大连Mod B的产能；Solidigm拒绝置评。路透社9月曾报道Solidigm考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部为主要候选地点之一；另一名知情人士称Solidigm正考虑最早于2027年进行IPO以筹集可能用于新工厂建设的资金。报道还提及美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂；人工智能和云计算数据中心需求增长、全球存储芯片供应趋紧、NAND闪存价格持续上涨，促使相关厂商考虑扩大生产。此外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州半导体制造设施的部分空间，并已在印第安纳州启动一座主要面向HBM产品的先进封装工厂建设。大连工厂设备来自泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国厂商。
应用材料(Applied Materials)CEO Gary Dickerson在全球投资者会议上表示，在AI计算兴起的推动下，客户对提高每片晶圆良品芯片(dies)产出以及快速扩大晶圆产能的需求达到了其职业生涯中前所未有的水平。他表示公司预计相关业务收入在未来几年将增长超过20%。此为CEO对公司业务的前瞻性预期，属于规划/预测性质，并非已实现的结果。
据报道，SK海力士正寻求与华盛顿达成特殊安排，希望获得美国批准，向中国工厂出口更多美国制造的半导体设备，并将该许可作为推进美国新晶圆厂计划的重要前提；此安排尚需美国批准，尚未获批。SK海力士旗下美国子公司Solidigm正申请新的出口许可，希望将更多美国半导体设备运往位于中国大连的NAND闪存生产基地，该厂主要生产用于数据中心固态硬盘、应用于人工智能和云计算基础设施的NAND产品，现有设备来自泛林集团、应用材料和科磊等美国供应商。大连厂区“Mod B”生产区域早在2023年已建成，但因当时存储市场低迷部分设备未完成安装，仍有扩产空余空间；SK海力士强调目前并未寻求扩大Mod B的设计产能，而是在既有设施范围内完善设备配置，设备安装正在与美国政府协商并获授权情况下进行。知情人士称，增加大连产出可为未来美国工厂提供更稳定资金来源并在美国新产能投产前承担过渡性供应；新建NAND晶圆厂需数年时间和数十亿美元投资，路透社此前报道Solidigm正评估在美国兴建新NAND工厂，纽约州北部为潜在选址之一。Solidigm还在研究最早于明年启动IPO的可能性，募集资金有望支持美国新厂建设。TechInsights分析师Walt Coon表示，随着AI数据中心需求激增、供应趋紧，NAND价格自2023年中期以来已上涨约七倍，未来几年供需紧张预计持续。原文未说明大连扩产申请以外事件的直接原因；公司层面原因是全球存储芯片供应趋紧和价格上涨背景下利用大连未完全开发的生产空间。
应用材料（Applied Materials）在过去两个季度内跟踪了全球超过100个晶圆制造项目，因强劲的人工智能需求持续遭遇洁净室建设和供应链产能方面的限制。该公司在每个季度新增超过10个项目，表明全球晶圆厂开发及未来洁净室可用性仍在扩张。原文以洁净室建设与供应链产能限制作为核心约束原因。
应用材料（Applied Materials）表示将增加在研发、制造及全球供应链方面的投资，以在2030年前争取更大的市场份额和盈利能力。该公司预计，先进逻辑、DRAM和先进封装将在2025年至2030年间贡献约75%的晶圆制造设备（WFE）市场增长。到2030年，公司目标为额外获得超过2个百分点的WFE市场份额，以及约54%的非GAAP毛利率和约40%的非GAAP营业利润率。以上均为公司目标与预期，而非已实现结果。
美东时间14日周三盘中，费城半导体指数（SOX）一度跌超4%（跌幅一度接近4.2%），势将连续第六个交易日收跌，连续两日创2025年5月以来最长连跌；SOX跌幅超过3%时，该指数过去六个交易日累计跌幅达10%，超过一半成分股六日内跌幅至少达10%。彭博指出，若跌势持续，SOX成分股面临超过1万亿美元的市值损失风险（并非已全部蒸发）。个股方面，Arm同期累计下跌近20%，应用材料约15%，英特尔约11%，GlobalFoundries为同期唯一累涨成分股；周三盘中Arm一度跌超6%、英特尔一度跌超4.6%，周二跌势缓和后存储芯片股再度走弱：SK海力士美股一度跌超5.8%，闪迪曾跌4.9%，美光一度跌3.5%，西部数据和希捷盘中跌超3%。原文给出的原因包括：美国9月CPI通胀强于预期（消费者价格涨幅达4月以来最高，燃料成本上升是重要推手），强化美联储可能继续加息的担忧，叠加估值偏高和AI基础设施建设成本高企等担忧累积；博通CEO陈福阳警告AI行业可能受资金约束。尽管ASML公布强劲季度业绩并上调全年销售指引，仍未提振芯片股；分析认为ASML处于产业链上游，其设备需求旺盛不能直接证明下游客户持续采购芯片。
三星存储报价涨超30%，硅片涨价周期或持续至2027年，直接驱动A股半导体板块放量上涨。光通信与PCB产业链因涨价潮及算力需求上修形成共振，板块呈现涨停潮格局。
存储与硅片涨价逻辑确立，光模块及PCB方向业绩预期上修。
闪迪(SNDK)暴涨12%，SK海力士、美光、希捷等涨超6%，费城半导体指数涨3.4%。尽管非农数据强劲推升加息预期，资金仍从软件转向AI硬件，因AI算力、存储及光通信需求旺盛且供给受限。
AI基础设施资本开支持续增长，存储与光通信板块成为资金避风港，NAND、DRAM及光模块需求强劲。
三星2024年量产钼字线，美光2025年跟进，SK海力士2026年底推出375层产品，预计2027年钼沉积设备市场超10亿美元。因钨在300层以上堆叠中触及物理极限，钼成为3D NAND制造必选项。
前道设备商，如Lam Research和TEL。
兴业证券复盘历史案例，认为近期科技股大跌多为流动性扰动引发的阶段性调整。只要产业趋势未变，后续有望收复失地，但需基本面增量逻辑催化。
市场情绪修复需等待基本面数据验证。
伯恩斯坦分析师Stacy Rasgon指出，半导体行业正经历真实超级周期，存储价格每季度翻倍，HBM制造需4倍标准DRAM硅片面积。需求从模型训练向推理转移，博通ASIC与英伟达GPU共存，电力供应成为最大瓶颈。
供需缺口扩大，HBM及功率半导体供不应求，价格持续上涨。
Meta、博通、应用材料等五家企业联合投资1.25亿美元在UCLA设立半导体研究中心。该中心聚焦AI芯片设计、设备、软件及制造，旨在缩短技术从实验室到市场的周期。
此为长期研发布局，短期内对现货市场供需及价格无直接影响。
美股费城半导体指数收盘下跌2.47%，美光科技、希捷科技等个股跌幅均超5%。受大型科技股涨跌不一及市场情绪波动影响，存储与硬盘厂商股价承压。
半导体板块短期情绪转弱，建议关注后续库存去化情况。
费城半导体指数跌超3%，高通单日跌幅超11%创2020年3月以来新低。受市场情绪拖累，半导体板块盘中一度跌近7%，博通、AMD、美光科技等主要厂商均出现显著回调。
短期抛压较重。
美股芯片股集体走强，西部数据涨超10%，美光科技与英特尔涨超8%。此次上涨源于市场对半导体行业基本面的积极预期。
主要芯片制造商股价大幅上涨，可能预示现货市场需求转强或供应趋紧，对交易情绪构成支撑。
QYResearch报告显示，2024年全球晶圆用干刻蚀设备市场规模达206.3亿美元，预计2031年将达336.1亿美元，期间年复合增长率为7.3%。Lam Research、TEL、应用材料、日立高新和SEMES五大厂商占据约95%市场份额，产业高度集中。
/利多/关注: 中性。此为行业长期预测报告，未提供影响短期交易的具体价格、短缺或产能变动信号。
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