Toray测试150°C薄膜电容，散热结构减半
Toray Industries成功测试150°C耐高温薄膜电容原型，散热结构尺寸减半。该技术解决了高功率驱动系统中的热稳定性问题，对飞行汽车等新兴领域至关重要。
利多
长期利好耐高温薄膜电容需求，推动高功率应用设计优化。
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Toray Industries成功测试150°C耐高温薄膜电容原型，散热结构尺寸减半。该技术解决了高功率驱动系统中的热稳定性问题，对飞行汽车等新兴领域至关重要。
长期利好耐高温薄膜电容需求，推动高功率应用设计优化。
文章提出了一种在按下按钮时改变数字电位器(DPOT)设置的电路设计。该设计用于替代释放按钮时才改变设置的方案。此为纯技术设计思路，对供应链无实质影响。
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路，峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题，展示了高稳定性与低功耗特性。
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展，但短期内无商业量产影响。
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感，提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术，但当前对现货价格影响中性，属于研发里程碑。
CSA Catapult开发定制SiC功率模块用于SONATA电动滑行系统，目标功率密度达15 kW/kg。该项目由英国航空技术研究所资助，旨在通过再生制动技术提升航空能效。
SiC功率模块长期技术发展，但短期对现货价格无直接影响。
三家固态变压器初创公司融资2.8亿美元，多家巨头加码该技术。该技术利用SiC/GaN等宽禁带半导体，旨在替代传统变压器以实现800V DC数据中心配电。
长期功率半导体需求增长，但当前现货价格无直接影响。
英特尔代工服务发布19微米厚GaN芯粒，单片集成功率晶体管与硅基数字逻辑，耐压78V，射频截止频率超300GHz。该技术基于300mm硅基氮化镓工艺，旨在突破硅基器件在高功率/高频场景的物理极限。
/利多/关注: 中性——此为远期研发里程碑，对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
罗姆半导体发布采用其最新SiC MOSFET的三相逆变器电路参考设计图，旨在加速工业设备和可再生能源系统的SiC方案采用。此举为技术推广行为，旨在降低工程师设计门槛并推广其自身SiC产品。
此为市场与技术支援活动，对SiC组件的供应、需求及价格无直接即时影响。
无晶圆厂公司CGD凭借其ICeGaN方案赢得现代汽车创新挑战赛，瞄准电动汽车牵引逆变器功率模块。该技术被视为高功率EV市场中碳化硅（SiC）方案的一种潜在成本替代品。
此为特定设计公司的技术验证，未对当前主流功率半导体组件的供应、库存或现货价格产生直接影响。
VisIC与AVL合作开发用于电动汽车的GaN逆变器技术，宣称其性能与成本优于碳化硅。此举旨在推动GaN在电动汽车高压应用中的商业化进程。
此为长期研发合作，未涉及具体产能、价格或供应变动，对当前交易无直接影响。
剑桥GaN器件公司与IFPEN成功演示基于650V GaN IC的800VDC逆变器，性能宣称超越SiC。该演示验证了GaN技术在高压功率应用中的长期潜力。
此为研发里程碑，对当前GaN或SiC元件的商业供应、需求及价格无直接影响。
英国QPT公司获得资助，将开发用于汽车的400V/60kW高频氮化镓逆变器演示器。该项目旨在验证氮化镓相对于碳化硅或硅的技术优势。
此为早期研发里程碑，未宣布量产计划，对当前氮化镓元件供需与价格无直接影响。
美国国家可再生能源实验室获选为美军地面战车设计基于碳化硅的牵引逆变器，目标使车辆续航翻倍且体积缩小四倍。该项目属于美国军方车辆电气化的长期研发计划。
此为远期、非商业化的研发里程碑，对当前商用碳化硅器件的供应、需求及价格无直接影响。
Hofer Powertrain与苏黎世联邦理工学院获INNOSUISSE资助，启动GaN多电平牵引逆变器研发项目。该项目旨在快速开发用于电动汽车的先进逆变器技术。
此为远期研发里程碑，对当前GaN元件供需及价格无直接影响。
Diamond Foundry公司利用其金刚石晶圆技术制造出首款电动汽车逆变器原型。该技术旨在提升功率转换效率，属于长期研发成果。
此为远期技术探索，对当前碳化硅、氮化镓等功率半导体供需与价格无直接影响。
Aehr Test Systems获新碳化硅客户首单，订购FOX-XP多晶圆测试老化系统及配件，用于车用SiC MOSFET量产。该订单反映下游对碳化硅产能的持续投资，以满足电动汽车市场需求。
此为产能建设的背景信息，未直接改变当前SiC器件的供需格局或价格。
VisIC公司成功在主要汽车OEM的测功机台架上，使用其2.2mΩ 650V GaN半桥功率模块测试了三相牵引逆变器。该测试旨在验证GaN技术在高压汽车动力总成应用中的性能和可靠性。
此为研发里程碑，未宣布量产计划或供应变化，对当前交易无直接影响。
无晶圆厂GaN公司Cambridge GaN Devices与法国研究机构IFPEN签署协议，共同开发基于GaN的汽车逆变器。该合作旨在利用GaN技术的高效特性，推进电动汽车动力总成发展。
此为长期研发进展，对当前GaN器件供应、价格及库存决策无直接影响。
无晶圆厂公司CGD与电子制造商Neways签署协议，共同开发基于GaN技术的光伏逆变器。该合作旨在利用GaN的高效率优势，切入可再生能源市场。
/利空/关注: 中性，此为远期技术研发合作，对当前GaN元件供需与价格无直接影响。
VisIC公司的D3GaN芯片技术获hofer采用，用于开发新款3Level牵引逆变器，测试显示其效率与功率密度超越硅基方案。这是GaN功率器件在汽车电驱领域的一次设计导入与技术验证。
该事件属于长期技术趋势，对当前GaN晶体管的市场供应、现货价格及库存无直接交易影响。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |