NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：15/100
CGD演示800V GaN逆变器，性能超SiC
剑桥GaN器件公司与IFPEN成功演示基于650V GaN IC的800VDC逆变器，性能宣称超越SiC。该演示验证了GaN技术在高压功率应用中的长期潜力。中性：此为研发里程碑，对当前GaN或SiC元件的商业供应、需求及价格无直接影响。
GaN Power ICsPower Transistors
R&Dtechnology-demoGaN
来源：Semiconductor Today · 2024/11/14 · 查看原始来源
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