APS技术宣称可绕开EUV实现3nm图形化
AlixLabs的APS技术已与英特尔和联电合作演示,宣称可在无需EUV光刻下实现3nm级图形化,单层掩模成本或降低40%。该技术旨在为先进制程提供一种成本更低的替代性图形化路径,但仍处于研发与设备验证阶段。
此为远期技术路线探索,对当前晶圆产能、价格及采购决策无直接影响。
- 相关厂商
- Intel、United Microelectronics Corporation、ASML
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
AlixLabs的APS技术已与英特尔和联电合作演示,宣称可在无需EUV光刻下实现3nm级图形化,单层掩模成本或降低40%。该技术旨在为先进制程提供一种成本更低的替代性图形化路径,但仍处于研发与设备验证阶段。
此为远期技术路线探索,对当前晶圆产能、价格及采购决策无直接影响。
高k栅极氧化层技术能显著提升1200V垂直GaN器件的性能与热管理能力。该技术旨在解决横向GaN器件在高压应用中的电阻与散热瓶颈,以应对SiC和IGBT的竞争。
该技术属于长期研发趋势,对当前现货市场供需及价格无直接影响。
IEDM 2025会议聚焦钌金属互连与二维沟道材料研发,三星实验显示超细钌线电阻降低46%,imec展示了16nm间距下的高良率互连结构。背景是铜互连在先进制程面临电阻飙升问题,二维材料旨在解决晶体管漏电。
均为远期技术探索,对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
Beneq的Transform ALD设备获亚洲一级制造商认证,用于8英寸硅基氮化镓功率器件量产。该认证是GaN功率半导体生产工具领域的一项进展。
此为背景性技术认证,对电子元件的即时供应、需求及价格无直接影响。
ALD设备供应商Forge Nano完成2000平方英尺新洁净室建设,使其ALD集群工具生产空间扩大两倍。此次扩建旨在满足半导体市场对ALD设备日益增长的需求。
此为利基设备供应商的长期产能扩张,对电子元件现货价格及供应无直接即时影响。
英国与瑞士政府联合资助26个项目,总额达780万英镑与910万瑞士法郎,其中包括一项研发ALD氧化物SiC MOSFET栅极技术的项目。该资助源于两国2022年签署的合作备忘录,旨在强化新兴技术领域的联合研发能力。
此为长期研发里程碑,对当前SiC MOSFET的供应、价格及库存无直接影响。
牛津仪器向一家英国micro-LED制造商交付并安装了一套原子层沉积(ALD)设备。该系统用于在AR/VR设备和智能手表的RGB像素阵列上沉积高介电常数薄膜。
此为单一设备交付及研发里程碑事件,对现有电子元件的供应、需求及价格无直接可量化影响。
牛津仪器等离子技术公司获日本多家领先GaN HEMT代工厂的等离子ALD和ALE设备订单。这些设备将用于支持消费类快充、数据中心及5G/6G通信等高增长市场的GaN器件生产。
此为GaN生产设备端的长期产能扩充,对当前元器件供应、价格及库存无直接影响。
Veeco仪器公司获德国吉森大学订单,交付一套集成MBE与ALD的GENxplor R&D系统用于GaN沉积研究。此为针对高校科研的单一设备销售,不涉及量产。
该研发里程碑对当前元器件交易市场的供应、需求及价格无直接影响。
已经到底了
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |