压接连接器向AI及工业领域扩张
压接连接器向AI及工业领域扩张,采用CuNiSi等合金材料。该技术提供免焊接组装方案,支持高集成度与功率密度。
关注高密度连接器及铜合金材料需求,但无具体价格或产能变动数据。
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压接连接器向AI及工业领域扩张,采用CuNiSi等合金材料。该技术提供免焊接组装方案,支持高集成度与功率密度。
关注高密度连接器及铜合金材料需求,但无具体价格或产能变动数据。
KYOCERA AVX 与 Mouser Electronics 探讨了聚合物钽电容异常充电电流(ACC)问题。该现象可能影响开关电源及卫星电源转换,但 KYOCERA AVX 已推出解决方案。
无直接价格波动或供需变化。
德国初创公司NexiGO获200万欧元融资研发氧化镓功率半导体,目标是将充电时间缩短至10分钟以内。该技术较碳化硅效率提升10倍,成本仅为四分之一。
该技术验证为宽禁带半导体未来应用提供新方向,但短期无供应冲击。
英飞凌主导欧盟91亿欧元Moore4Power项目,联合62家机构研发下一代功率电子。该项目聚焦“More than Moore”异构集成,涵盖Si、SiC及GaN技术,应用于风电、电动车及铁路。
该技术路线图对未来SiC/GaN产能及效率提升具有长期指引意义。
深度求索发布V4系列开源大模型,宣称性能对标顶级闭源模型并采用新型混合注意力机制以降低推理成本。新模型扩展了对华为昇腾AI加速器的支持。
此为软件算法进展,未直接改变半导体元器件的供需或价格。
三家固态变压器初创公司融资2.8亿美元,多家巨头加码该技术。该技术利用SiC/GaN等宽禁带半导体,旨在替代传统变压器以实现800V DC数据中心配电。
长期功率半导体需求增长,但当前现货价格无直接影响。
Coherent宣布其碳化硅外延技术取得进展,可支持生产高达10kV的功率器件。该技术旨在满足AI数据中心和工业高压应用对更高效率与功率密度的需求。
此为研发里程碑公告,未提供产能、产量或客户采用的具体数据,对当前现货市场供需与价格无直接影响。
台积电前工程师被控为东京电子台湾窃取2nm制程技术信息一案,将于4月27日宣判。此案首次在半导体领域援引台湾《国家安全法》。
案件审理结果对当前元件供应、价格及生产计划无直接即时影响。
尼西半导体建成全球首条35微米超薄功率半导体晶圆加工及封测产线,晶圆破损率低于0.1%,激光切割良率达98.5%。该产线填补了国内超薄晶圆制造与先进封装的技术空白,实现了从晶圆处理到成品测试的全链条整合。
/利多/关注: 中性。此为长期技术研发里程碑,对现货市场供应、价格及短期交易决策无直接影响。
ASML开发出1000W光源,目标在2030年前将高数值孔径EUV设备产能从220片/时提升至330片/时。技术突破源于将锡滴速率翻倍至每秒10万次并采用双脉冲激光整形。
/利空/关注:此为长期技术路线图,对当前芯片供应、价格及交易决策无直接影响。
用户报告称,NVIDIA GeForce RTX 5090显卡在施加-100W功耗限制和降压后,其12V-2x6电源接口仍发生熔毁。事故原因指向连接器标准本身及非官方转接线的接触不良问题,导致个别引脚电流与温度过高。
此为特定高端未发布组件的技术可靠性问题,未对主流电子元件供应链造成可交易的短缺或中断影响。
英飞凌将为Electreon的动态道路无线充电技术供应定制碳化硅功率模块。此举旨在利用SiC的高效率提升无线充电系统的性能。
此为特定客户的技术合作,未改变碳化硅市场的整体供需格局或现货价格预期。
纳微半导体与BrightLoop合作,为其重型农用设备氢燃料电池充电器提供G3F系列碳化硅MOSFET。该合作聚焦于汽车级功率器件在新能源特种车辆中的应用。
此为特定应用的设计导入,目标市场规模有限,对碳化硅整体供需及现货价格无直接影响。
英飞凌推出基于沟槽的碳化硅超结技术概念,其CoolSiC产品线电压覆盖400V至3.3kV。该技术基于其在硅基CoolMOS和碳化硅沟槽MOSFET领域的积累。
此为技术研发进展,未提及产能、价格或供应变化,对现有碳化硅元件交易无直接影响。
弗劳恩霍夫IAF在PCIM 2025展会上展示了集成续流二极管的1200V双向GaN功率开关。该成果源于德国联邦经济部资助的'GaN4EmoBiL'项目,旨在推动电动汽车和双向充电应用。
此为研发进展,对当前商用GaN元件供应、价格及交易决策无直接影响。
德州仪器与台达电子宣布长期合作,在台湾成立联合实验室开发新一代电动汽车车载充电方案。双方旨在整合电源管理研发能力,提升功率密度与充电性能。
此为远期技术合作,未披露具体产能或采购计划,对当前元件交易无直接影响。
牛津仪器等离子技术公司获日本多家领先GaN HEMT代工厂的等离子ALD和ALE设备订单。这些设备将用于支持消费类快充、数据中心及5G/6G通信等高增长市场的GaN器件生产。
此为GaN生产设备端的长期产能扩充,对当前元器件供应、价格及库存无直接影响。
德国弗劳恩霍夫IAF研究所牵头启动为期三年的GaN4EmoBiL研究项目,旨在开发基于氮化镓功率半导体的电动汽车双向充电系统。该项目由德国联邦经济与气候保护部资助,博世公司和斯图加特大学参与合作。
此为长期研发里程碑,对当前氮化镓功率器件的供应、价格及库存无直接影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |