三星展示HBM5样机,HBM4E已出货
三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机,并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈,三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。
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属于长期技术路线图确认,对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
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- Samsung Electronics、SK hynix
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三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机,并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈,三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。
属于长期技术路线图确认,对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
SK海力士为HBM5开发iHBM方案,将热阻降低30%。此举旨在解决高带宽存储芯片的散热瓶颈,提升封装性能。
HBM供需格局,维持高景气度。
SK海力士推出iHBM散热方案,将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件,解决高功率密度下的散热瓶颈,并利用MR-MUF技术实现量产。
HBM需求及价格,提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
SK海力士推出集成散热元件的iHBM方案,将HBM5热阻降低30%。该技术通过在HBM与GPU间直接集成ICE,利用WLP和MR-MUF工艺解决高堆叠散热难题。
此举有望提升HBM5在AI数据中心的应用稳定性,强化SK海力士在高性能计算芯片领域的竞争优势。
已经到底了