Marvell推Structera X 3406，支持9TB DDR5
Marvell发布第二代Structera X 3406/3506控制器，支持CXL 3.2及PCIe Gen6，单卡最高支持9TB DDR4或6TB DDR5。针对AI KV缓存及大模型推理需求，通过5倍LZ4压缩提升有效内存容量，缓解GPU HBM容量瓶颈。
利多
CXL控制器及AI服务器内存扩容市场，推动DDR4/DDR5在AI算力中的复用与降本。
Marvell发布第二代Structera X 3406/3506控制器，支持CXL 3.2及PCIe Gen6，单卡最高支持9TB DDR4或6TB DDR5。针对AI KV缓存及大模型推理需求，通过5倍LZ4压缩提升有效内存容量，缓解GPU HBM容量瓶颈。
CXL控制器及AI服务器内存扩容市场，推动DDR4/DDR5在AI算力中的复用与降本。
EOI计划2027年推出AI光通信样品，并依托前五大客户订单推动2026年复苏。该公司正于墨西哥扩产并拓展非头灯汽车电子。
其AI光通信业务进展及墨西哥扩产计划。
Raysolve、Starksemi及LEKIN在CIOE 2026展示雷射微显示光互连方案，Starksemi出货样品且带宽达2.5GHz。随着AI算力需求激增，该技术正从概念验证转向商用部署。
该技术商业化进程对GaN-on-Si及光模块产业链的潜在需求拉动。
华为在上海全联接大会发布昇腾960超节点，算力卡数量从1024卡升级至4096卡。该节点首次采用NPO近封装光学技术，旨在满足万亿参数模型训练需求。
此举显著提升AI算力集群规模，预计将推高昇腾960芯片及光模块需求。
华为发布行业首个搭载NPO的Ascend 960超节点，支持最大10万亿参数模型。该系统旨在突破单卡算力极限以实现AI算力规模化。
华为Ascend芯片及NPO光学组件需求。
ST推出1.1MP车载图像传感器VD56GA，红外灵敏度提升60%。该传感器旨在降低驾驶员和乘客监测系统的成本，支持向更多车型平台普及。
该产品有助于扩大车内感知系统在量产车上的应用，预计将带动相关传感器需求增长。
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
NVIDIA据称将RTX 5070的芯片从GB205切换至更大的GB203。GB203面积达378mm²，需禁用43%核心以匹配12GB GDDR7规格。
此举旨在良率管理，预计性能与价格均无变化。
NUBURU Inc通过子公司Lyocon将定向能光学组合扩展至美国及北约执法领域。此举将“One Optical Systems Hub”从战场应用延伸至公共秩序与周边保护等日常防护。
该扩张预示定向能技术在公共安全领域的需求增长，利好相关供应链。
所罗门展示TGV检测技术，瞄准先进封装市场。此为技术展示，旨在提升先进封装良率，对短期供需无直接影响，建议关注。
传言称索尼将停止销售PlayStation游戏光盘的截止时间推迟1-2年，以应对微软的“100%实体版”战略。此举旨在留住大型游戏开发商并应对市场阻力。
蓝光光驱和存储器组件需求。
利基光电跳过800G规格，直推1.6T光引擎模块，预计Q4小批量出货。该公司AI相关产品营收占比达45%，并计划进一步开发3.2T模块。
此技术路线跳转对当前现货价格无直接影响，但预示高端光模块需求升级。
三星发布全球首款LPDDR5X-PIM内存，AI推理速度提升3.01倍。作为HBM的廉价替代方案，该技术旨在解决AI芯片成本高昂问题。
LPDDR5X市场需求，潜在利空HBM份额。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
英伟达宣布Spectrum-X光子学进入量产，专为AI工厂设计。该技术将激光器数量减少4倍、功耗降低5倍。
利好光模块及激光器供应链，如Lumentum和天孚通信。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |