Vishay推出XFD11KxxCA系列TVS，峰值电流207.1A
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
利多
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
- 相关厂商
- Vishay Intertechnology
- 料号
- XFD11KxxCA
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
AOS推出AOPL66801 80V MOSFET，采用DFN6x5 AmpStack封装，通过垂直堆叠和Clip设计提升功率密度并降低寄生电感。该产品主要面向电动工具及AI工厂等高密度应用，属于新产品发布，暂无明确的供需或价格影响。
AOS发布采用新封装技术的MOSFET产品。该技术旨在提升功率密度以适应各类电源转换应用。
新产品对现有供应链的潜在影响。
Diodes推出DML1012ALDSQ智能负载开关，起价0.17美元。该器件专为汽车ADAS等应用设计，具备8mΩ低导通电阻及6A持续电流能力。
新器件进入市场，可能提升Diodes在汽车电源管理领域的份额。
罗姆半导体推出TSC3PAK顶部冷却封装，尺寸为14.00 × 18.58 × 3.50 mm。该封装旨在结合自动贴装与接近TO-247-4L的热耗散，适用于电动汽车和工业系统。
其能否解决SiC封装瓶颈或提升自动化效率。
Nexperia推出1200V SiC MOSFET QDPAK封装。该封装专为高功率密度和热需求应用优化，扩展了其宽禁带产品组合。
新封装有助于提升SiC器件在高功率场景下的散热性能与市场竞争力。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关，PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统，具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
东芝推出TLX9920光耦，用于SSR中的MOSFET栅极驱动，具备5000Vrms隔离电压。该器件专为汽车BMS、OBC及工业电源控制设计，采用SO6L封装，满足AEC-Q101标准。
新产品发布对隔离器件需求的潜在拉动。
罗姆半导体发布第五代SiC MOSFET，适用于电动汽车电驱及AI服务器电源。此为常规产品迭代与技术路线图更新。
未提及产能、价格或供应变动，对现有市场无直接影响。
东芝推出TLX9920光伏输出光耦，为固态继电器中的功率MOSFET提供隔离栅极驱动电压，最小开路电压13.5V，隔离耐压5000Vrms。该产品面向汽车电池管理和工业电源控制，旨在简化电路设计。
此为新品发布，对现有电子元件的供应、需求及价格无直接影响。
STMicroelectronics推出了基于Smart STripFET F8技术的低RDS(on) MOSFET系列。该产品旨在提升汽车配电和电池管理系统的效率并减小占用空间。
Vishay推出VODA1275车规级PV MOSFET驱动器，支持1260V峰值隔离电压。该器件专为800V以上电池系统设计，可替代两个串联驱动器。
新品上市，交期约8周，利好高压车规功率器件市场。
Vishay推出汽车级光隔离MOSFET驱动器VODA1275，典型开路电压20V，交货期8周，单价1.20美元起。该器件针对800V以上电池系统，旨在简化预充电路和BMS设计。
新品发布可能影响长期设计需求，但未提供现货短缺或价格变动的直接交易信号。
东芝推出TPHR6704RL MOSFET，典型导通电阻0.52mΩ，最大额定电流420A，针对工业电源应用。该产品采用U-MOS11-H工艺，相比前代产品性能提升约21%-37%。
/利多/关注: 中性，此为常规产品迭代，对现有MOSFET市场供需及价格无直接影响。
Renesas推出首款双向650V d-mode氮化镓开关TP65B110HRU，用于光伏逆变器及AI数据中心。该器件通过集成直流阻断功能，可替代传统背对背FET，将单级拓扑效率提升至97.5%以上。
新器件有望改变电源架构，但短期供应与价格影响尚不明朗。