ST推出20A模块体积缩小30%
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
利多
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
- 相关厂商
- STMicroelectronics
- 料号
- STGI15C60S
- 影响评分
- 10 / 100，低影响
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Vishay推出VODA1275车规级PV MOSFET驱动器，支持1260V峰值隔离电压。该器件专为800V以上电池系统设计，可替代两个串联驱动器。
新品上市，交期约8周，利好高压车规功率器件市场。
Vishay推出汽车级光隔离MOSFET驱动器VODA1275，典型开路电压20V，交货期8周，单价1.20美元起。该器件针对800V以上电池系统，旨在简化预充电路和BMS设计。
新品发布可能影响长期设计需求，但未提供现货短缺或价格变动的直接交易信号。
SemiQ推出1200V QSiC™ Dual3碳化硅半桥模块系列，声称功率密度达240 W/in³，旨在替代IGBT。新品针对数据中心液冷与储能变流器市场，迎合AI算力带来的高功率需求。
此为常规新品发布，未提及产能、价格或供应变动，对现有元件交易无直接影响。
Wolfspeed推出首款商用10kV SiC MOSFET CPM3-10000-0300A，旨在解决电网及工业电源转换的可靠性挑战。该器件具备高效率与快速开关特性，可简化多级拓扑结构并替代IGBT。
高电压SiC技术突破，有望推动工业及电网电源转换效率提升。
意法半导体推出车规级隔离栅极驱动器STGAP2SA与STGAP2HSA，具备4A输出及1200V耐压。新品旨在满足电动汽车及工业系统对高功率密度与可靠性的需求。
此次为标准新品发布，未提及产能、价格或供应变动，对现有元件交易无直接影响。
剑桥GaN器件公司(CGD)发布其Combo ICeGaN技术，将GaN HEMT IC与IGBT并联集成于同一模块，瞄准价值超100亿美元的100kW以上电动汽车动力总成市场。该方案旨在作为碳化硅(SiC)模块的高性价比替代品。
此为技术产品发布，对现有电子元件的供应、需求及价格无直接影响。
英飞凌宣布其新款CoolSiC混合分立器件获中国厂商VMAX采用，用于6.6kW车载充电器。该器件将TRENCHSTOP 5 IGBT与CoolSiC肖特基二极管集成于D2PAK封装，旨在优化成本性能。
此为常规产品发布与客户采用新闻，未提及产能、短缺或价格变动，对当前交易无直接方向性影响。
英飞凌为其CoolSiC 1200V和2000V MOSFET模块系列新增了基于M1H技术的62mm标准封装。此举旨在进军250kW以上的中功率应用市场，以SiC技术替代硅基IGBT。
此次产品线扩充属于常规技术迭代，可能逐步提升相关模块需求，但未对当前现货供应或价格构成直接影响。
罗姆公司已开始量产两款650V氮化镓HEMT器件GNP1070TC-Z和GNP1150TCA-Z，适用于服务器和适配器等电源系统。此举是该公司在第三代半导体功率器件领域的商业化推进。
新品上市增加了市场供应选项，但属于技术迭代的常规进程，对当前主流硅基功率器件现货价格无直接冲击。
已经到底了