NuAxi半导体贸易情报
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SemiQ发布1200V碳化硅模块 功率密度240W/in³
SemiQ推出1200V QSiC™ Dual3碳化硅半桥模块系列，声称功率密度达240 W/in³，旨在替代IGBT。新品针对数据中心液冷与储能变流器市场，迎合AI算力带来的高功率需求。中性：此为常规新品发布，未提及产能、价格或供应变动，对现有元件交易无直接影响。
SiC MOSFET Module
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来源：EE Journal · 2026/3/23 · 查看原始来源
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实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生