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英飞凌CoolSiC MOSFET模块新增62mm封装
英飞凌为其CoolSiC 1200V和2000V MOSFET模块系列新增了基于M1H技术的62mm标准封装。此举旨在进军250kW以上的中功率应用市场，以SiC技术替代硅基IGBT。中性：此次产品线扩充属于常规技术迭代，可能逐步提升相关模块需求，但未对当前现货供应或价格构成直接影响。
SiC MOSFET
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来源：Semiconductor Today · 2023/11/20 · 查看原始来源
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