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CGD发布GaN-IGBT并联模块,瞄准百亿美金EV市场

剑桥GaN器件公司(CGD)发布其Combo ICeGaN技术,将GaN HEMT IC与IGBT并联集成于同一模块,瞄准价值超100亿美元的100kW以上电动汽车动力总成市场。该方案旨在作为碳化硅(SiC)模块的高性价比替代品。中性:此为技术产品发布,对现有电子元件的供应、需求及价格无直接影响。

GaN HEMTIGBTPower Modules
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来源:Semiconductor Today · 2025/3/10 · 查看原始来源

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