Exxelia推出1200V航空电容，HEICO收购CalRamic
Exxelia推出1200V航空电容及磁元件，HEICO通过收购CalRamic扩充高压陶瓷电容组合。此次扩容旨在满足800V航空平台对高电压元件日益增长的需求。
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HEICO收购CalRamic将改变高压电容供应链格局，但短期内对现货价格影响中性。
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- Exxelia、HEICO、CalRamic
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Exxelia推出1200V航空电容及磁元件，HEICO通过收购CalRamic扩充高压陶瓷电容组合。此次扩容旨在满足800V航空平台对高电压元件日益增长的需求。
HEICO收购CalRamic将改变高压电容供应链格局，但短期内对现货价格影响中性。
英飞凌推出首款针对AI数据中心HV DC总线的24kW SiC BBU参考设计。该设计采用650V和1200V SiC技术，功率密度达450W/in3，效率超99%。
此设计有望加速数据中心向高压直流架构转型，利好英飞凌SiC产品需求。
Nexperia推出1200V SiC MOSFET QDPAK封装。该封装专为高功率密度和热需求应用优化，扩展了其宽禁带产品组合。
新封装有助于提升SiC器件在高功率场景下的散热性能与市场竞争力。
Wolfspeed发布第五代SiC MOSFET技术，针对1200V和750V汽车及工业应用。该技术展示了显著的效率提升，旨在满足下一代功率器件需求。
新世代产品发布通常预示未来需求增长，但短期内对现货价格影响有限。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关，PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统，具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
东芝开始出货1200V SiC MOSFET TW007D120E样品，RDS(on)较现有产品降低58%。该器件专为AI数据中心和可再生能源设计，采用QDPAK封装以提升散热性能。
预计2026年量产，将提升数据中心电源转换效率。
Stackpole推出RVCU系列高电压芯片电阻，VCR降至25-50ppm。该产品专为精密分压器和测量应用设计，旨在提升稳定性。
（中性）：新产品发布，对现有市场供需及价格影响有限。
台湾半导体推出两款车规级1200V SiC肖特基整流器，型号为TSCDFS01120G2H（1A）和TSCDFS02120G2H（2A），采用SOD-128封装。此举为该公司在汽车SiC功率器件产品线的常规扩充。
新品发布未直接影响现有元件的供应、需求或价格。
SemiQ推出1200V QSiC™ Dual3碳化硅半桥模块系列，声称功率密度达240 W/in³，旨在替代IGBT。新品针对数据中心液冷与储能变流器市场，迎合AI算力带来的高功率需求。
此为常规新品发布，未提及产能、价格或供应变动，对现有元件交易无直接影响。
SemiQ推出1200V半桥SiC MOSFET模块QSiC Dual3系列，面向数据中心冷却与储能应用。此为常规新品发布，未提及产能、价格或供应变动。
/利多/关注: 中性，该信息为背景技术动态，对现货交易无直接影响。
韩国无晶圆厂ChipsK展示650-700V氮化镓器件在高温下低阻抗优势，计划今年下半年量产。相比竞争对手G和N，该器件在120°C高温下保持稳定，且开关损耗更低。
ChipsK凭借高温稳定性优势切入数据中心电源转换市场，量产预期将加剧GaN市场竞争。
意法半导体推出车规级隔离栅极驱动器STGAP2SA与STGAP2HSA，具备4A输出及1200V耐压。新品旨在满足电动汽车及工业系统对高功率密度与可靠性的需求。
此次为标准新品发布，未提及产能、价格或供应变动，对现有元件交易无直接影响。
纳微半导体发布第五代GeneSiC技术平台，推出1200V沟槽辅助平面MOSFET。该技术旨在面向AI数据中心、电网及工业电气化市场。
此为研发里程碑，对现有元件供需及现货价格无直接影响。
Vishay推出五款1200V SiC MOSFET功率模块。该产品面向汽车、能源及工业系统，旨在提升高频应用能效。
关注SiC功率模块需求趋势，但短期现货价格影响有限。
SemiQ推出第三代1200V S3碳化硅模块，宣称具备领先的电流密度与热阻性能。该产品线扩展旨在满足工业与电动汽车等高功率应用需求。
此次新品发布属于常规技术迭代，未对现有碳化硅元件的供应、需求或价格产生直接影响。
Vishay推出两款1200V SiC MOSFET功率模块VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，采用MAACPAK PressFit封装。此举旨在满足汽车及工业领域对高效功率器件的需求，属于常规产品线扩展。
此次新品发布未改变现有元件的供需或价格格局，对交易无直接方向性影响。
Wolfspeed推出1200V SiC六管功率模块，宣称功率循环能力提升3倍，逆变器电流能力提高15%。该产品采用第四代SiC MOSFET技术，面向电动汽车动力系统市场。
此为常规新品发布，未提及产能、供应或价格变化，对现货交易无直接影响。
SemiQ推出5款SOT-227模块，RDSon值分别为7.4mΩ、14.5mΩ和34mΩ。该模块采用肖特基二极管设计，在高温下具有更低的开关损耗。
新模块增加供应选择，但短期内对现货价格影响有限。
英飞凌推出第二代1200V CoolSiC MOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装，针对电动汽车充电桩和太阳能逆变器。此举是其现有碳化硅产品组合的常规更新与扩展。
此次新品发布未改变现有元件的供应、需求或价格预期，属于标准的产品线迭代。
Nexperia为其产品组合新增两款1200V 20A碳化硅肖特基二极管。此举旨在满足数据中心、可再生能源等电力密集型基础设施应用对高效功率器件的需求。
新品发布增加了市场供应选择，但未改变现有供需格局或预示短期价格变动。