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纳微半导体发布第五代1200V SiC MOSFET技术

纳微半导体发布第五代GeneSiC技术平台,推出1200V沟槽辅助平面MOSFET。该技术旨在面向AI数据中心、电网及工业电气化市场。中性:此为研发里程碑,对现有元件供需及现货价格无直接影响。

SiC MOSFET
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来源:Semiconductor Today · 2026/2/13 · 查看原始来源

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