AMD Gainsborough APU现身驱动，或为Steam Deck 2
AMD 'Gainsborough' APU代号现身驱动，或为Steam Deck 2定制芯片。该芯片采用FF6 BGA封装，传闻基于TSMC N3P工艺。
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客户身份存在争议，或同时用于Ryzen Z3手持设备。
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AMD 'Gainsborough' APU代号现身驱动，或为Steam Deck 2定制芯片。该芯片采用FF6 BGA封装，传闻基于TSMC N3P工艺。
客户身份存在争议，或同时用于Ryzen Z3手持设备。
Cognex发布了In-Sight 1750系列晶圆识别系统，该系统结合AI与成像技术以提升晶圆标记可读性及产线追溯性。此举旨在解决晶圆标记难读及 substrate 材料识别问题。
Cognex设备业务，对半导体晶圆现货价格无直接影响。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。
关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。
Taisic Materials于9月2日推出p型SiC衬底，用于超高压电网及铁路系统。该产品隶属于Kenmec集团，旨在满足高功率电气系统的需求。
该新产品对SiC衬底市场的潜在需求拉动。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
敦化科技在WAIC 2026展示基于玻璃的CoPoS AI芯片样品。该技术采用面板级先进封装，是国产AI芯片封装领域的创新。
目前仅为样品阶段，暂无明确的供需或价格影响。
特斯拉AI5芯片在三星代工厂完成流片，将采用2nm工艺量产，集成12颗SK海力士内存。该芯片由三星和台积电双线代工，马斯克预计将成为史上产量最大的芯片之一。
三星代工与SK海力士，高产能预期将推高相关供应链需求。
鼎龙股份自主研发的玻璃基板专用软抛光垫已完成多家头部封测及晶圆制造企业的送样。该产品在工艺平坦度和划痕管控等指标上表现优异，验证工作有序推进。
技术指标验证通过，有望切入先进封装耗材供应链。
Marvell于Q2开始送样3nm工艺的Teralynx T100交换芯片，带宽达102.4Tbps。该芯片专为AI工作负载设计，支持512端口高基数架构及ESUN和UEC协议，旨在降低延迟并提升集群效率。
AI网络交换机需求，验证了高端算力基础设施的持续扩容趋势。
Marvell发布102.4Tbps交换芯片Teralynx T100，盘前股价飙升超24%。该3nm芯片主打低功耗AI数据中心，并获英伟达20亿美元战略投资背书。
Marvell网络芯片订单及先进制程产能需求，但需警惕落后竞品的市场份额挤压风险。
英伟达联手联发科推出RTX Spark PC处理器，采用台积电3nm工艺。该产品将于今年秋季上市，配备128GB统一内存。
台积电3nm产能需求预期提升，传统PC CPU市场格局或生变。
华为发布61.44TB及122.88TB SSD，采用Die-on-Board封装技术绕过美国制裁。该技术通过在PCB上直接堆叠YMTC的Xtacking 4.0颗粒来提升密度。
此举虽缓解了制裁对产能的限制，但散热与信号完整性仍是技术挑战。
韩国YC Chem成为首家供应玻璃基板光刻胶的企业，客户计划2026年底量产。随着玻璃基板商业化进程加速，材料供应商正积极布局。
该技术路线对现有封装材料的潜在替代效应。
京瓷宣布商业化用于先进AI芯片封装的新型多层陶瓷芯基板，将于2026年5月在ECTC上展示。该产品旨在解决高性能封装中的翘曲问题，以满足数据中心对更高集成度的需求。
/利空/关注: 此为远期技术发布，对当前组件供应、价格及采购决策无直接影响。
分析师预测苹果iPhone 18标准版屏幕将降级采用M12+发光基材，Pro版则采用M16磷光OLED。此举源于内存成本上涨，苹果在产品策略上做出取舍。
高端OLED需求可能向Pro机型集中，但对标准版OLED面板整体需求及现货价格影响有限。
SK海力士宣布基于1c LPDDR5X DRAM的192GB SOCAMM2模块进入量产，并称其为英伟达下一代Vera Rubin平台优化的首款产品。三星与美光也在推进各自的SOCAMM2技术，以满足AI数据中心对高能效内存的需求。
新模块量产标志着AI基础设施演进，但属于既定产品路线图，对现有DRAM现货市场供需及价格的直接影响有限。
Hirose Electric 推出了专为 AI 和边缘计算设计的 PCIe Gen6 BGA 连接器。该产品旨在满足高速数据传输需求。
AI 与边缘计算领域对高速连接器的需求预期上升。
特斯拉展示AI5芯片样品，性能提升40倍并采用SK海力士GDDR6/7内存。该芯片已流片，属于未来技术里程碑。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |