GF发布7nm级FDX Fusion节点，密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
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FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
Renesas推出首款100V增强模式GaN FET，涵盖RTP100E005G1FL等型号。该产品专为AI数据中心、工业自动化等高功率密度场景设计，具备超快开关速度。
新产品线拓展有望提升公司在高功率半导体领域的市场份额。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
Knowles Cornell Dubilier推出105C扁平铝电解电容，面向电动汽车低剖面高密度电源设计。该电容应用于BMS及隔离DC/DC转换器。
京瓷AVX新增0201 C0G RF MLCC至KGU超低ESR电容系列。该产品旨在满足射频应用需求。
新品发布通常不直接影响现货价格。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
Coherent Corp开始向AI半导体合作伙伴送样300mm高导热碳化硅衬底。此举旨在推进其可扩展材料平台，以满足AI和高性能计算系统日益增长的散热需求。
该产品发布预示着AI散热材料需求增长，可能推动相关SiC衬底供应链的长期需求。
Power Integrations演示了2200V GaN技术，电压能力超越现有商用产品。该技术定位用于高压数据中心、电动汽车及可再生能源系统，旨在提升功率密度。
目前仅为技术演示，尚未对现货价格或供应产生直接影响。
Hyperion发布航空航天工具指南，推荐AM10F硬质合金及PCD/PCBN材料。该指南针对钛合金、HRSA等难加工材料提供选材建议。
无直接供需或价格变动，属技术背景信息。
英飞凌推出EiceDRIVER 2EDL90xG3，支持硅与氮化镓同板设计。该器件采用120V通用封装，旨在简化混合功率电路布局。
技术趋势利好氮化镓生态，但短期对现货价格无直接影响。
EPC推出EPC91128等四款基于GaN技术的三相BLDC电机驱动评估板。此举旨在加速下一代高密度运动控制系统的开发与验证。
该产品发布属于技术迭代，对现货市场供需及价格无直接影响。
纳微半导体参与英伟达MGX平台合作伙伴庆典，共同推进800VDC机架架构。此举旨在加速下一代AI数据中心基础设施建设，提升电源转换效率。
长期利好GaN和SiC功率芯片需求，但短期无直接现货价格或产能波动。
EPC发布EPC91123评估板，实现800VDC至12.5VDC、6kW隔离转换。该产品专为支持NVIDIA MGX AI工厂生态系统设计，适配800VDC服务器架构。
GaN功率器件长期需求，但当前现货价格无直接波动。
Power Integrations发布两款基于1700V GaN技术的AI数据中心辅助电源参考设计。该方案针对NVIDIA Kyber平台，可将电路板面积和BOM减少约30%。
长期利好AI服务器高压GaN需求，但短期无直接价格或现货供应影响。
英飞凌加入Nvidia MGX生态系统，提供800 VDC至<10 V的电源管理解决方案。该合作利用GaN和SiC技术提升AI服务器功率密度与能效。
预计将提振GaN和SiC功率器件在AI基础设施中的需求。
英伟达发布搭载Grace Blackwell架构的N1X处理器，配备128GB统一内存。该芯片源自DGX Spark工作站，现通过RTX Spark笔记本进入Windows PC市场。
新AI PC芯片规格强劲，预计将推高高端AI计算需求。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关，PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统，具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
日本胶带厂商Lintec计划投资70亿日元，于2026年量产1万张EUV光罩防尘膜。公司正与日本产业技术综合研究所合作开发碳纳米管基EUV光刻防尘膜，以提升高温下的耐久性。
传统工业巨头跨界进入EUV防尘膜领域，长期或增加供应竞争，但短期对价格影响有限。
韩国YC Chem成为首家供应玻璃基板光刻胶的企业，客户计划2026年底量产。随着玻璃基板商业化进程加速，材料供应商正积极布局。
该技术路线对现有封装材料的潜在替代效应。