TSMC 2026量产CPO方案，支持200Gbps传输
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
利多
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
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TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
英特尔CEO暗示重返存储业务，聚焦堆叠内存与CPU创新。此举旨在应对存储行业竞争格局变化。
目前尚未转化为具体的产能或价格数据。
台积电宣布5.5倍光罩CoWoS量产，良率稳定在99%。该技术可整合12组HBM4，封装面积达4700mm2。
高良率确认供应能力增强，缓解先进封装供应压力。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
三星宣布zHBM性能约为下一代HBM5的8倍，密度为10倍以上，预计2029年量产。该技术旨在通过直接堆叠在AI加速器上来解决带宽瓶颈，与SK海力士的HBF形成竞争。
Kioxia启动1 Tb TLC NAND闪存样品出货，采用第10代BiCS FLASH技术。该产品面向企业及数据中心AI存储，层数达332层，接口速度提升33%。
Kioxia加速布局高密度AI存储产能，强化高端NAND闪存竞争力。
Kioxia于7月3日开始1Tb TLC BiCS 10 NAND样品出货，计划2027年量产。该产品采用332层堆叠与CBA技术，传输速度达4.8Gb/s。
新世代技术发布预示未来产能扩张，短期现货价格影响有限。
SK海力士向主要客户交付12层HBM4E样品，单引脚速率达16Gbps，能效提升超20%。该产品采用先进MR-MUF工艺，热阻降低17%，确保了高带宽环境下的结构稳定性。
样品交付确认了HBM4E量产进度，强化了SK海力士在AI存储领域的供应链主导地位。
Largan Precision计划于9月建立光纤阵列（FA）自动化试产线，目标2027年贡献营收。公司宣称其技术精度低于0.3微米，优于行业0.5至0.8微米的水平。
随着AI数据中心CPO渗透率提升，公司正寻求手机镜头外的第二增长曲线。
SK海力士推出iHBM散热方案，将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件，解决高功率密度下的散热瓶颈，并利用MR-MUF技术实现量产。
HBM需求及价格，提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
Powerchip将在COMPUTEX 2026展示3D WoW DRAM堆叠技术，旨在解决GenAI和高性能计算的带宽与功耗限制。
未来3D堆叠技术的量产进展。
华为在巴黎IDI Forum 2026展示并量产61.44TB与122.88TB SSD，规划245TB版本。受美国实体清单限制，华为采用自研DoB封装技术绕开3D NAND层数限制，直接焊接裸片提升密度。
国产存储技术突破，为数据中心提供新方案。
华为发布61.44TB及122.88TB SSD，采用Die-on-Board封装技术绕过美国制裁。该技术通过在PCB上直接堆叠YMTC的Xtacking 4.0颗粒来提升密度。
此举虽缓解了制裁对产能的限制，但散热与信号完整性仍是技术挑战。
美光向合作伙伴交付 256GB DDR5 RDIMM 样品，传输速率达 9200 MT/s。该产品采用 3D 堆叠与 1-gamma 技术，相比双条 128GB 可降低 40% 功耗。
高端 DDR5 服务器市场，预示高容量内存需求持续增长。
Samtec宣布26.5 GHz SMA边缘安装连接器已量产并现货供应。该产品专为5G/6G及航空航天设计，具备高导电性和耐用性。
现货供应确认，无短缺预警。
AMD发布16核Ryzen 9 9950X3D2双版本，售价899美元。尽管性能领先，但生产工作负载仅比699美元的9950X3D提升3-9%，游戏性能甚至不如更便宜的9850X3D。
高价低效导致需求疲软，库存积压风险增加。
SK海力士已开始向戴尔供应采用321层QLC NAND技术的PQC21 cSSD，提供1TB和2TB两种容量。此举旨在强化其在AI PC存储市场的地位，并扩大QLC cSSD份额。
此为针对特定客户的新品量产，对当前NAND整体供应及现货价格无直接影响。
SK海力士于4月开始向戴尔批量出货其首款321层QLC cSSD（PQC21）。此举旨在抢占AI PC及数据中心对高容量存储的需求。
该产品发布标志着技术路线演进，但未对现有NAND产品的供应或价格产生直接影响。
美光已于2026年Q1开始批量出货面向英伟达Vera Rubin平台的HBM4 36GB 12H产品，带宽超2.8 TB/s，能效较HBM3E提升超20%。公司亦展示了48GB 16H堆叠样品，为后续容量扩展铺路。
此为技术迭代里程碑，对现有HBM现货市场供需及价格无直接影响。
Samtec推出内部Upscreen测试服务，将测试成本和周期降低约三分之一。该服务针对军用和航空航天客户，旨在加速COTS连接器的市场准入并满足MIL-DTL-55302等严苛标准。
供应链效率提升，但对现货价格无直接影响，信号中性。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |