ASE推出3D SiP VRM方案
ASE推出用于AI数据中心垂直VRM的3D SiP解决方案。此举旨在提升电源效率并支持高密度计算需求。
技术趋势,无直接价格影响。
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- 10 / 100,低影响
ASE推出用于AI数据中心垂直VRM的3D SiP解决方案。此举旨在提升电源效率并支持高密度计算需求。
技术趋势,无直接价格影响。
Mouser Electronics正在分销Nordic Semiconductor的最新连接方案,涵盖nRF54L、nRF54LM20及nRF9151系列开发套件。这些方案支持BLE、Mesh、Matter及LTE-M/NB-IoT协议,其中nRF54LM20B集成了NPU以加速边缘AI应用。
新方案发布主要影响未来市场需求,对当前现货价格无直接冲击。
利基光电跳过800G规格,直推1.6T光引擎模块,预计Q4小批量出货。该公司AI相关产品营收占比达45%,并计划进一步开发3.2T模块。
此技术路线跳转对当前现货价格无直接影响,但预示高端光模块需求升级。
三星电子开始向全球合作伙伴交付全球首款12层HBM4E样品,性能较HBM4提升20%,容量增加30%。该产品采用先进低功耗设计,计划随客户时间表进入量产,竞争对手SK海力士也在加速HBM4E研发。
尽管供应端出现新进展,但AI算力需求强劲,HBM4E的量产节奏对缓解当前缺货状况至关重要。
SK海力士推出iHBM散热方案,将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件,解决高功率密度下的散热瓶颈,并利用MR-MUF技术实现量产。
HBM需求及价格,提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
SK海力士推出集成散热元件的iHBM方案,将HBM5热阻降低30%。该技术通过在HBM与GPU间直接集成ICE,利用WLP和MR-MUF工艺解决高堆叠散热难题。
此举有望提升HBM5在AI数据中心的应用稳定性,强化SK海力士在高性能计算芯片领域的竞争优势。
微芯科技发布dsPIC33AK256MPS306数字信号控制器,针对AI数据中心电源和复杂电机控制,支持后量子加密。其dsPIC33AK128MPS103-I/M7型号大批量单价为1.20美元。
此为常规新品发布,对现有元器件供需及价格无直接影响。
Microchip推出SAM9X75D5M混合MCU SiP,专用于汽车数字座舱、HVAC控制及EV充电器。该芯片旨在满足汽车HMI领域对高性能混合信号处理的需求。
新产品发布暂无现货价变动。
Microchip推出SAM9X75D5M混合MCU SiP,起售价为5,000片起订的9.12美元。该芯片集成了Arm926EJ-S处理器与512 Mbit DDR2 SDRAM,支持MIPI DSI和TSN协议,面向汽车座舱和电动汽车充电器等应用。
新品上市,为汽车HMI市场提供高集成度解决方案。
Silvaco宣布立即提供Mixel的MIPI PHY IP组合,其专利拓扑宣称可减少35%面积和50%漏电功耗。该IP已在9家代工厂和12个工艺节点上验证,面向汽车、AR/VR等市场。
此为常规IP产品发布,未提及供应链中断、产能变化或价格影响,对交易无直接信号。
恩智浦发布i.MX 93W应用处理器,集成AI NPU与三模无线连接,可替代多达60个分立元件。该产品旨在加速智能建筑、医疗等领域的物理AI部署。
长期可能推动需求向高集成度SoC转移,但对分立元件现货供应及价格无直接影响。
英飞凌发布首款集成MCU与功率级的汽车电机控制SiP MOTIX TLE9954QSW40-33,宣称可减少30%元件数量并缩小40%PCB面积。该产品针对电动汽车热管理等空间受限应用,预计2026年第二季度初上市。
此为新产品发布,对现有分立元件的供应、需求及价格无直接影响。
移远通信在MWC发布基于Morse Micro MM8108芯片组的FGH200M Wi-Fi HaLow模块,宣称通信距离达1公里,为传统2.4GHz Wi-Fi的10倍。该模块面向智慧农业、城市及工业自动化等大规模物联网场景。
此为常规产品发布,对半导体供应链、需求及价格无直接影响。
Rebellions发布首款采用三星I-CubeS封装的四芯片AI加速器Rebel 100,基于SF4X工艺与UCIe-A互联。该方案通过四颗320mm² NPU芯片与HBM3E堆栈互联,旨在平衡性能与良率。
三星先进封装与HBM3E需求,关注新玩家对现有AI芯片市场的竞争压力。
Diodes公司推出首款锑化铟霍尔元件传感器系列,用于消费和工业领域的旋转及电流检测。此举旨在满足市场对采用SOT23-4和SIP-4标准封装的高灵敏度霍尔传感器的需求。
此为常规新品发布,对现有电子元件的供应、需求及价格无直接影响。
意法半导体发布基于MasterGaN1L系统级封装的250W谐振转换器参考设计EVL250WMG1L。此举旨在加速工业电源采用高效率、高功率密度的氮化镓技术。
该参考设计作为开发工具,可能长期提振GaN器件需求,但对当前现货价格与供应无直接影响。
Transphorm与伟诠电子新增两款150mΩ与480mΩ的650V GaN系统级封装产品。此举旨在扩展其基于SuperGaN平台的SiP产品家族,满足高压电源转换需求。
此次为常规新品发布,未提及产能、价格或供应变动,对当前交易面无直接影响。
Transphorm与伟诠电子联合发布100W USB-C PD电源适配器参考设计,采用WT7162RHUG24A SiP实现92.7%效率。此举旨在推广双方在GaN功率器件与电源控制芯片的解决方案。
此为技术应用展示,未涉及产能、价格或供应变动,对交易无直接方向性影响。
Transphorm与伟诠电子合作推出首款GaN系统级封装产品。该产品将Transphorm的GaN FET与伟诠电子的电源管理IC进行集成。
此次新品发布属于常规技术合作,未对现有元件的供应、需求或价格产生直接影响。
已经到底了
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |