英特尔2027年推LGA1700新CPU，DDR4/5主板支持
微星发布B760/H610主板BIOS更新，支持2027年初LGA1700处理器。该更新证实了英特尔基于原始雷鹰湖硅片的'雷鹰湖下一代'芯片计划。
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利多长期DDR4/DDR5及主板需求，但短期内无价格影响。
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- Gigabyte Technology、Intel
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微星发布B760/H610主板BIOS更新，支持2027年初LGA1700处理器。该更新证实了英特尔基于原始雷鹰湖硅片的'雷鹰湖下一代'芯片计划。
利多长期DDR4/DDR5及主板需求，但短期内无价格影响。
Kioxia推出LD4系列E1.L SSD，采用Gen8 QLC闪存。该产品专为超大规模数据中心的高密度1U服务器及读密集型应用设计。
新产品的发布主要影响产品线布局，短期内对现货价格无直接影响。
Kioxia推出搭载Gen 3 XL-FLASH技术的GP系列SSD，随机读取性能提升至2000万IOPS以上。新款LD4 SSD采用PCIe 5接口和BiCS 8 218层闪存，面向AI数据中心市场。
AI算力需求推动高性能存储升级，但新品发布暂无现货价影响。
华为Mate 90系列四款机型（标准版、Pro、Pro Max及RS版）已公布详细SKU配置，涵盖12+256GB至16+1TB多种存储档位。此次发布明确了高端旗舰机型的具体硬件需求，特别是对大容量存储和旗舰SoC的配置要求。
该机型发布将直接拉动高端DRAM与NAND Flash的出货需求，需密切跟踪供应链备货情况。
Lattice半导体推出Mach-N2 FPGA系列，集成闪存与后量子密码学功能，今日可下单。该系列面向长期基础设施项目，满足CNSA 2.0合规及系统控制与安全需求。
新产品发布虽具技术前瞻性，但短期内对现货价格影响中性。
DapuStor发布J5060企业级SSD，通过牺牲6%至20%的QLC容量换取更快的随机写入性能。该产品旨在解决QLC写入慢的问题，但目前缺乏定价及上市时间。
新品发布暂无现货影响。
vivo X500起售价上涨1100元，主因存储成本压力。新一代旗舰集中发布，厂商通过涨价抢占换机预算。
存储芯片与图像传感器需求，预计相关元件现货价将维持坚挺。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。
关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。
Synopsys在DAC 2026展示TetraMem与ANAFLASH的内存计算技术，TetraMem计划2026年量产多级ReRAM芯片。两家公司通过在非易失性内存内直接计算，旨在解决数据中心HBM功耗与带宽瓶颈。
边缘AI领域技术路线变革，短期对现有存储芯片供需无实质影响。
AMD发布Threadripper Halo工作站，搭载4颗MI350P加速卡及576GB HBM3e显存。该系统专为本地AI研究设计，预计售价10万至15万美元。
高端AI加速卡及HBM3e需求预期提升。
Kioxia展示了最新闪存技术以解决DRAM和SSD的存储问题。该内容为FMS技术的演示文稿片段。
新产品发布可能影响未来市场需求。
紫光闪存发布E5300 PCIe Gen5 SSD，采用国产主控与SK海力士3D eTLC NAND，顺序性能达14GB/s。该产品覆盖30.72TB大容量，适配多平台环境，体现国产存储技术突破。
新产品发布，短期供需无显著影响，属于技术趋势观察。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
技嘉发布两款B450主板。该产品针对预算装机及AM4平台升级，支持Ryzen 5000但无PCIe 4.0及DDR5。对现货价格无直接影响。
大普微在FMS 2026峰会上展示了512TB级EDSFF E2外形规格的PCIe Gen5 QLC NVMe SSD。该产品基于自研DP800控制器和3D eQLC NAND，此前最大容量为256TB。
新产品发布通常对现有256TB级库存造成短期压力，但无直接现货价影响。
铠侠发布GP1系列企业级SSD，采用PCIe 6.0接口与XL-FLASH技术，旨在降低AI算力集群对HBM的依赖。该产品提供1000万IOPS性能与50 DWPD耐久度，且每GB成本低于HBM。
企业级SSD市场迎来新技术替代方案，但短期对现货价格影响中性。
麦景泰认证Infineon 512 Mb Quad SPI NOR Flash用于C-X1车机平台，支持AI语音助手等高级功能。此举反映高端车用存储需求增长。
车用NOR Flash需求。
三星在FMS 2026展示面向AI基础设施的新一代3D内存产品，涵盖DRAM、NAND和企业存储。该技术旨在提升性能与能效。
三星宣布zHBM性能约为下一代HBM5的8倍，密度为10倍以上，预计2029年量产。该技术旨在通过直接堆叠在AI加速器上来解决带宽瓶颈，与SK海力士的HBF形成竞争。
铠侠宣布推出基于XL-FLASH的CXL内存扩展模块XL1，计划本月向合作伙伴出样。该模块利用SCM技术降低延迟并提升可靠性，旨在弥合DRAM与SSD在性能成本间的差距。
NAND Flash技术路线，中性影响短期现货价格。