Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
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新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
YAGEO推出用于碳化硅和氮化镓栅极驱动的LLC变压器及多层压电致动器。此举旨在拓展其在高功率电子与精密运动控制领域的应用版图。
该新品对相关细分市场需求的结构性拉动。
HMD Slate Tab 5G曝光15.6寸2K屏，Skyline 2搭载骁龙7s Gen 4处理器。该机设计灵感源自微软Surface，预计随Skyline 2一同发布。
新机发布对OLED面板及高通芯片需求的潜在拉动。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容，最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布，短期对现货价格影响中性。
AMD正式发布EPYC 9006系列服务器CPU，涵盖8至256核共31款SKU，定价区间为700至14,904美元。该系列采用Zen 6架构，面向高端数据中心及AI场景。
新架构发布可能提振数据中心需求，但短期对现货市场影响中性。
东芝推出IX800FXF2YMS4，一款用于工业设备的第三代3300V SiC MOSFET模块。该产品针对铁路车辆和可再生能源系统进行了优化。
该产品展示了东芝在高压SiC领域的持续技术升级。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
Alkaidsemi推出全球首款1200V SiC超结MOSFET。该产品率先完成验证，瞄准AI服务器电源及高压直流数据中心架构。
验证成功有助于抢占AI服务器电源市场，利好SiC功率芯片需求预期。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
Taisic Materials于9月2日推出p型SiC衬底，用于超高压电网及铁路系统。该产品隶属于Kenmec集团，旨在满足高功率电气系统的需求。
该新产品对SiC衬底市场的潜在需求拉动。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样，散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡，未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
Coherent Corp开始向AI半导体合作伙伴送样300mm高导热碳化硅衬底。此举旨在推进其可扩展材料平台，以满足AI和高性能计算系统日益增长的散热需求。
该产品发布预示着AI散热材料需求增长，可能推动相关SiC衬底供应链的长期需求。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
AMD下一代RDNA5显卡预计定价1000-1200美元，CU单元数量提升50%。该架构代号DCN6，预计2027年中至2028年初发布，重返旗舰市场。
技术规格提升显著，但发布时间较晚，对当前现货市场无直接影响。
三星Galaxy F70 Pro现身Geekbench，跑分显示其搭载骁龙6 Gen 3芯片。该机配备8GB内存、6.7英寸120Hz屏幕及6000mAh电池。
新机搭载骁龙6 Gen 3，对相关芯片需求有轻微提振作用。