Wolfspeed起诉Navitas,拟禁售GaN/SiC产品
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利,寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒,而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张,双方在功率半导体领域竞争加剧。
若禁令生效,Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
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Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利,寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒,而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张,双方在功率半导体领域竞争加剧。
若禁令生效,Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
慕尼黑地方法院7月3日裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利,禁止其在德国销售。这是英飞凌赢得的第四起相关裁决,加剧了上海GaN市场的竞争。
禁令限制了供应,预计将推高GaN价格。
慕尼黑地方法院裁定Innoscience当前GaN功率器件不侵犯Infineon德国专利。该裁决与上月美国ITC判决一致,仅针对已停产的旧款产品。
确认Innoscience核心产品全球市场准入无虞,供应风险解除。
TrendForce指出,中国“大基金”及地方政府的第三代半导体补贴规模远超韩国的49.4亿美元R&D计划。在AI数据中心对功率半导体需求激增的背景下,中国供应商在SiC和GaN技术上取得进展,挑战了现有IDM。
大规模政府补贴可能引发产能扩张和价格竞争,迫使新进入者寻求下一代技术。
中国最高法院裁定英飞凌侵犯专利,禁止其在华销售GaN芯片。双方均为英伟达800V AI电源供应商,此前在美欧中多地展开专利诉讼。
中国GaN市场供应格局重塑,英飞凌面临断供风险,价格看涨。
美国国际贸易委员会裁定Innoscience侵犯英飞凌GaN专利,并下令禁止其产品在美国进口和销售。该裁决面临60天总统审查期,且Infineon在慕尼黑法院的诉讼中亦占据优势。
英飞凌GaN市场份额,利空Innoscience美国业务,GaN供应趋紧。
英飞凌胜诉美国ITC,裁定Innoscience侵犯GaN专利。美国国际贸易委员会维持初步裁决,可能限制Innoscience产品出口。
Innoscience,利多英飞凌GaN市场份额。
Innoscience获美国ITC终裁,确认其当前GaN器件不侵犯Infineon专利,美国出货不受限。裁决仅认定旧款产品侵权且已停产,不影响现有商业供应。
消除了进口禁令风险,保障了Innoscience GaN产品在美国及全球市场的供应连续性。
德国英飞凌确认美国ITC对中企英诺赛科GaN芯片下达进口及销售禁令。裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利,涉及8英寸硅基GaN功率芯片。
英诺赛科美国市场出货,禁令生效前尚有60天总统审查期。
Innoscience胜诉GaN专利诉讼,英飞凌无效请求被驳回。北京知识产权法院确认其8英寸硅衬底GaN核心技术专利有效。
知识产权纠纷将重塑GaN市场竞争格局。
美国能源部宣布向五个项目提供540万美元,旨在重启国内原生镓回收以建立安全供应链。此举旨在减少对进口镓的依赖,保障国防与半导体领域需求。
虽为战略布局,但短期供应增量有限,对现货价格影响中性。
白宫拟利用国防部AI模型为锗、镓、锑、钨等关键矿产制定参考价格,国内钨、稀土等管制品种价格持续上涨。盛合晶微IPO获批募资48亿元扩产先进封装,叠加AI芯片扩产带动配套设备材料需求。
关键矿产政策定价预期支撑价格,先进封装产业链获资本持续加码。
特朗普政府通过五角大楼OPEN项目,计划为锗、镓、锑、钨四种关键矿产制定“AI参考价”。此举旨在重塑由中国主导供应的半导体与国防工业关键金属的定价体系。
新的算法定价机制可能引发供应链不确定性,影响相关金属的贸易与采购成本。
澳大利亚政府宣布投资12亿澳元建立关键矿产战略储备,旨在保障锂、钴、稀土等供应。此举响应了西方国家减少关键原材料供应链集中风险的共同战略。
政策长期可能收紧镓、锗等半导体原料供应,但短期对现货价格直接影响有限。
美国ITC初步裁定英诺赛克侵犯英飞凌一项GaN技术专利(US 9,899,481)。该裁决是两家GaN功率芯片制造商之间法律纠纷的一部分。
该初步裁决为英诺赛克GaN产品在美国市场的供应链带来潜在中断风险,最终裁决及可能的进口限制将决定实际影响。
ElementUSA获美国防部2990万美元资助,将在路易斯安那州建设从工业废料中提取镓和钪的示范工厂。此举是美国通过《国防生产法》减少对关键矿物外国依赖战略的一部分。
长期看可能增加美国本土镓、钪供应,影响相关材料供应链格局。
美国能源部宣布提供600万美元研发资金,用于从金属加工原料中回收镓。此举旨在减少对中国等外国镓供应源的依赖,以保障半导体关键材料安全。
此为长期政策信号,可能在未来收紧全球镓供应并支撑价格,但对当前交易无直接影响。
AXT子公司北京通美晶体获中国商务部出口许可,恢复向部分客户发货磷化铟衬底。此前中国对镓、锗相关物项实施出口管制。
关键化合物半导体材料的供应限制部分缓解,预计将稳定下游客户采购并缓和价格压力。
慕尼黑地方法院一审判决英飞凌在针对英诺赛科的GaN-on-Si专利侵权案中胜诉。该判决涉及英诺赛科在8英寸硅衬底上制造的氮化镓功率芯片技术。
若禁令执行,可能扰乱英诺赛科在欧洲的GaN芯片供应,利好英飞凌等竞争对手,但对依赖英诺赛科低成本方案的采购方构成供应链风险。
METLEN投资希腊铝业工厂的镓生产项目被欧盟列为《关键原材料法案》下的战略项目。此举旨在提升欧盟对镓这一半导体关键材料的本土供应能力。
长期产能扩张可能缓解未来镓的供应瓶颈,影响用于功率和射频芯片的砷化镓/氮化镓材料供应链。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |