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英飞凌GaN专利案胜诉，英诺赛科8英寸产线面临风险
慕尼黑地方法院一审判决英飞凌在针对英诺赛科的GaN-on-Si专利侵权案中胜诉。该判决涉及英诺赛科在8英寸硅衬底上制造的氮化镓功率芯片技术。关注：若禁令执行，可能扰乱英诺赛科在欧洲的GaN芯片供应，利好英飞凌等竞争对手，但对依赖英诺赛科低成本方案的采购方构成供应链风险。
GaN-on-Si Power Chips
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来源：Semiconductor Today · 2025/8/1 · 查看原始来源
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