NuAxi半导体贸易情报
美ITC裁定英诺赛克侵犯英飞凌GaN专利
发生了什么
美国ITC初步裁定英诺赛克侵犯英飞凌一项GaN技术专利（US 9,899,481）。该裁决是两家GaN功率芯片制造商之间法律纠纷的一部分。关注：该初步裁决为英诺赛克GaN产品在美国市场的供应链带来潜在中断风险，最终裁决及可能的进口限制将决定实际影响。
影响与信号
中影响影响力评分：45/100
受影响器件与厂商
GaN Power TransistorsGaN-on-Silicon Power Chips
Innoscience (Suzhou) Technology Holding Co LtdInfineon Technologies AG
ITCpatenttrade-disputesupply-risk
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2025/12/3 · 查看原始来源
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