Wolfspeed起诉Navitas,拟禁售GaN/SiC产品
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利,寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒,而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张,双方在功率半导体领域竞争加剧。
若禁令生效,Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
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Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利,寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒,而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张,双方在功率半导体领域竞争加剧。
若禁令生效,Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
慕尼黑地方法院7月3日裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利,禁止其在德国销售。这是英飞凌赢得的第四起相关裁决,加剧了上海GaN市场的竞争。
禁令限制了供应,预计将推高GaN价格。
慕尼黑地方法院裁定Innoscience当前GaN功率器件不侵犯Infineon德国专利。该裁决与上月美国ITC判决一致,仅针对已停产的旧款产品。
确认Innoscience核心产品全球市场准入无虞,供应风险解除。
TrendForce指出,中国“大基金”及地方政府的第三代半导体补贴规模远超韩国的49.4亿美元R&D计划。在AI数据中心对功率半导体需求激增的背景下,中国供应商在SiC和GaN技术上取得进展,挑战了现有IDM。
大规模政府补贴可能引发产能扩张和价格竞争,迫使新进入者寻求下一代技术。
中国最高法院裁定英飞凌侵犯专利,禁止其在华销售GaN芯片。双方均为英伟达800V AI电源供应商,此前在美欧中多地展开专利诉讼。
中国GaN市场供应格局重塑,英飞凌面临断供风险,价格看涨。
美国国际贸易委员会裁定Innoscience侵犯英飞凌GaN专利,并下令禁止其产品在美国进口和销售。该裁决面临60天总统审查期,且Infineon在慕尼黑法院的诉讼中亦占据优势。
英飞凌GaN市场份额,利空Innoscience美国业务,GaN供应趋紧。
英飞凌胜诉美国ITC,裁定Innoscience侵犯GaN专利。美国国际贸易委员会维持初步裁决,可能限制Innoscience产品出口。
Innoscience,利多英飞凌GaN市场份额。
Innoscience获美国ITC终裁,确认其当前GaN器件不侵犯Infineon专利,美国出货不受限。裁决仅认定旧款产品侵权且已停产,不影响现有商业供应。
消除了进口禁令风险,保障了Innoscience GaN产品在美国及全球市场的供应连续性。
德国英飞凌确认美国ITC对中企英诺赛科GaN芯片下达进口及销售禁令。裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利,涉及8英寸硅基GaN功率芯片。
英诺赛科美国市场出货,禁令生效前尚有60天总统审查期。
Innoscience胜诉GaN专利诉讼,英飞凌无效请求被驳回。北京知识产权法院确认其8英寸硅衬底GaN核心技术专利有效。
知识产权纠纷将重塑GaN市场竞争格局。
美国ITC初步裁定英诺赛克侵犯英飞凌一项GaN技术专利(US 9,899,481)。该裁决是两家GaN功率芯片制造商之间法律纠纷的一部分。
该初步裁决为英诺赛克GaN产品在美国市场的供应链带来潜在中断风险,最终裁决及可能的进口限制将决定实际影响。
AXT子公司北京通美晶体获中国商务部出口许可,恢复向部分客户发货磷化铟衬底。此前中国对镓、锗相关物项实施出口管制。
关键化合物半导体材料的供应限制部分缓解,预计将稳定下游客户采购并缓和价格压力。
慕尼黑地方法院一审判决英飞凌在针对英诺赛科的GaN-on-Si专利侵权案中胜诉。该判决涉及英诺赛科在8英寸硅衬底上制造的氮化镓功率芯片技术。
若禁令执行,可能扰乱英诺赛科在欧洲的GaN芯片供应,利好英飞凌等竞争对手,但对依赖英诺赛科低成本方案的采购方构成供应链风险。
METLEN投资希腊铝业工厂的镓生产项目被欧盟列为《关键原材料法案》下的战略项目。此举旨在提升欧盟对镓这一半导体关键材料的本土供应能力。
长期产能扩张可能缓解未来镓的供应瓶颈,影响用于功率和射频芯片的砷化镓/氮化镓材料供应链。
美国专利局在强化EPC一项GaN基础专利的同时,取消了此前ITC裁定英诺赛科侵权所依据的两项关键权利要求。EPC将对取消的裁决提出上诉,案件走向未定。
该专利纠纷的持续为英诺赛科GaN器件供应带来不确定性,若ITC禁令风险重现,可能影响市场价格与可获得性。
美国ITC确认英诺赛科侵犯宜普电源转换公司的核心GaN专利。该专利涉及用于快充、AI及汽车应用的GaN-on-Si技术。
裁决可能导致英诺赛科相关GaN产品供应受限,影响市场供需格局。
英诺赛科技在ITC初裁中击败EPC的'508专利,未发现侵权。该裁决源于EPC发起的专利侵权调查,旨在阻止英诺赛科技产品进入美国市场。
英诺赛科技供应链中断风险降低,但GaN功率器件市场竞争可能加剧。
美国国防部通过《国防生产法》向5N Plus拨款1440万美元,用于维持并扩大太空级锗衬底产能。此举旨在强化国防和商业卫星太阳能电池的国内供应链韧性。
政策资金锁定特定高端材料产能,可能加剧非国防优先采购方的供应紧张。
美国专利商标局3月20日决定对EPC起诉英诺赛科的两项专利启动有效性复审,认为后者胜诉可能性合理。这是两家GaN-on-Si功率半导体公司之间长期专利纠纷的最新进展。
若英诺赛科胜诉,将降低其客户供应链的法律风险并可能加剧市场价格竞争,但暂无直接价格影响确认。
AXT子公司北京通美晶体已获得中国商务部首批出口许可,可恢复向特定客户发货砷化镓和锗衬底。此举源于中国自2023年7月起对镓、锗相关物项实施的出口管制。
关键衬底材料供应瓶颈部分缓解,预计将稳定此前受出口限制影响的材料价格。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |