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EPC与英诺赛科GaN专利纠纷再生变数
美国专利局在强化EPC一项GaN基础专利的同时,取消了此前ITC裁定英诺赛科侵权所依据的两项关键权利要求。EPC将对取消的裁决提出上诉,案件走向未定。关注:该专利纠纷的持续为英诺赛科GaN器件供应带来不确定性,若ITC禁令风险重现,可能影响市场价格与可获得性。
GaN FETGaN Power IC
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来源:Semiconductor Today · 2025/3/21 · 查看原始来源
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