英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
ASE于10月16日与成功大学(NCKU)、中山大学(NSYSU)及中正大学(CCU)共同发布18个技术研究项目，聚焦先进封装整合以及关键制程与材料的开发。该消息为研究合作项目的公布，属于计划性质，对具体产品供应或价格无直接影响。
根据标题，本文为分析文章，讨论TSMC-GF交易将成熟制程引入AI封装及其对中国的影响。正文指出，随着全球晶圆产能快速扩张，TSMC和GlobalFoundries (GF)正在强调一个服务于先进应用、快速增长的成熟制程市场。具体而言，先进封装中对硅中介层、硅通孔(TSV)和嵌入式深沟槽电容器(eDTC)的需求，正在为成熟制程产能创造一个可观的蓝海市场。正文未说明交易的具体条款、状态或进展细节。
中国最大的芯片设备制造商正通过收购方式进入混合键合（hybrid bonding）领域，这是一种先进封装工艺，全球厂商从Besi到ASML也在竞相追逐。分析师指出，对中国企业而言利害关系不同：由于美国出口管制限制了获取先进制程晶体管微缩所需设备的渠道，更密集地堆叠和连接芯片已成为缩小性能差距所剩无几的路径之一，华为将这一路线概括为其'Tau scaling law'（Tau扩展定律）。事件为正在进行的收购布局，具体收购标的、金额与时间表原文未说明。
KeyBanc近期亚洲调研的相关转述消息称，英特尔代工服务已取得多家科技公司的项目进展，涉及博通、Google、苹果、AMD、微软和英伟达，项目包括为博通制造网络交换芯片、为Google和微软生产服务器CPU、为苹果制造A系列与M系列处理器、为AMD生产客户端处理器计算模块，以及为英伟达Rubin游戏显卡代工芯片；亚马逊AWS、Anthropic和SpaceX/Tesla旗下Terafab据称仍在评估英特尔14A与18A-P工艺。报道明确指出，客户名单及合同状态尚未得到英特尔或相关公司公开确认，且未披露签约范围、具体制程、投片时间或采购数量，不宜视为已确认的量产订单。KeyBanc估算：苹果项目可能涉及约60万片晶圆，潜在收入150亿至200亿美元；Anthropic定制ASIC项目可能达500万至1000万颗，若计入先进封装，潜在收入或为400亿至800亿美元；英特尔EMIB-T先进封装或为Google TPU项目带来约120亿至150亿美元收入，EMIB-M也可能参与亚马逊Trainium 3及微软Cobalt 400相关项目，均为分析师估算而非已披露合同金额或实际营收。背景方面，英特尔称18A工艺已进入自有产品量产阶段，18A-P于2026年上半年进入风险试产，且在相同功耗下性能较18A提高约9%或在相同性能下功耗降低约18%；14A风险试产目标为2027年下半年，内部产品计划2028年进入高量产爬坡，相较18A在相同功耗下可提升15%至20%性能或在相同性能下降低25%至35%功耗、密度最高提升约30%，这些为厂商制程目标数据，未经第三方客户产品验证。原文未说明原因为该消息属未证实的分析师转述。
三星风投(Samsung Ventures)与应用材料旗下风投部门Applied Ventures投资了总部位于美国的Flexcompute,支持其旨在在制造前预测半导体封装变形的仿真技术。原文未说明投资金额及轮次。投资背景为：日益复杂的AI芯片在管理热应力、翘曲和制造良率方面带来新挑战。该事件为投资发生的事实，不涉及产能或价格变化。
GlobalFoundries 已与 TSMC 达成多年制造协议，以扩大其位于纽约 Malta 工厂的硅间隔器产能，供应 TSMC 的 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 先进封装生态系统。该协议预计价值为 20 亿美元，为期五年。
西门子宣布推出Tessent™ Silicon Executable（TSE）软件，这是一款独立应用程序，可将测试图形转换并直接应用到高速接口与协议（标题提及PCIe和USB）上执行，并从测试设备生态系统向Tessent In-System Test片上硬件传递测试数据。该软件是西门子宣布的产品发布，属于生态合作性质：TSE与自动测试设备（ATE）供应商Advantest和Teradyne合作发布。Advantest表示将把西门子TSE集成到其带Link Scale的V93000平台，并通过SiConic扩展至硅前验证和DFT实验室工程；Teradyne表示已将Tessent Silicon Executable集成到其UltraFLEXplus的UltraPort仪器中，并称其是首家为客户提供通过PCIe运行SSN、面向PCIe Gen 6接口的标准路径的测试机公司，称这可显著提升性能并缩短测试时间。西门子EDA的Ankur Gupta给出的原因是：硅复杂性、多裸片和新晶体管技术正在推动测试内容增长。原文未提供价格或市场影响的量化数据。
据经济日报报道，NVIDIA在加州圣何塞举行的OCP全球峰会上宣布计划推出每通道400Gb/s的光模块规范，并与思科合作开发超密集小型可插拔（USFP）规范，设计目标为支持每通道400Gb/s。两家公司表示，新设计预计可提供现有每通道200Gb/s光器件4倍的带宽密度和1.3倍的能效，并有通往12.8Tb/s总容量的路径；双方计划建立开放行业规范，可能促使主要云服务商采用，为可插拔光模块市场带来新机会，经济日报点名Luxnet与PCL Technologies为潜在受惠者。上述4倍与1.3倍数据为公司预期，事件仍处于规划/规范制定阶段。报道另提及：Meta在其下一代IcePack液冷网络机架的IceCube平台采用NVIDIA Spectrum-6交换机芯片；NVIDIA独立Vera CPU MGX机架已进入量产并开始出货，采用台积电3nm制程，据报性能较传统x86 CPU高50%、每瓦性能为其两倍；Commercial Times列出12家台湾Vera CPU MGX机架合作伙伴，包括富士康、广达旗下QCT、纬创、纬颖、英业达、仁宝、和硕、神达、华硕、技嘉、微星及华擎旗下ASRock Rack；NVIDIA并在第三代MGX 1.2规范下开放Vera Rubin机架与算力托盘设计，算力托盘模块化液冷设计移除内部线缆、软管与风扇，组装与维护时间从数小时缩短至数分钟，并支持最高5000安培以提升功率密度。
科瑞思公告，公司筹划通过发行股份及支付现金的方式购买深圳市宏钢光电封装技术股份有限公司100%股权，并募集配套资金，公司股票停牌。该事项目前处于筹划阶段，原文未说明交易金额、时间表等细节。
科瑞思拟收购深圳市宏钢光电封装技术股份有限公司100%股权以拓展封装业务。标的主营光通讯管壳及激光器管壳等。
标的业务整合进度及后续产能释放情况。
Global Technology于10月12日表示，已与Sungho Electronics子公司ADST开始共同开发用于ADST主动对准设备的紫外(UV)固化光源单元，该设备用于制造CPO系统及高速光收发器。项目涵盖UV固化LED驱动IC、UV LED光源模块和控制单元。主动对准设备在CPO量产工艺中执行光学对准，需以亚微米精度定位光纤、透镜和光学器件后用UV固化胶固定，UV输出与曝光时间须精确控制以减少固化时的收缩与位移。Global Technology指出，国内设备制造商此前大多依赖进口UV固化光源。这是两家公司继下一代显示器micro-LED合作后的第二次合作，计划构建国内量产生态并实现关键设备组件本土化；开发完成后，双方考虑将光源单元部署于ADST设备。Sungho Electronics是ADST母公司，也是Global Technology的战略投资者。业界预计2027或2028年1.6T级设备开始采用时CPO商业化将加速。
韩国证券公司GF Securities报告称，英伟达可能在其部分后端应用中采用英特尔的Foveros封装技术。尽管英特尔在前端制造方面落后于台积电，但其后端技术（EMIB、EMIB-T）已成熟。
英特尔代工部门有望获得英伟达订单，缓解台积电在后端制造方面的压力。
格芯将向台积电供应CoWoS封装用硅中介层，预计2028年交付。此举旨在强化台积电先进封装产能，利用格芯美国工厂制造能力。
长期供应格局变化，短期现货价格影响有限。
GlobalFoundries 宣布与 TSMC 达成 20 亿美元的制造协议，将生产 AI 芯片组件（硅间隔片）并在其纽约马耳他设施增加制造产能；产量预计将在 2028 年上半年开始 ramp up，协议初始期限为五年，并包含未来扩产的框架。
韩国GF证券分析师Jeff Pu预测英伟达或于2028年下半年在部分新一代AI芯片中采用英特尔Foveros先进封装技术。此举标志着英特尔在先进逻辑制程受限的情况下，通过先进封装切入英伟达供应链的战略尝试，可能采取台积电制造与英特尔封装的混合模式。
该预测暗示英特尔先进封装产能潜在增长，但TrendForce指出CoWoS仍是主流，对当前价格影响有限。
PCB Technologies签署了收购Gorilla Circuits的最终协议，交易价值为1.2亿美元企业价值，需经CFIUS等监管机构批准，预计在八个月内完成。该交易旨在提供进入美国市场的途径和本土生产能力。
GlobalFoundries于2026年10月8日与台积电签署了一份为期多年、价值20亿美元的制造协议，在纽约Malta晶圆厂为台积电CoWoS生态系统生产硅中介层，GF称这将成为首个支持先进封装的美国硅中介层来源。