GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
三星在2026年GMIF创新峰会（深圳）上展示了业界首个400层以上V-NAND（V10 BV-NAND），相比V9位密度提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%。快科技10月19日消息。
SK Hynix正在强化其量测与检测（MI）能力，因为向3D DRAM架构的过渡以及日益复杂的NAND堆叠给传统半导体检测技术带来了新的挑战。原文未说明原因以外的具体措施、时间表或对产能与价格的影响。
摩根士丹利发布报告《追踪AI 1.6万亿美元资金流向》，首次绘制2027年AI资本支出流向图：超大规模云服务商2027年支出达1.58万亿美元，在S&P 500从AI资本支出吸收的约1.03万亿美元收入中，67%（约6900亿-7000亿美元）流向英伟达一家，其余499家S&P成分股合计仅分得约3400亿（3390亿）美元，另有约5500亿美元流向指数之外的韩国存储、台湾ODM及私有企业；剔除英伟达后，AI资本支出对S&P 500销售额的贡献仅为1.6%。报告预计AI资本支出将直接驱动S&P 500约25%的销售增长，AI相关企业贡献2027年标普78%的盈利增长。风险方面：超大规模云服务商已披露逾1.1万亿美元尚未启动的租约承诺（截至2026年第二季度达1.118万亿美元，仅两个季度翻逾一倍，微软3290亿、甲骨文2880亿、Meta 2790亿美元），被定性为变相债务；计入租约后2027年资本支出由1.39万亿美元（现金口径）升至1.58万亿美元（同比增速约60%），2028年由1.57万亿美元升至1.81万亿美元，租约分别新增1950亿和2460亿美元；信用策略师预计2027年将是超大规模云服务商自由现金流缺口最大的一年；超大规模云服务商今年迄今已发行约2550亿美元无担保债券（约占2026年预估资本支出的30%），综合收益率年初以来上升100至180个基点。摩根士丹利预计AI资本支出增速将从2027年的约60%放缓至2028年的约14%；其电力模型显示美国本土2028年前面临32GW净缺口、2029年前扩大至约72GW。报告并警告，当前买家存在"担心错过采购"心理，一旦供给追上需求该逻辑将逆转，援引2022年NAND周期（出货量仅下滑约5%但价格跌幅达20%至30%）为例，认为市场低估了量价同时下行的风险。以上均为预测与风险提示，并非已实现结果。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
硬件爆料者KeplerL2近日在NeoGAF论坛称，索尼下一代PlayStation主机的RAM与NAND闪存成本合计已超过680美元；该数字仅来自论坛发言，没有公开成本拆分、供应商报价或计算方法，索尼也尚未公布PS6的硬件规格、售价或上市时间，属于未经证实的估算。此前流传的配置包括GDDR7统一内存、160位总线、30GB容量（传闻容量上限可能达40GB，较可能为30GB），数据传输速率可能达每引脚32Gb/s、对应理论带宽约640GB/s，均未获索尼确认。报道未给出NAND闪存容量，也未说明680美元中RAM与存储各自占比。TechPowerUp此前引用KeplerL2的另一估算称，PS6整机物料成本可能从今年3月的约760美元升至7月的约960美元，该整体成本同样没有公开明细；现阶段关于PS6最终售价超过1000美元的说法也只是市场推测。文中将成本压力归因于DRAM与NAND市场供应紧张，以及人工智能数据中心对内存和存储的需求挤压其他产品供应；若内存成本持续高企，索尼可能需要调整容量、硬件配置、补贴策略或上市节奏。
据10月16日消息，韩国固态硬盘主控与方案企业 FADU 在 2026 OCP 全球峰会上发布了世界首款 FS-SSD（文件语义固态硬盘）。FS-SSD 内置文件处理固件，配套嵌入文件请求的 NVMe 命令，使 SSD 能理解和管理文件、可直接同加速器通信，略过 CPU、内存和软件层；传统结构中加速器访问存储文件需经 CPU 中介，带来更高延迟和 CPU 负载。FADU 计划将 FS-SSD 发展成为基于 DPU 的无主机存储服务器和可扩展文件存储解决方案（该计划为规划，尚未实现）。FADU 此次还展示了其 PCIe Gen6 SSD 主控 FC6161 "Sierra"，其性能达到上代产品的 2.5 倍；整盘顺序写入功耗＜28W，空载功耗＜5W；主控读取功耗＜6W、写入功耗＜7W。
SK海力士的模拟结果显示，NAND可用于运行AI运算：其3D FeNAND将电荷捕获层替换为铁电层以实现模拟存内计算（A-CiM），模拟中吞吐量约为10–20倍，能效约为4,000–5,000倍。此结果为模拟数据，来源未说明任何生产或商用计划，也未说明相关日期。
据Counterpoint Technology Market Research，在AI驱动的NAND需求进入超级周期的背景下，长江存储(YMTC)预计将成为增长最快的存储供应商：其2026年营收预计增速比整个行业及其同行快六倍，因为公司正积极扩张服务器相关业务。该内容为市场研究机构的预测，并非已实现业绩；文中未说明具体原因以外的细节。标题显示YMTC押注高端eSSD以与三星竞争。
中国半导体与计算硬件企业在2026年前九个月报告或预测了强劲的盈利增长，其驱动因素为AI基础设施投资、对国产处理器和光互连的需求以及芯片市场复苏。但季度业绩出现分化，凸显出AI驱动的增长与传统存储器定价周期之间日益扩大的差距，其中DRAM和NAND的价格涨幅正在减弱。原文未说明DRAM、NAND价格涨幅减弱的具体原因，亦未披露具体公司或具体数字。
中信证券研报指出，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块；除宏观因素扰动（原油价格波动上涨，通胀与利率预期重新抬头）外，产业界对长鑫科技4F²技术进展的关注度上升。研报称，市场担心中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局，动摇海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑。从产业进展看，目前DRAM技术仍以6F²单元结构为主，4F²技术落地需看三星电子和长鑫科技的进展；4F²技术目前仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等指标，对中短期存储产业影响相对较小。中信证券建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
中信证券发布研报，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。研报称近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块，并提及宏观相关因素（原文标题此处被截断，完整原因不明）。该内容为券商投资建议，属于背景信息；除标题所述外，正文未提供具体数据、个股或原因细节。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
中国的杨江存储技术（YMTC）正在开发下一代 4F² DRAM 设计，目标数据传输速率为 9,600 MT/s，扩展 beyond NAND flash，并追求约 330 亿元人民币（约 49.3 亿美元）上海首次公开发行。
据ZDNet报道，SK hynix发布了超轻量级事务处理单元(H-TPU)架构，用于SSD数据面控制与事务处理，将存储控制任务分布在数十个紧凑的H-TPU集群上。据副总裁Koo In-jae（负责SoC设计）介绍，H-TPU取消超标量与乱序执行等复杂CPU特性，采用简化的四段流水线，使处理器面积降至传统CPU核心的约4%、功耗降至约2.5%，且仅激活所需模块。SK hynix还计划基于H-TPU引入硬件自动化(HWA)，将指令处理、数据地址查找、临时缓冲区复制等重复性存储控制任务交给专用硬件电路。SK hynix预期基于H-TPU的控制器架构可与面向AI工作负载的高带宽闪存(HBF)互补；AI推理高度读密集，读写比可达约30万比1，AI编译器与运行时可提前告知HBF SoC数据处理需求以预取数据。另据韩联社报道，三星已于2026年7月开始量产基于PCIe 6.0的企业级SSD PM1763，采用新开发的4nm控制器与第九代V-NAND，性能为前代的两倍以上、能效超过1.8倍。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
存储芯片模组厂商江波龙周三发布业绩预告：预计2026年前三季度归母净利润达140亿至149亿元，同比增长1864.55%至1990.84%；营业收入380亿至400亿元，较上年同期167.34亿元近乎翻倍有余。第三季度单季扣非净利润区间为37.53亿至47.53亿元，同比增幅高达740.33%至964.26%；前三季度扣非净利润同比增幅约为2782%至2991%，第三季度单季增幅已回落至740%至964%区间。公司同时披露第三季度经营性现金流量净额已实现转正，期末资产负债率降至50%以下。公司在公告中示警，受前期较高价格基数影响，DRAM和NAND Flash价格涨幅较前期明显收窄，存储价格上涨对公司盈利的边际贡献显著趋缓，存储行业正在从消费类价格周期转向AI驱动技术周期。公司称盈利韧性来自客户与产品结构优化，UFS 4.1、mSSD、ePOP5x等高端新品已在多家大客户实现规模化商业应用，端侧AI技术合作拓展至AMD、高通、紫光展锐等企业。该预告数据为财务部门初步核算结果，尚未经审计机构审计，具体数据将于2026年三季度报告中正式披露。
2026年10月15日，SK hynix disaggregating SSD controller cores，开发H‑TPUs（Hynix‑Tensor Processing Units）以离载主控制器CPU的低级读写命令处理、元数据管理和缓冲区控制，计划在其下一代企业级SSD及Storage Next SSD控制器中部署H‑TPU。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |