长鑫存储Q2份额升至9.5%，马斯克指HBM难攻克
长鑫存储2026年Q2全球DRAM市场份额升至9.5%，但马斯克指出中国在高带宽内存（HBM）等先进技术上仍面临封装与良率挑战。
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长鑫存储份额提升但高端技术突破难度大，市场格局分化明显。
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- 长鑫存储、三星电子、SK海力士、美光科技、SpaceX、Tesla
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长鑫存储2026年Q2全球DRAM市场份额升至9.5%，但马斯克指出中国在高带宽内存（HBM）等先进技术上仍面临封装与良率挑战。
长鑫存储份额提升但高端技术突破难度大，市场格局分化明显。
Advantest和Teradyne主导全球市场，但HBM4订单及中国供应商崛起正在重塑格局。中国厂商如TBSTest已获超300套系统订单，并计划2026年占据中国ATE市场近15%份额，挑战80%的进口依赖。HBM4复杂度的提升推动测试需求，Digital Frontier与UniTest合计获得超2800亿韩元订单。
SK海力士提出构建下一代AI内存生态愿景。随着AI从训练转向推理，数据移动效率成为瓶颈，架构正从处理器中心向内存中心转变。
该战略定位强化了HBM及高速内存在AI基础设施中的核心地位，长期需求前景向好。
Broadcom在TSMC OIP 2026论坛强调ASIC战略优势，重点布局IP与生态整合。公司认为需在客户需求前解决未来工程难题。
ASIC市场长期战略动向。
英伟达下一代Rubin Ultra的HBM层数或从16层砍至8层，同时HBF闪存凭借低成本高容量优势试图分食市场。文章指出受限于工艺良率和散热，单纯堆叠HBM难度增加，而HBF虽延迟高但适合非高频数据。
混合存储架构或成远期解，存力产业链话语权面临重构。
TSMC北美CEO Sajiv Dalal宣布今年AI基础设施支出达1万亿美元，预计未来几年将大幅增长。这一数据印证了AI向边缘端及各行业渗透，推动对先进制程、Chiplet及HBM等技术的需求。
巨额资本开支将强化先进封装与HBM产能紧缺预期，利好相关供应链。
Marvell高管指出，推理模型驱动KV缓存需求在过去九个月内增长约10倍，铜连接已逼近性能极限。随着数据中心规模突破物理限制，单机架内存无法满足需求，算力扩张正从单纯芯片竞争转向互连与内存的系统级博弈。
光学互连、定制化SerDes及内存扩展技术成为下一阶段算力扩张核心变量，相关供应商将持续受益。
知名投资者迈克尔·伯里增持美光等股票空头头寸，认为传统内存供应紧张源于厂商转向HBM，随着产能恢复，价格将承压。
预计传统内存价格下行。
英特尔AI架构负责人确认CXL非HBM替代品而是二级存储补充。受限于带宽差距，CXL仅能处理冷数据，HBM仍主导热数据传输。
HBM需求预期，利空CXL替代叙事。
兴证策略团队数据显示，AI内部拥挤度呈现“高低易位”，上游硬件方向拥挤度处于历史绝对低位，中下游软件方向升至较高水平。经前期资金再平衡后，光模块、存储等硬件板块交易情绪低迷，而大模型、AIGC等软件板块资金涌入。
中下游软件板块，利空上游硬件板块，短期资金或继续向高拥挤度方向流动。
三星电子为应对美光与闪迪的挖角，正提高绩效奖金及扩大股权奖励，以留住HBM与NAND闪存核心人才。半导体竞争主战场已转向人才争夺，能否抢到关键人才决定下一代存储器市场胜负。
三星薪酬成本上涨对利润率的潜在挤压，以及核心人才流失对产能的潜在风险。
Yole预测数据中心半导体市场2031年将超1.5万亿美元，Capex达1.8万亿美元。AI性能销售重心转向机架级，HBM、先进封装及功率器件成为核心驱动力。
HBM与功率器件需求激增，推动相关供应链价值重估。
中芯国际（CXMT）涉嫌通过“合肥项目”窃取三星620步DRAM工艺配方，以此建立10%全球市场份额。该计划涉及挖角三星工程师及2016年至2018年的生产时间表，韩国法院已对此展开调查。
此案件揭示了供应链知识产权风险，并可能影响DRAM市场的竞争格局与产能分布。
文章指出AI算力过剩而高质量数据稀缺。随着大模型训练需求激增，数据获取成为制约行业发展的核心因素。
算力芯片短期需求预期降温，关注数据存储与清洗产业链。
高通推动HBC技术，促使三星和SK海力士在HBM之外展开新竞争。随着AI模型规模扩大，数据传输效率正成为新的瓶颈。
技术趋势改变，暂无直接价格影响。
AI 基础设施、内存供应、先进封装和美中技术限制主导了本周的行业议程。DIGITIMES 报道了 HBM、DRAM、EMIB、光收发器和下一代光刻技术等热门话题。
AI 算力与供应链地缘政治博弈。
Alchip技术总监黄先生指出，AI和HPC设计正将先进封装从优化手段转变为架构必需，客户需结合Chiplet、HBM及高速I/O以满足性能与功耗限制。
先进封装需求激增，利好定制ASIC及封装产能。
三星晶圆代工收到大量关于3D IC解决方案的咨询。相比2.5D的HBM，3D IC能缩短逻辑与存储距离并释放内存墙性能。
3D DRAM定制化市场，中小型内存厂商迎来新蓝海。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |