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Electrostatic Chucks (ESC)

NuAxi collects public semiconductor news, product updates and supply-chain signals about Electrostatic Chucks (ESC), continuously updated.

44 related briefings tracked

Latest updates

Thu, Nov 12

  1. Impact score 30

    半导体设备零部件国产替代梳理：先进制程设备国内自研占比不足20%，成熟制程约40%-50%，EUV光学系统、ESC、射频电源、真空泵/阀、MFC等国产化率较低

    本文为半导体设备零部件国产替代的行业梳理。文中指出，整体上先进制程设备中国内自研占比不足20%，成熟制程设备中约40%-50%；先进制程相关的光学系统（EUV）、静电卡盘（ESC）、射频电源、真空泵/阀、MFC等零部件当前国产化率较低。文章将零部件分为五大环节并列举国内供应商：机械结构件（金属件：富创精密、超纯应材、托伦斯、先锋精科；非金属件：神工股份、珂玛科技、江丰电子）、真空系统（新莱应材）、气体输送与流体控制系统（高凯技术、正帆科技、星源材质）、射频与电气电源系统（英杰电气、恒运昌）、晶圆传输与机电一体化系统（京仪装备）。原文未说明原因，仅为背景性行业梳理，无具体价格或供需事件。

    光学系统（EUV）静电卡盘（ESC）射频电源富创精密, 超纯应材 and 14 total格隆汇·半导体
  2. Impact score 30

    东芝推出CTZ系列保护齐纳二极管：20款器件、5.6V至36V齐纳电压、SOD-882封装，较SOD-323封装PCB安装面积减少约81%

    东芝推出CTZ系列保护齐纳二极管，扩展其过压保护器件产品线，该系列包含20款器件，采用SOD-882（CST2）封装，提供5.6V至36V的标准E24齐纳电压。每款器件封装尺寸为1.0mm×0.6mm×0.38mm（典型值），与东芝SOD-323（USC）封装相比，新封装占用的PCB安装面积减少约81%。原文说明该系列适用于电源和信号线保护应用，并指出保护齐纳二极管与主要用于短暂瞬态事件的ESD保护二极管不同，可钳位接近直流特性的较长时间过压状况。此为产品发布消息，原文未涉及价格、产能或供需状况。

    protection Zener diodesToshibaElectronics Weekly

Tue, Nov 10

  1. Impact score 30

    Diodes Incorporated推出面向汽车应用的AHC1724Q/AHC1725Q霍尔电流传感器及三款第二代IntelliFET高侧开关，并在electronica 2026展出

    Diodes Incorporated推出面向汽车应用的新型电流检测与功率开关器件，包括AHC1724Q和AHC1725Q霍尔效应电流传感器，以及三款第二代IntelliFET高侧开关：ZXMS81030SPQ、ZXMS82030S14PQ和ZXMS82045S14PQ。两款传感器为电动车车载充电器（OBC）、充电站及其他电源系统提供电气隔离的交流和直流电流测量，量程最高±50 A，典型原边导通电阻为1.2 mΩ，根据UL 62368-1支持最高420 VDC基本隔离工作电压，带宽120 kHz，典型响应时间4.0 µs，典型传播延迟2.0 µs。AHC1724Q工作电压为4.5 V至5.5 V，支持±2.5 A至±50 A量程；AHC1725Q采用3.0 V至3.6 V供电，覆盖±5 A至±50 A；两者均采用低矮SO-8（Type CJ2）封装，工作温度范围为-40°C至+150°C，并另有符合标准的AHC1724和AHC1725工业及商用版本。三款IntelliFET器件针对12 V汽车负载，将垂直DMOS N沟道MOSFET与集成控制器结合，管理浪涌电流并提供短路、过压、负载突降、过温（自动重启）及ESD保护；单通道ZXMS81030SPQ采用SO-8EP封装，双通道ZXMS82030S14PQ和ZXMS82045S14PQ采用SO-14EP封装，两类封装均带底部外露散热片。Diodes在electronica 2026展会上展示这些器件，IntelliFET器件作为48 V电源树演示的一部分出现在C6馆211展位，提供受保护的12 V开关输出。原文未说明该发布对价格或供应的影响。

    Hall effect current sensorsIntelliFET high-side switchesDiodes IncorporatedPower Electronics News

Mon, Nov 9

  1. Impact score 20

    瑞萨电子发布RZ/T2N 64位MPU：单芯片集成电机控制、工业以太网与应用处理，面向机器人和工业设备

    瑞萨电子（TSE:6723）发布了64位微处理器（MPU）RZ/T2N，将高精度实时电机控制、工业以太网和应用处理集成在单芯片上。该芯片配备双Arm Cortex-A55核心（最高1.2 GHz）用于应用处理，以及两个Cortex-R52核心（最高800 MHz）用于实时处理；每个Cortex-R52核心具有576 KB带ECC的紧耦合存储器（TCM），并集成最多四轴电机控制外设，支持SCARA和delta等工业机器人的单芯片电机控制。编码器接口每轴提供两个通道，支持Tamagawa T-Format、HIPERFACE DSL、A-format、EnDat 2.2、BiSS C以及最新的EnDat 3和BiSS Line协议。芯片含三个千兆以太网MAC（GMAC）、以太网交换机和EtherCAT SubDevice Controller（ESC），支持EtherCAT、PROFINET RT/IRT、EtherNet/IP等主要工业以太网协议，并支持HSR、PRP、FRER冗余协议及加密库、安全启动、安全固件更新和Arm TrustZone等安全功能；支持带即时加密/解密的16位 LPDDR4-1600存储器，全部存储具备ECC保护，并与RZ/T2x和RZ/N2x系列共享通用Linux包和灵活软件包（FSP）。基于RZ/T2x和RZ/N2x系列验证的功能安全软件解决方案计划于2027年下半年提供。该产品将在2026年11月10日至13日于德国慕尼黑举行的electronica 2026上现场演示（瑞萨展位：C5馆，479号展位）。

    RZ/T2N 64-bit microprocessor (MPU)Renesas Electronics CorporationEE Journal

Mon, Nov 2

  1. Impact score 60

    TOTO 宣布投资 600 亿日元在福冈丰前基地新建半导体用途陶瓷工厂，预计 2029 财年上半年投产

    TOTO（东陶）当地时间 10 月 30 日宣布，将在其福冈丰前生产基地内新建一座总建筑面积 3.6 万平方米的生产设施，总投资 600 亿日元（约合 25.35 亿元人民币），预计 2029 财年上半年投产。该新工厂将制造新一代静电吸盘和气溶胶沉积 (AD) 薄膜，两者均面向半导体制造中的蚀刻工艺，拥有出色的等离子体腐蚀耐受性能。此外，TOTO 还将在位于大分中津的两家工厂购置下一代 AD 组件的量产设备，这部分投资额约为 110 亿日元（约合 4.65 亿元人民币），预计 2028 财年投产。此为宣布的投资计划，尚未投产。

    静电吸盘气溶胶沉积 (AD) 薄膜TOTOIT HomeCapacity Change

Fri, Oct 30

  1. Impact score 10

    GSA欧洲高管论坛与英特尔代工文章称AI正在重塑半导体设计与制造:Intel 18A采用RibbonFET与PowerVia背面供电,AI驱动制造加速良率学习

    这是一篇背景性文章,介绍AI正在重塑半导体设计与制造。文章转述近期Global Semiconductor Alliance European Executive Forum的信息,称扩展AI不仅需要更小的晶体管,还需解决电力传输、连接性、先进封装和供应链韧性等问题。文章称Intel Foundry通过两条路径支持该战略:先进制程与封装技术,以及AI驱动的制造以改善质量并加速良率学习。具体技术包括:Intel 18A采用RibbonFET环栅技术以改善静电控制并支持超越传统FinFET架构的扩展;通过PowerVia将供电布线置于晶圆背面,降低电阻、压降与供电噪声;UCIe提供标准化高带宽低延迟的芯片互连;封装组合包括EMIB-T、Foveros和Foveros Direct。文章还称Intel Foundry工厂每周收集近十亿张图像,生成PB级制造数据,用机器学习检测缺陷、分类失效模式、识别良率风险。文章未涉及具体价格、产量变化或任何可交易事件。

    Intel 18AEMIB-TFoverosIntel FoundrySemiWiki

Thu, Oct 29

  1. Impact score 25

    Renesas宣布推出面向智能家电系统控制的超低功耗16位RL78/G21 MCU，并将RL78/G23产品线触控通道扩至24/25个

    Renesas Electronics Corporation（TSE:6723）宣布推出RL78家族新成员RL78/G21，一款面向智能家电系统控制的超低功耗16位MCU。据公告，RL78/G21工作电流仅为34 μA/MHz，接近现有RL78/G13领先产品的一半，并实现ULPMark-PeripheralProfile基准测试最高分，±4 kV HBM ESD耐受提升可靠性，工作电压范围1.6V至5.5V，集成±1.0%精度高速片上振荡器（HOCO）和4KB数据闪存，在128KB或256KB代码闪存级别产品中具有价格竞争力。Renesas还扩展了现有RL78/G23产品线，推出RL78/G23（R7F104G）：相比现有RL78/G23（R7F100G）44引脚版本14个触控通道、48引脚版本16个触控通道，新器件分别增至24个和25个电容式触控通道。RL78/G21与现有RL78/G13和RL78/G23引脚和功能兼容。此为新产品发布公告，原文未说明对供需或价格的影响。

    RL78/G21RL78/G23Renesas Electronics CorporationEE Journal
  2. Impact score 60

    Justem目标是到2030年实现八倍营收增长

    Justem于10月23日在京畿道广州举行的10周年工作坊上，由CEO林永镇公布了到2030年实现3000亿韩元营收的目标，约为2025年369亿韩元营收的八倍。公司还宣布到2030年将企业价值提升至2万亿韩元的目标。增长策略包括升级湿度控制解决方案、持续开发下一代解决方案、为先进产业开发创新技术、发展新业务以及建成第三家工厂。Justem于去年5月在京畿道龙仁购买了约19,800平方米的第三工厂用地，并从韩国产业银行获得300亿韩元设施投资融资；公司计划在全球需求上升的背景下扩大湿度控制解决方案的产能。Justem成立于2016年，向半导体晶圆厂等制造设施供应氮基微环境控制、湿度控制和静电控制解决方案，公司称其持有全球市场80%以上份额。今年上半年营收达387亿韩元，六个月内即超过2025年全年营收；截至10月23日下午，市值约为3164亿韩元。

    humidity-control solutionsnitrogen-based microenvironment control solutionselectrostatic control solutionsJustemThe ElecCapacity Change

Wed, Oct 28

  1. Impact score 45

    富创精密2026年前三季度营收38亿元同比增长39.19%，Q3营收14.82亿元同比增长47.31%、归母净利润9902.15万元同比增长292.82%

    富创精密（688409.SH）于10月27日晚间发布三季报，2026年前三季度实现营收38亿元，同比增长39.19%；归母净利润2.33亿元，同比增长522.10%；扣非归母净利润1.89亿元，同比增长844.04%。其中第三季度实现营业收入14.82亿元，同比增长47.31%；归母净利润9902.15万元，同比增长292.82%；环比方面，2026年第二季度净利润为7622.38万元，第三季度环比增长29.91%。2026年前三季度经营活动现金流净额达1.93亿元，同比增长263.35%。公司主营工艺零部件、结构零部件、模组组件、气体传输系统四大类产品；2026年上半年机械及机电零组件收入占比67.64%，气体传输系统占比31.22%，其他补充项占比1.14%。截至2026年6月末，公司拥有授权发明专利13项、实用新型专利34项、申请中发明专利13项；同期研发费用1.55亿元，较上年同期的1.21亿元增长28.1%。前五大客户收入占比长期稳定在70%左右。公司重点发力加热盘、阀门产品的市场落地与产能释放，并为静电卡盘制定3至5年长期发展规划。据SEMI预测，2026年全球半导体制造设备销售额预计达1659亿美元，同比增长23.2%，创历史新高，预计2028年攀升至2295亿美元；据华经产业研究院数据，中国半导体零部件市场整体国产化率约7.1%，设备整机国产化率已达35%。原文将业绩增长归因于下游晶圆厂扩产持续落地、设备端需求持续向上传导。

    工艺零部件结构零部件模组组件富创精密格隆汇·半导体

Fri, Oct 23

  1. Impact score 20

    FinFET与垂直GaN功率应用综述：ADI以15亿美元收购Empower于2026年7月完成，onsemi推出GaN-on-GaN垂直架构vGaN

    本文为技术综述（背景类），讨论FinFET结构与垂直GaN在高功率电子（工业、电动车、AI数据中心）功率应用中的角色，未涉及价格或供需变化。要点：FinFET自逻辑转向功率路径，GlobalFoundries等代工厂提供FinFET工艺；Empower Semiconductor（现属Analog Devices）基于超快FinFET功率晶体管开发FinFast平台；Claros（现属Navitas）宣布将在三星美国14nm FinFET工艺上制造其集成稳压器（IVR）。据Empower，其Crescendo IVR瞬态响应较传统方案快约20倍；通过并联最多50个IVR（每个约60A）可向负载供应超过3,000A，电压跌落降低2倍，公司称可使典型AI工作负载的xPU功耗额外降低15%。2026年5月，Analog Devices宣布以15亿美元现金收购Empower Semiconductor的最终协议，交易于2026年7月完成。垂直GaN方面：2024年Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产以开发650V与1,200V垂直导通GaN FET；onsemi推出专有GaN-on-GaN垂直架构（vGaN），称能耗降低近50%，该技术在位于纽约Syracuse的晶圆厂（2024年底从NexGen Power Systems收购）生产；2025年10月，MIT衍生公司Vertical Semiconductor筹集由Playground Global领投的1,100万美元种子轮，基于8英寸晶圆展示100V至1.2kV垂直GaN工艺，并希望年底前推出 fully integrated 产品。原文未说明价格影响或市场供需原因。

    FinFET-based power transistors (IVRs)vertical GaN power transistorsintegrated voltage regulators (IVRs)Analog Devices, Empower Semiconductor and 10 totalPower Electronics News

Wed, Oct 21

  1. Impact score 0

    意法半导体推出QML-V认证LVDS接收器RHFLVDS42

    意法半导体宣布扩展其太空级半导体产品组合，推出QML-V认证的四路低压差分信号(LVDS)接收器RHFLVDS42，用于航空航天与太空系统的高速数据链路。该器件数据速率高达600 Mbps，工作电压2.3V至3.6V，符合TIA/EIA-644及相关JEDEC标准，输入共模电压范围为-4V至+5V，绝对最大电压额定值为4.8V。抗辐射方面，据意法半导体称，其在LET为122.6 MeV·cm²/mg下无单粒子锁定(SEL)，在61.3 MeV·cm²/mg下无单粒子瞬态(SET)和单粒子翻转(SEU)，并通过RHA QML-V框架认证总电离剂量达300 krad (Si)，具备8kV ESD抗扰能力。该器件在法国雷恩工厂采用130nm CMOS工艺制造（公司称该工艺已用于太空相关应用超过十年），具有EAR99出口分类，工作温度范围-55°C至+125°C，采用接地盖气密Flat-16封装，并提供裸片选项。

    LVDS receiverSTMicroelectronicsPower Electronics News

Tue, Oct 20

  1. Impact score 20

    意法半导体推出通过QML-V认证的四路LVDS接收器RHFLVDS42，扩展航天级产品组合

    意法半导体（STMicroelectronics）宣布推出通过QML-V认证的四路低压差分信号（LVDS）接收器RHFLVDS42，面向航空航天应用。该接收器支持高达600Mbps的数据交换，工作电压范围为2.3V至3.6V，符合最新的TIA/EIA-644和JEDEC低压逻辑与供电规范，并兼容传统CMOS设计。其输入共模电压范围从-4V到+5V，绝对最大电压额定值（AMR）为4.8V。器件在122.6 MeV.cm²/mg下无单事件闩锁（SEL-free），在61.3 MeV.cm²/mg下无单事件瞬态/单事件翻转（SET/SEU-free），依据RHA QML-V在高达300krad TID（Si）下保持稳定，并提供8kV ESD抗扰度。该器件采用ST的130nm CMOS工艺在法国雷恩制造，符合EAR99出口管理规定，可供应给包括美国和亚洲在内的全球组织。工作温度范围为-55°C至+125°C，采用接地盖Flat-16气密封装，也可提供裸片形式。

    quad low-voltage differential signaling (LVDS) receiverSTMicroelectronicsEE Journal
  2. Impact score 20

    MEMS开关在AI驱动光网络与数据中心日益普及，被视为半导体开关的可靠替代品

    文章介绍MEMS（微机电）开关正受到关注，称其在AI驱动的光网络、数据中心及其他领域日益普及，并被视为半导体开关的可靠替代品。光MEMS开关（光路交换机OCS）通过微镜阵列直接路由光信号，省去光电转换，可节省数据中心成本与功耗，分为2D和3D两类；RF MEMS开关分为欧姆（DC接触）和电容两类，可替代PIN二极管和FET。文中称MEMS开关比半导体对应产品小90-95%。同时指出局限：开关速度较半导体开关慢微秒级、需要高驱动电压、运动部件会磨损、需密封防潮；高效MEMS开关仍处于企业和供应商的研发阶段，AC/DC高功率处理系统尚待商业化。文中未提及任何价格、产量或订单数据。

    MEMS switchoptical MEMS switch (OCS)RF MEMS switchElectronics Weekly
  3. Impact score 55

    MiCo Ceramics拟以150 billion won收购LG Display龟尾闲置工厂,扩大半导体设备用陶瓷加热器与静电卡盘(ESCs)产能

    KoMiCo于10月19日披露,其子公司MiCo Ceramics计划以1500亿韩元向LG Display收购位于庆尚北道龟尾的一座闲置工厂的土地及建筑物,用于分阶段扩大半导体制造设备用陶瓷加热器和静电卡盘(ESCs)的产能,该收购计划定于2027年2月19日进行。该工厂因LG Display缩减液晶显示器(LCD)业务而停运。收购价格相当于KoMiCo合并总资产的14.56%,仅收购成本(不含额外设备投资)就相当于其此前最大投资——第四龟尾工厂? 不,第四江陵工厂65.5亿韩元投资的2.3倍;龟尾地块面积183,565平方米,约为第四江陵工厂8,807平方米场地的21倍,总建筑面积389,540平方米。MiCo Ceramics目前运营位于安城的两个生产设施和江陵的四个生产设施,公司设备利用率为2026年上半年的79.6%。2026年上半年公司营收1495亿韩元、净利润487亿韩元,同比分别增长21.1%和46.5%。公司尚未披露如何为1500亿韩元收购及额外设备投资融资;其2025年底持有现金及现金等价物285亿韩元,据母公司半年度报告披露的子公司现金余额变动估算,截至2026年6月底约为622亿韩元,即使全部用于收购仍面临878亿韩元的缺口;2025年底公司有1180亿韩元借款及账面价值193亿韩元的可转换债券,且其IPO计划因重复上市的担忧面临障碍。KoMiCo官员表示,除已披露内容外难以提供具体细节。

    ceramic heaterselectrostatic chucks (ESCs)MiCo Ceramics, KoMiCo and 3 totalThe ElecCapacity Change
  4. Impact score 58

    AI服务器带动TVS与ESD需求,钰新科技10月23日兴柜挂牌并计划将6英寸晶圆产能占比从35%提升至50%以上

    Yea Shin Technology(钰新科技,为Eris Technology子公司)将于10月23日在台湾兴柜市场开始挂牌交易,并计划将其产能中6英寸晶圆的占比从35%提升至50%以上,因其TVS产品进入国际AI服务器供应链。原文将此背景归因于AI服务器带动对电源元件、瞬态电压抑制器(TVS)及静电放电(ESD)保护元件的需求。上述6英寸晶圆占比提升为计划,并非已完成事项。

    transient voltage suppressors (TVS)electrostatic discharge (ESD) protection devicespower componentsYea Shin Technology, Eris TechnologyDigiTimes AsiaCapacity Change

Mon, Oct 12

  1. Impact score 10

    韩国半导体供应商将参加2026年SEMICON West展会

    韩国主要半导体材料、零部件及设备供应商将参加定于10月13日至15日在美国旧金山Moscone Center举行的SEMICON West 2026。据这些公司表示，美国半导体制造设施投资的不断增长正使韩国企业对SEMICON West的兴趣上升。材料供应商方面，ENF Technology将展示蚀刻液、清洗液、剥离液和稀释剂等工艺材料，该公司自2021年起从其得克萨斯州Kyle工厂向三星电子奥斯汀工厂供应材料，并于今年早些时候完成剥离液和稀释剂产能扩建，上半年开始向三星电子Taylor工厂供货；Dongjin Semichem将展示光刻胶、稀释剂和CMP抛光液，其位于得州的稀释剂和高纯硫酸生产设施目标今年年底前量产，预计将支持三星电子Taylor工厂及当地其他业务。设备商方面，Hanmi Semiconductor将展出面向HBM和2.5D封装的TC热压邦定机，Shindo Eng Lab将介绍玻璃陶瓷结合的TGCV基板技术；检测计量厂商Intekplus将展示封装与基板的自动外观检测及3D量测技术，其近期获得一家日本基板厂商用于玻璃基板研发的检测设备订单，Koh Young Technology将展示先进封装工艺的3D测量检测方案；测试零部件供应商ISC与LEENO Industrial也将参展。气体输送与控制相关零部件厂商BMT、DK-Lok、ASFlow，以及设备零部件和晶圆传送材料厂商BOBU Hi-Tech、Glint Materials亦将参展。SEMI预计本届展会将有超过1,500个展位、吸引超过35,000名观众。

    semiconductor process materialsetchantscleaning solutionsENF Technology, Dongjin Semichem and 15 totalThe Elec
  2. Impact score 55

    CXMT加速推进4F² DRAM，计划年底推出服务器DDR5 RDIMM

    据一财全球报道，CXMT总裁曹勘宇在10月10日的集成电路与Chiplet大会上介绍了该公司的4F² DRAM架构，并计划在年底前推出基于该技术的下一代DDR5 RDIMM（属计划，尚未证实量产）。据MyDrivers解释，业界目前采用6F²设计（每个存储单元占最小特征尺寸平方的六倍），4F²将其缩减至四倍，有望在相同面积内将存储密度提升30%–50%；CXMT方案的核心是垂直环绕栅极（VSG）晶体管，可改善静电控制并降低漏电流和短沟道效应。曹勘宇称CXMT已拥有超过300个与4F²架构相关的已公开专利族。另据TrendForce，CXMT在2026年第二季度全球DRAM营收排名第四，市场份额从前一季度的7.6%升至9.5%，落后于三星（39.4%）、SK海力士（24.9%）和美光（23.3%）。同期，三星在ISSCC 2026上展示了结合4F²单元与晶圆级混合键合的16Gb原型，但据报优先推进混合键合商用化，该技术预计2028年前不会上市，4F²整合尚无明确时间表；Wccftech报道称三星考虑在其B1b工艺（据报更名为D0a）中采用4F²，SK海力士也在推进垂直栅极（VG）4F² DRAM。据Money Today，CXMT即将推出的产品可能仅部分采用4F²技术，实现大量产仍是另一道门槛。

    DRAMDDR5 RDIMMCXMT, Samsung and 4 totalTrendForce

Wed, Oct 7

  1. Impact score 10

    Marvell与Siemens EDA展示CoWoS验证新法

    Marvell与Siemens EDA在TSMC OIP论坛展示3D IC CoWoS系统验证新方法，旨在解决先进封装中的ESD与可靠性挑战。

    关注

    技术生态合作进展，对现货价格无直接影响。

    Marvell, Siemens EDA and 3 totalSemiWikiTechnical

Thu, Sep 3

  1. Impact score 10

    英特尔18A-P性能提升18%

    英特尔18A-P工艺通过Power Boost和应变工程，将RibbonFET和PowerVia性能提升至第一代以上，功耗降低18%，开关速度提升12%。该工艺在保持设计兼容性的前提下，通过优化接触电阻和互连层，实现了更高的晶体管驱动电流。

    中性

    该技术升级将增强英特尔代工服务的长期竞争力，但短期内对现货市场价格无直接影响。

    RibbonFETPowerViaW3P TransistorIntel Foundry, IntelSemiWikiTechnical

Sun, Aug 23

  1. Impact score 10

    库仑型ESC预测2032年前景

    贝哲斯咨询发布2026年库仑型静电卡盘（ESC）市场报告，涵盖中国及全球市场规模、细分材料及应用领域。报告分析了华东、华南等主要区域产业现状，并预测2032年前市场前景。

    利多

    行业长期增长预期明确，主要厂商包括应用材料、Lam Research等。

    Electrostatic Chuck (ESC)Aluminum Nitride (AlN)Aluminum Oxide (Al2O3)Lam Research, TOTO and 8 total格隆汇·半导体Market Analysis